Variational approach to the calculation of the lowest Wannier exciton state in wide type-II single semiconductor quantum wells
The possibility to change the spatial character of the Wannier exciton ground state in a wide single type-II semiconductor quantum well has been studied variationally. A heterostructure with the central layer forming a potential well for holes and a barrier for electrons has been considered. A trial...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2016 |
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2016
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/121566 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Variational approach to the calculation of the lowest Wannier exciton state in wide type-II single semiconductor quantum wells / G.V. Vertsimakha // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2016. — Т. 19, № 2. — С. 208-214. — Бібліогр.: 24 назв. — англ. |