Зображення обкладинки

Features of tensoresistance in single crystals of germanium and silicon with different dopants

Tensoresistance in single crystals of germanium and silicon with different dopants but under practically equal charge carrier concentrations have been investigated. The features of ρX /ρ₀ = f(X) function, which depend on individual physical-chemical properties of dopants, have been discussed in this...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Дата:	2016
Автори:	Baranskii, P.I., Gaidar, G.P.
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2016
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/121522
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Features of tensoresistance in single crystals of germanium and silicon with different dopants / P.I. Baranskii, G.P. Gaidar // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2016. — Т. 19, № 1. — С. 39-43. — Бібліогр.: 19 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Features of tensoresistance in single crystals of germanium and silicon with different dopants
за авторством: P. I. Baranskii, та інші
Опубліковано: (2016)

Dependence of the anisotropy parameter of drag thermo-emf on the impurity concentration in the n-type germanium and silicon crystals
за авторством: Gaidar, G.P., та інші
Опубліковано: (2017)

Dependence of the anisotropy parameter of drag thermo-emf on the impurity concentration in the n-type germanium and silicon crystals
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2017)

Features of piezoresistance in heavily doped n-silicon crystals
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2013)

Influence of thermoannealings at 450 and 650 oC on the tensoresistance and anisotropy parameter in mobility of silicon single crystals
за авторством: P. I. Baranskyi, та інші
Опубліковано: (2014)

Dose dependence of tensoresistance for the symmetrical orientation of the deformation axis relatively to all isoenergetic ellipsoids in γ-irradiated (⁶⁰Co) n-Si crystals
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2018)

Peculiarities of thermoannealing in n-Si and n-Ge crystals with oxygen impurity
за авторством: Baranskii, P.I., та інші
Опубліковано: (2012)

Features of piezoresistance in heavily doped n-silicon crystals
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2013)

X-ray study of dopant state in highly doped semiconductor single crystals
за авторством: I. L. Shulpina, та інші
Опубліковано: (2011)

Effect of thermal treatment on drag Seebeck coefficient anisotropy parameter of transmutation-doped silicon crystal
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2016)

Some thermoelectric features of conventional and transmutation doped silicon crystals
за авторством: P. I. Baranskii, та інші
Опубліковано: (2012)

Dopant concentration dependence of thermostimulated luminescence in Li₂B₄O₇:Mn single crystals
за авторством: Holovey, V.M., та інші
Опубліковано: (2005)

Structural features of doped silicon single crystals
за авторством: Azarenkov, N.A., та інші
Опубліковано: (2022)

Dose dependence of tensoresistance for the symmetrical orientation of the deformation axis relatively to all isoenergetic ellipsoids in γ-irradiated (60Co) n-Si crystals
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2018)

Some peculiarities of thermopower anisotropy in undeformed and elastically deformed n – Si and n – Ge single crystals
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2015)

Rotation of single crystals of chiral dopants at the top of namatic droplet: a hydrodynamical analogy
за авторством: Gvozdovskyy, I.A., та інші
Опубліковано: (2007)

Changes in electrophysical properties of heavily doped n-Ge <As> single crystals under the influence of thermoannealings
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2015)

Influence of γ-irradiation (⁶⁰Со) on the concentration and mobility of carriers in Ge and Si single crystals of n-type
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2012)

Electron tunneling in the germanium/silicon heterostructure with germanium quantum dots: theory
за авторством: S. I. Pokutnyi, та інші
Опубліковано: (2021)

Configuration transitions of divacancies in silicon and germanium
за авторством: A. P. Dolgolenko
Опубліковано: (2013)

Tensoresistance of amorphous ferromagnetics
за авторством: M. P. Semenko, та інші
Опубліковано: (2009)

Influence of the annealing of silicon crystals at 1200 °C on the Hall effect and magnetoresistance
за авторством: Baranskyy, P.I., та інші
Опубліковано: (2002)

Structure relaxation in thin filamentary germanium crystals
за авторством: Ermakov, A.P., та інші
Опубліковано: (2004)

Peculiariries of thermoannealing in n-Si and n-Ge crystals with oxygen impurity
за авторством: P. I. Baranskii, та інші
Опубліковано: (2012)

Investigation of the influence of isovalent impurity of silicon and y-irradiation (⁶⁰Co) on electrophysical parameters of n-Ge <Sb>
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2014)

Comprehensive investigation of defects in highly perfect silicon single crystals
за авторством: Prokopenko, I.V., та інші
Опубліковано: (2000)

On the methodology of determining the transverse tensoresistance in multi-valley semiconductors
за авторством: H. P. Haidar
Опубліковано: (2022)

Features of tensoresistive properties of thin metallic films under elastic and plastic deformations
за авторством: D. V. Velykodnyi, та інші
Опубліковано: (2011)

Influence of -irradiation (60So) on the concentration and mobility of carriers in Ge and Si single crystals of n-type
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2012)

Increasing the radiation resistance of single-crystal silicon epitaxial layers
за авторством: Sh. D. Kurmashev, та інші
Опубліковано: (2014)

Radiation destruction and internal friction in silicon single crystals
за авторством: Ryzhikov, V.D., та інші
Опубліковано: (2004)

Polishing substrates of single crystal silicon carbide and sapphire for optoelectronics
за авторством: Filatov, O.Yu., та інші
Опубліковано: (2016)

Migration-enhanced energy transfer from host to dopant in Sr₂CeO₄:Eu crystal
за авторством: Masalov, A.A., та інші
Опубліковано: (2008)

Radiation-induced effects in silicon
за авторством: Gaidar, G.P., та інші
Опубліковано: (2019)

Tensoresistive effect in the system of potential barriers in semiconductor films
за авторством: G. Guljamov, та інші
Опубліковано: (2013)

On the theory of the binding energy of exciton quasimolecules in germanium/silicon double quantum dots
за авторством: S. I. Pokutnyi, та інші
Опубліковано: (2022)

An influence of gamma-irradiation and ²³⁸U fragments on single-crystal silicon properties
за авторством: Dovbnya, A.N., та інші
Опубліковано: (2006)

The aggregation of point defetc in dislocation-free silicon single crystals
за авторством: Talanin, V.I., та інші
Опубліковано: (2007)

Investigation of Relaxation Processes in Naturally-Aged Single Crystals of Silicon
за авторством: Ye. I. Kurek, та інші
Опубліковано: (2013)

Tensoresistivity properties of film materials base on Ni and Mo or Cr
за авторством: I. P. Buryk, та інші
Опубліковано: (2009)