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Features of tensoresistance in single crystals of germanium and silicon with different dopants

Tensoresistance in single crystals of germanium and silicon with different dopants but under practically equal charge carrier concentrations have been investigated. The features of ρX /ρ₀ = f(X) function, which depend on individual physical-chemical properties of dopants, have been discussed in this...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Datum:	2016
Hauptverfasser:	Baranskii, P.I., Gaidar, G.P.
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2016
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/121522
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Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Features of tensoresistance in single crystals of germanium and silicon with different dopants / P.I. Baranskii, G.P. Gaidar // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2016. — Т. 19, № 1. — С. 39-43. — Бібліогр.: 19 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

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