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p-n junctions obtained in (Ge₂)x(GaAs)₁₋x varizone solid solutions by liquid phase epitaxy

(Ge₂)x(GaAs)₁₋x graded gap layers were grown using the method of liquid phase epitaxy on GaAs substrates. Investigated are distributions of chemical components along the thickness of the epitaxial layer. In accord to the scan patterns obtained in characteristic X-rays, the layers have a perfect stru...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Datum:	2005
Hauptverfasser:	Sapaev, B., Saidov, A.S., Sapaev, I.B.
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2005
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/121540
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Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	p-n junctions obtained in (Ge₂)x(GaAs)₁₋x varizone solid solutions by liquid phase epitaxy / AUTHORS // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2005. — Т. 8, № 4. — С. 33-34. — Бібліогр.: 2 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

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