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Microwave irradiation of gallium arsenide

To study an influence of the microwave irradiation on a spectrum of defect states in semiconductor compound GaAs, we used measurements of luminescence spectra within the range 0.5 to 2.04 eV at 77 К before and after long (up to 13 min) treatments in air in the operation chamber of a magnetron at the...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Datum:	2006
ISSN:	1560-8034
1. Verfasser:	Red'ko, R.
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2006
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/121588
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Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Microwave irradiation of gallium arsenide / R. Red'ko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2006. — Т. 9, № 1. — С. 97-98. — Бібліогр.: 4 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

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