Зображення обкладинки

Microwave irradiation of gallium arsenide

To study an influence of the microwave irradiation on a spectrum of defect states in semiconductor compound GaAs, we used measurements of luminescence spectra within the range 0.5 to 2.04 eV at 77 К before and after long (up to 13 min) treatments in air in the operation chamber of a magnetron at the...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Дата:	2006
Автор:	Red'ko, R.
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2006
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/121588
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Microwave irradiation of gallium arsenide / R. Red'ko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2006. — Т. 9, № 1. — С. 97-98. — Бібліогр.: 4 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Effect of neutron irradiation and doping level on defect structure formation in gallium arsenide crystals
за авторством: Seitmuratov, M.S., та інші
Опубліковано: (2002)

Photoelectric converters based on porous gallium arsenide
за авторством: A. I. Kirilash, та інші
Опубліковано: (2012)

Optical approach to analysis of interaction of gallium nitride and weak magnetic fields
за авторством: Red'ko, R.A.
Опубліковано: (2015)

Tellurium effect on degradation stability of semiinsulating gallium arsenide crystals
за авторством: N. I. Klyui, та інші
Опубліковано: (2014)

Tellurium effect on degradation stability of semiinsulating gallium arsenide crystals
за авторством: M. I. Kliui, та інші
Опубліковано: (2014)

Heat tolerance of titanium boride and titanium nitride contacts to gallium arsenide
за авторством: Venger, Ye.F., та інші
Опубліковано: (1999)

Effect of the microwave radiation treatment of porous indium phosphide on spectra of radiative recombination centers
за авторством: Red’ko, R., та інші
Опубліковано: (2007)

Capture coefficients of free excitons by shallow acceptors and donors in gallium arsenide
за авторством: Glinchuk, K.D., та інші
Опубліковано: (2003)

Three-barrier photodiodes based on gallium arsenide compounds for optical communication systems
за авторством: D. M. Jodgorova, та інші
Опубліковано: (2009)

Physical mechanisms and models of the long-term transformations in radiative recombination observed in n-GaAs under microwave irradiation
за авторством: Milenin, G.V., та інші
Опубліковано: (2016)

Radiative recombination through EL2 centers in selenium and cadmium single crystals doped gallium arsenide
за авторством: Litvinova, M.B., та інші
Опубліковано: (2006)

Decrease of exciton radiation intensity in compensated gallium arsenide single crystals under influence of low electric field
за авторством: Shtan'ko, A.D., та інші
Опубліковано: (2010)

The conditions of longitudinal and Hall conductance critical behavior in quantum Hall regime for heterostructures based on gallium and indium arsenide
за авторством: A. S. Klepikova, та інші
Опубліковано: (2017)

Properties of original and irradiated phosphide-gallium LEDs
за авторством: M. Y. Chumak, та інші
Опубліковано: (2024)

Development of high-stable contact systems to gallium nitride microwave diodes
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2007)

Crystal structure of the arsenide HfNiAs
за авторством: O. Zhak
Опубліковано: (2018)

Optical and photoelectrical properties of lamellar gallium sulfide single crystals irradiated by γ-quanta
за авторством: Madatov, R.S., та інші
Опубліковано: (2006)

Physical mechanisms and models of the long-term transformations in radiative recombination observed in n-GaAs under microwave irradiation
за авторством: G. V. Milenin, та інші
Опубліковано: (2016)

Effect of low magnetic field treatment on spectra of radiative recombination centers in indium phosphide structures
за авторством: Red’ko, R. R.
Опубліковано: (2009)

Dissolution of indium arsenide in nitric solutions of the hydrobromic acid
за авторством: Tomashik, Z.F., та інші
Опубліковано: (1999)

Chemical dissolution of indium arsenide in the Br₂-HBr solutions
за авторством: Tomashik, Z.F., та інші
Опубліковано: (1999)

Influence of 2 MeV electrons irradiation on gallium phosphide light-emitting diodes reverse currents
за авторством: V. H. Vorobiov, та інші
Опубліковано: (2015)

Enhancement of superconductivity by microwave irradiation in wide Sn films
за авторством: I. V. Zolochevskij
Опубліковано: (2013)

The effect of microwave irradiation on the synthesis of hydroxyapatite/biopolymer nanocomposites
за авторством: M. O. Kumeda, та інші
Опубліковано: (2021)

Influence of weak magnetic fields treatment on photoluminescence of GaAs
за авторством: Red'ko, S.M.
Опубліковано: (2014)

Influence of treatment in weak magnetic fields on photoluminescence of GaN:Si
за авторством: Red’ko, S.M.
Опубліковано: (2015)

Процесологічні середовища системного анализу
за авторством: Red'ko, I. V.
Опубліковано: (2019)

Structure and short range order of liquid gallium
за авторством: R. Bilyk, та інші
Опубліковано: (2017)

Effect of weak magnetic fields treatment on photoluminescence of III-V single crystals
за авторством: Konakova, R.V., та інші
Опубліковано: (2014)

Injection currents in lamellar crystals of gallium telluride
за авторством: Madatov, R.S., та інші
Опубліковано: (2003)

Lifespan in adults of Drosophila melanogaster Meig. after exposure to microwave irradiation
за авторством: L. D. Dyka, та інші
Опубліковано: (2017)

Radiation modification of the structure of layer crystals of sulfide gallium
за авторством: Madatov, R.S., та інші
Опубліковано: (2018)

Luminescence of gallium-containing complex oxide crystal
за авторством: Shevchuk, V.N.
Опубліковано: (2005)

Features of growing epitaxial layers from solid solutions based on indium and aluminium arsenides
за авторством: Yodgorova, D.M., та інші
Опубліковано: (2004)

Physical mechanisms and models of long-term transformations of radiative recombination in n-GaAs due to the magnetic field treatments
за авторством: Milenin, G.V., та інші
Опубліковано: (2016)

Transformation of structural defects in semiconductors under the action of electromagnetic and magnetic fields, causing resonant phenomena
за авторством: Milenin, G.V., та інші
Опубліковано: (2019)

Effect of pulsing magnetic field on radiative recombination spectra of GaP and InP single crystals
за авторством: Milenin, V.V., та інші
Опубліковано: (2010)

Defect reorganization induced by pulsed magnetic field in porous InP
за авторством: Milenin, V.V., та інші
Опубліковано: (2010)

Influence of pulse magnetic fields treatment on optical properties of GaAs based films
за авторством: Konakova, R.V., та інші
Опубліковано: (2014)

Transformation of impurity-defect centers in single crystals CdTe:Cl under the influence of microwaves
за авторством: Vakhnyak, N.D., та інші
Опубліковано: (2017)