Electric field and carrier concentration distributions in the semiconductor under photorefractive Gunn effect

• Опубліковано в: : Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
• Дата: 2006
• Автори: Gorley, P.M., Horley, P.P., Chupyra, S.M.
• Формат: Стаття
• Мова: Англійська
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2006
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/121587
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Electric field and carrier concentration distributions in the semiconductor under photorefractive Gunn effect / P.M. Gorley, P.P. Horley, S.M. Chupyra // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2006. — Т. 9, № 1. — С. 93-96. — Бібліогр.: 8 назв. — англ.

In the framework of the one-dimension field model of semiconductor simultaneosly subjected to the action of carrier-warming electric field and two quasi-monochromatic light waves the authors have numerically calculated the spatial-temporal distributions of inner electric field Е(x,τ) and conductivit...