Зображення обкладинки

Investigation of growing the Hg₁₋x₋y₋zAxByCzTe solid solutions by modified zone melting method

This paper presents research of the process for growing the crystals of semiconductor solid solutions Hg₁₋x₋y₋zAxByCzTe under conditions of a modified zone melting.

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Дата:2005
Автори: Gorbatyuk, I.N., Zhikharevich, V.V., Ostapov, S.E.
Формат: Стаття
Мова:Англійська
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2005
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/121548
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Investigation of growing the Hg₁₋x₋y₋zAxByCzTe solid solutions by modified zone melting method / I.N. Gorbatyuk, V.V. Zhikharevich, S.E. Ostapov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2005. — Т. 8, № 4. — С. 22-25. — Бібліогр.: 5 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Схожі ресурси