Зображення обкладинки

Electron properties of semiconductor surface studied by the electroreflectance spectroscopy method

Relations between the Keldysh-Franz oscillations with electron parameters of semiconductor materials were used to derive qualitative data for homoepitaxial films n-GaAs (100) from their electroreflectance spectra. The spectra were measured using the Shottky barrier method at the temperature 300 K an...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Дата:	2005
Автори:	Gentsar, P.A., Vlasenko, A.I., Kudryavtsev, A.A.
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2005
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/121570
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Electron properties of semiconductor surface studied by the electroreflectance spectroscopy method / P.A. Gentsar, A.I. Vlasenko, A.A. Kudryavtsev // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2005. — Т. 8, № 4. — С. 85-90. — Бібліогр.: 16 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Electroreflectance spectroscopy and scanning electron microscopy study of microrelief silicon wafers with various surface pretreatments
за авторством: Gorbach, T.Ya., та інші
Опубліковано: (1998)

Infrared spectroscopy and electroreflectance in the region of fundamental optical transition E₀ of heavily doped n-GaAs (100)
за авторством: Gentsar, P.O., та інші
Опубліковано: (2009)

Positron spectroscopy study of structural defects and electronic properties of carbon nanotubes
за авторством: E. A. Tsapko, та інші
Опубліковано: (2020)

X-ray photoelectron spectroscopy of the interface formation on cleavage surfaces of the layered semiconductor In₄Se₃ crystals
за авторством: Galiy, P.V., та інші
Опубліковано: (2005)

Low temperature electron transport on semiconductor surfaces
за авторством: Lastapis, M., та інші
Опубліковано: (2003)

Semiconductor surface spectroscopy using transverse acousto-electric effect: Role of surface charge in photo-processes at ZnS/Si interface
за авторством: N. P. Tatyanenko, та інші
Опубліковано: (2018)

Semiconductor surface spectroscopy using transverse acousto-electric effect: Role of surface charge in photo-processes at ZnS/Si interface
за авторством: Tatyanenko, N.P., та інші
Опубліковано: (2018)

Stellar spectroscopy methods for study of supernova remnants
за авторством: Pakhomov, Yu.V., та інші
Опубліковано: (2011)

Semiconductor HPHT-diamonds as active elements of electronic devices: their structural and electronic properties
за авторством: T. V. Kovalenko, та інші
Опубліковано: (2021)

Electron-hole Fermi liquid in nanosized semiconductor structures
за авторством: Litovchenko, V.G., та інші
Опубліковано: (2010)

Studies of charging mechanisms in impurity-helium condensates by means of impedance spectroscopy and current spectroscopy
за авторством: Pelmenev, A.A., та інші
Опубліковано: (2019)

Determination of the energy standards by precision beta-spectroscopy methods
за авторством: Kupryashkin, V.T., та інші
Опубліковано: (2004)

Use of spectroscopy and computer simulation to the study of surfaces modified by ionic implantation
за авторством: Yu. Nikolaieva, та інші
Опубліковано: (2021)

Use of spectroscopy and computer simulation to the study of surfaces modified by ionic implantation
за авторством: Yu. Nikolaieva, та інші
Опубліковано: (2021)

Degeneracy effect of dynamical properties of quasi-particles of electronic origin in semiconductor materials
за авторством: Suprun, A.D., та інші
Опубліковано: (2012)

Properties, structure, methods of obtaining of the indium oxide based materials and their practical use in the semiconductor and electronic technique (Reviev)
за авторством: M. F. Hryhorenko, та інші
Опубліковано: (2019)

Kinetics of nonequilibrium electron-phonon system for semiconductors and metals in a strong electric field
за авторством: Karas, V.I., та інші
Опубліковано: (2013)

Molecular diagnostics based on surface plasmon angular spectroscopy
за авторством: Kostyukevych, K. V., та інші
Опубліковано: (2020)

Molecular diagnostics based on surface plasmon angular spectroscopy
за авторством: K. V. Kostiukevych, та інші
Опубліковано: (2020)

Features of carrier scattering by intercrystalline potential barriers formed by electron surface states in polycrystalline semiconductors
за авторством: Sh. B. Atakulov, та інші
Опубліковано: (2010)

Studies of charging mechanisms in impurityhelium condensates by means of impedance spectroscopy and current spectroscopy
за авторством: A. A. Pelmenev, та інші
Опубліковано: (2019)

Quantum size effect and interlayer electron tunneling in metal-semiconductor superlattices
за авторством: Fogel, N.Ya., та інші
Опубліковано: (1999)

Optics of semiconductors with a linear electronic spectrum
за авторством: L. A. Falkovskij
Опубліковано: (2011)

Scanning Tunneling Microscopy/Spectroscopy and Low-Energy Electron Diffraction Investigations of GaTe Layered Crystal Cleavage Surface
за авторством: P. Galiy, та інші
Опубліковано: (2015)

Point-contact spectroscopy of electron–phonon interaction in superconductors
за авторством: N. L. Bobrov, та інші
Опубліковано: (2014)

Auger electron spectroscopy of boron nitride whiskers produced in optical furnace without catalysts
за авторством: Sartinska, L.L., та інші
Опубліковано: (2009)

Spin waves on the semiconductor nanotube surface with superlattice
за авторством: A. M. Ermolaev, та інші
Опубліковано: (2012)

Study of Structural-Relaxation Processes on Surface of Amorphous Fe77Si8B15 Alloy by the Methods of Scanning Tunnelling Microscopy and Spectroscopy
за авторством: V. L. Karbovskij, та інші
Опубліковано: (2012)

Modification of photoelectric and electrical properties of III-V semiconductors by pulsed laser irradiation
за авторством: Gnatyuk, V.A., та інші
Опубліковано: (2000)

Atomic structures and nanoscale electronic states on the surface of MgB2 superconductor observed by scanning tunneling microscopy and spectroscopy
за авторством: A. Sugimoto, та інші
Опубліковано: (2019)

Optical recording of information pits in thin layers of chalcogenide semiconductors
за авторством: Morozovska, A.N., та інші
Опубліковано: (2004)

X-ray spectroscopy studies of the electronic structure and band-structure calculations of cubic TaCxN1-x carbonitrides
за авторством: Lavrentyev, A.A., та інші
Опубліковано: (2006)

Electron-hole Fermi liquid in nanosized semiconductor structures
за авторством: V. G. Litovchenko, та інші
Опубліковано: (2010)

Transport properties of surface electrons over structurized substrate
за авторством: A. V. Smorodin, та інші
Опубліковано: (2012)

The centrally-symmetric solutions of electronic excitations of semiconductors in the conditions of relativistic like degeneracy of dynamical properties
за авторством: Suprun, A.D., та інші
Опубліковано: (2014)

Studies on the structure of adsorption layers of poliols on the ultrafine silica surface by TPD MS and IR-spectroscopy
за авторством: N. S. Nastasiienko, та інші
Опубліковано: (2014)

Magnetoresistance of electrons in diluted magnetic semiconductor Volcano ring
за авторством: A. M. Babanlı
Опубліковано: (2019)

Energy loss of charged particle on the waves excitation in semiconductor cylinder with two-dimensional electron gas on the side surface
за авторством: A. V. Dormidontov, та інші
Опубліковано: (2015)

Melt instabilities on semiconductor surfaces induced by laser radiation
за авторством: Bonchik, A.Yu., та інші
Опубліковано: (2000)

Fourier Raman spectroscopy studies of the As₄₀S₆₀-xSex glasses
за авторством: Stronski, A.V., та інші
Опубліковано: (2001)