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Performance limits of terahertz zero biased rectifying detectors for direct detection

Performance limits of uncooled unbiased field effect transistors (FETs) and Schottky-barrier diodes (SBDs) as direct detection rectifying terahertz (THz) detectors operating in the broadband regime have been considered in this paper. Some basic extrinsic parasitics and detector-antenna impedance mat...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Datum:	2016
Hauptverfasser:	Golenkov, A.G., Sizov, F.F.
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2016
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/121551
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Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Performance limits of terahertz zero biased rectifying detectors for direct detection / A.G. Golenkov, F.F. Sizov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2016. — Т. 19, № 2. — С. 129-138. — Бібліогр.: 53 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

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