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Electronic structure of 2H-SnSe₂: ab initio modeling and comparison with experiment

Energy band structure, total and local partial densities of states, spatial distribution of electronic density of 2H-SnSe₂ have been calculated using the densitym functional theory method in LDA and LDA+U approximations both with and without consideration of spin-orbit interaction. From the band str...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Datum:	2016
Hauptverfasser:	Bletskan, D.I., Glukhov, K.E., Frolova, V.V.
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2016
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/121533
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Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Electronic structure of 2H-SnSe₂: ab initio modeling and comparison with experiment / D.I. Bletskan, K.E. Glukhov, V.V. Frolova // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2016. — Т. 19, № 1. — С. 98-108. — Бібліогр.: 42 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

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