Magnetic field effect on the binding energy of a hydrogenic impurity in GaAs-Ga₁₋xAlxAs superlattice
The binding energy of shallow hydrogenic impurity in GaAs-GaAs-Ga₁₋xAlxAs superlattices, under the influence of magnetic field, is theoretically studied following a variational procedure within the effective-mass approximation and the new analytic wave function of superlattice. The binding energy is...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2005 |
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2005
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/121547 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Magnetic field effect on the binding energy of a hydrogenic impurity in GaAs-Ga₁₋xAlxAs superlattice / D. Abouelaoualim // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2005. — Т. 8, № 4. — С. 18-21. — Бібліогр.: 31 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Concentration-size dependences for the electron energy in AlxGa₁₋xAs/GaAs/AlxGa₁₋xAs nanofilms
за авторством: Kondryuk, D.V., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Kondryuk, D.V., та інші
Опубліковано: (2014)
Optical properties of GaAs/AlxGa1-xAs/GaAs quantum dot with off-central impurity driven by electric field
за авторством: Holovatsky, V.A., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Holovatsky, V.A., та інші
Опубліковано: (2018)
Concentration-dimension dependences for the electron energy in AlxGa1-xAs/GaAs/AlxGa1-xAs nanofilms
за авторством: D. V. Kondryuk, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: D. V. Kondryuk, та інші
Опубліковано: (2014)
Thickness, concentration, and temperature dependences of exciton transition energies in AlxGa1–xAs/GaAs/AlxGa1–xAs nanofilms
за авторством: D. V. Kondriuk, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: D. V. Kondriuk, та інші
Опубліковано: (2015)
Thickness, concentration, and temperature dependences of exciton transition energies in AlxGa1–xAs/GaAs/AlxGa1–xAs nanofilms
за авторством: D. V. Kondryuk, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: D. V. Kondryuk, та інші
Опубліковано: (2015)
Nonparabolicity effects on electron-confined LO-phonon scattering rates in GaAs-Al₀.₄₅Ga₀.₅₅As superlattice
за авторством: Abouelaoualim, D.
Опубліковано: (2005)
за авторством: Abouelaoualim, D.
Опубліковано: (2005)
Photoconverters with microrelief p-n-junction on a basis of p AlxGa₁₋x-p GaAs-n GaAs-n⁺ GaAs heterojunction
за авторством: Karimov, A.V., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Karimov, A.V., та інші
Опубліковано: (2005)
Theory of high-field electron transport in the heterostructures AlxGa1-xAs/GaAs/AlxGa1-x with delta-doped barriers. Effect of real-space transfer
за авторством: V. V. Korotyeyev
Опубліковано: (2015)
за авторством: V. V. Korotyeyev
Опубліковано: (2015)
Temperature changes in the excitonic absorption band in flat double nanoheterostructures GaAs/AlxGa₁₋xAs
за авторством: Kondryuk, D.V., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Kondryuk, D.V., та інші
Опубліковано: (2015)
Temperature changes in the excitonic absorption band in flat double nanoheterostructures GaAs/AlxGa₁₋xAs
за авторством: Kondryuk, D.V., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Kondryuk, D.V., та інші
Опубліковано: (2015)
Electron- and hole-phonon interaction in quantum dot embedded into semiconductor medium (GaAs/AlxGa₁₋xAs)
за авторством: Tkach, M.V., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Tkach, M.V., та інші
Опубліковано: (2001)
Энергетические и частотные характеристики GaAs диодов Ганна с AlxGa1-xAs и GaPxAs1-x катодами
за авторством: Стороженко, И.П., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Стороженко, И.П., та інші
Опубліковано: (2007)
Temperature changes in the exciton absorption band observed in flat double nanoheterostructures GaAs/AlxGa1-xAs
за авторством: D. V. Kondryuk, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: D. V. Kondryuk, та інші
Опубліковано: (2015)
Characteristics of interface corrugations in short-period GaAs/AlAs superlattices
за авторством: Daweritz, L., та інші
Опубліковано: (1998)
за авторством: Daweritz, L., та інші
Опубліковано: (1998)
Miniband electrical conductivity in superlattices of spherical InAs/GaAs quantum dots
за авторством: V. I. Boichuk, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: V. I. Boichuk, та інші
Опубліковано: (2017)
Miniband electrical conductivity in superlattices of spherical InAs/GaAs quantum dots
за авторством: V. I. Boichuk, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: V. I. Boichuk, та інші
Опубліковано: (2017)
Effect of an InxGa1-xAs-GaAs blocking heterocathode metal contact on the GaAs TED operation
за авторством: Arkusha, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Arkusha, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2013)
Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: Vainberg, V.V., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Vainberg, V.V., та інші
Опубліковано: (2013)
Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: V. V. Vainberg, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: V. V. Vainberg, та інші
Опубліковано: (2013)
InAs quantum dots embedded into anti-modulation-doped GaAs superlattice structures
за авторством: Masselink, W.T., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Masselink, W.T., та інші
Опубліковано: (2000)
Influence of weak magnetic fields treatment on photoluminescence of GaAs
за авторством: S. M. Redko
Опубліковано: (2014)
за авторством: S. M. Redko
Опубліковано: (2014)
Influence of weak magnetic fields treatment on photoluminescence of GaAs
за авторством: Red'ko, S.M.
Опубліковано: (2014)
за авторством: Red'ko, S.M.
Опубліковано: (2014)
Localization and interference induced quantum effects at low magnetic fields in InGaAs/GaAs structures
за авторством: A. P. Savelyev, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: A. P. Savelyev, та інші
Опубліковано: (2021)
A novel Al₀.₃₃Ga₀.₆₇As/In₀.₁₅Ga₀.₈₅As/GaAs quantum well Hall device grown on (111) GaAs
за авторством: Sghaier, H., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Sghaier, H., та інші
Опубліковано: (2012)
About influences of different actions on spectra of impurity photoluminescence in GaAs
за авторством: Litovchenko, N.M., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Litovchenko, N.M., та інші
Опубліковано: (2001)
Резонансно-туннельные диоды на основе нитридов AlN/AlxGa1-xN, GaN/InxGa1-xN
за авторством: Боцула, О.В., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Боцула, О.В., та інші
Опубліковано: (2008)
Вплив нейтронного опромінення на характеристики світлодіодів AlxGa1–xAs
за авторством: Сизов, Ф.Ф., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Сизов, Ф.Ф., та інші
Опубліковано: (2009)
GaAs Gunn Diodes with AlAs-GaAs-AlAs Resonance Tunnel Cathode
за авторством: Storozhenko, I. P., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Storozhenko, I. P., та інші
Опубліковано: (2013)
Magnetic field impact on electrical properties of ZnSe-GaAs solid solutions
за авторством: Brodovoy, А.V., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Brodovoy, А.V., та інші
Опубліковано: (2006)
Influence of pulse magnetic fields treatment on optical properties of GaAs based films
за авторством: R. V. Konakova, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: R. V. Konakova, та інші
Опубліковано: (2014)
Influence of pulse magnetic fields treatment on optical properties of GaAs based films
за авторством: Konakova, R.V., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Konakova, R.V., та інші
Опубліковано: (2014)
Excitonic parameters of InxGa1-xAs−GaAs heterostructures with quantum wells at low temperatures
за авторством: N. M. Litovchenko, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: N. M. Litovchenko, та інші
Опубліковано: (2013)
Excitonic parameters of InxGa1-xAs−GaAs heterostructures with quantum wells at low temperatures
за авторством: N. M. Lytovchenko, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: N. M. Lytovchenko, та інші
Опубліковано: (2013)
Effects of the real-space transfer of charge carriers in the n-AlGaAs/GaAs heterostructures with the delta-layers of impurity in the barriers
за авторством: V. V. Vainberg, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: V. V. Vainberg, та інші
Опубліковано: (2014)
Effects of the real-space transfer of charge carriers in the n-AlGaAs/GaAs heterostructures with the delta-layers of impurity in the barriers
за авторством: V. V. Vainberg, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: V. V. Vainberg, та інші
Опубліковано: (2014)
Structural and composition irregularities in GaAs:Si/GaAs films grown by liquid-phase epitaxy
за авторством: Kladko, V.P., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Kladko, V.P., та інші
Опубліковано: (2000)
Дизайн та дослідження фазових характеристик гетероструктури por-Ga2O3/por-GaAs/mono-GaAs
за авторством: Kovachov, S. S., та інші
Опубліковано: (2024)
за авторством: Kovachov, S. S., та інші
Опубліковано: (2024)
Alx(z)Ga1-x(z)As Variband Gunn Diodes with Different Cathode Contacts
за авторством: Storozhenko, I. P.
Опубліковано: (2013)
за авторством: Storozhenko, I. P.
Опубліковано: (2013)
Anisotropy of elastic deformations in multilayer (In,Ga)As/GaAs structures with quantum wires: X-ray diffractometry study
за авторством: Strelchuk, V.V., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Strelchuk, V.V., та інші
Опубліковано: (2005)
Двумерный магнетофермионный конденсат в GaAs/AlGaAs гетероструктурах
за авторством: Кулик, Л.В., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Кулик, Л.В., та інші
Опубліковано: (2017)