Optical properties of p-type porous GaAs
Samples of p-type porous GaAs was obtained by electrochemical anodization of (100) oriented p-type GaAs. The formation of porous structure has been confirmed by Raman spectroscopy and scanning electron microscopy investigations. The low-frequency Raman shift of the peaks conditioned by the main opti...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2005 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2005
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/121575 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Optical properties of p-type porous GaAs / V.V. Kidalov, L. Beji, G.A. Sukach // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2005. — Т. 8, № 4. — С. 118-120. — Бібліогр.: 13 назв. — англ. |