ZnTe-based UV sensors

• Veröffentlicht in: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
• Datum: 2016
• Hauptverfasser: Pavelets, S.Yu., Bobrenko, Yu.N., Semikina, T.V., Sheremetova, G.I., Atdaiev, В.S., Krulikovska, K.B., Mazin, M.A.
• Format: Artikel
• Sprache: English
• Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2016
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/121564
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: ZnTe-based UV sensors / S.Yu. Pavelets, Yu.N. Bobrenko, T.V. Semikina, G.I. Sheremetova, В.S. Atdaiev, K.B. Krulikovska, M.S. Mazin // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2016. — Т. 19, № 2. — С. 197-200. — Бібліогр.: 11 назв. — англ.

A р-ZnTe/n-CdSe heterojunction was used for making polycrystalline ZnTebased UV sensors. The heteropair components have the same crystal structure and close lattice parameters. ZnTe and CdSe were grown using thermal evaporation and quasiclosed space condensation. A transparent current collecting ele...