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Thermally stimulated conductivity in InGaAs/GaAs quantum wire heterostructures

Thermally stimulated conductivity of the InGaAs-GaAs heterostructures with quantum wires was studied using different quantum energies of exciting illumination. The structures reveal long-term photoconductivity decay within the temperature range 100 to 200 K, and effect of residual conductivity after...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Datum:	2016
Hauptverfasser:	Iliash, S.A., Kondratenko, S.V., Yakovliev, A.S., Kunets, Vas.P., Mazur, Yu.I., Salamo, G.J.
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2016
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/121528
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Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Thermally stimulated conductivity in InGaAs/GaAs quantum wire heterostructures / S.A. Iliash, S.V. Kondratenko, A.S. Yakovliev, Vas.P. Kunets, Yu.I. Mazur, G.J. Salamo // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2016. — Т. 19, № 1. — С. 75-78. — Бібліогр.: 7 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

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