Solid state doping of CdxHg₁₋xTe epitaxial layers with elements of V group
Presented here are the results of studying the controlled doping with elements of V group of the periodic table, arsenic As and antimony Sb, of narrow gap CdxHg₁₋xTe epitaxial layers during the isothermal growth from the vapour phase by the evaporation-condensation-diffusion method. Three types of i...
Збережено в:
| Опубліковано в: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2006 |
| ISSN: | 1560-8034 |
| Автори: | , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2006
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/121591 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Solid state doping of CdxHg₁₋xTe epitaxial layers with elements of V group / A.P. Vlasov, A.Yu. Bonchyk, I.M. Fodchuk, R.A. Zaplitnyy, A. Barcz, Z.T. Swiatek // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2006. — Т. 9, № 1. — С. 36-42. — Бібліогр.: 15 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Solid solutions of CdxHg₁₋xTe:V:Mn, CdxHg₁₋xTe:Ti:Mn (x = 0.9 – 0.95): growth and properties
за авторством: Paranchych, S.Yu., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Paranchych, S.Yu., та інші
Опубліковано: (2004)
Isothermal growth kinetics of CdxHg₁₋xTe LPE layers
за авторством: Moskvin, P.P., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Moskvin, P.P., та інші
Опубліковано: (2007)
Properties and application of ultrasonic Lamb waves in CdxHg₁₋xTe plates
за авторством: Lysiuk, I.O., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Lysiuk, I.O., та інші
Опубліковано: (2002)
Определение характеристических параметров n-CdxHg₁₋xTe по квантовым осцилляциям
за авторством: Баширов, Р.И., та інші
Опубліковано: (1998)
за авторством: Баширов, Р.И., та інші
Опубліковано: (1998)
Recombination and long-term relaxation of photoconductivity in р⁺–р–р⁻ structures of CdxHg₁₋xTe
за авторством: Ismayilov, N.J., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Ismayilov, N.J., та інші
Опубліковано: (2018)
Deformation-Induced Interfacial Interaction in Elastically-Plastically Deformed Single Crystals of CdxHg₁₋xTe
за авторством: Koman, B.P.
Опубліковано: (2017)
за авторством: Koman, B.P.
Опубліковано: (2017)
Electron mobility in CdxHg₁₋xSe
за авторством: Malyk, O.P.
Опубліковано: (2009)
за авторством: Malyk, O.P.
Опубліковано: (2009)
Effect of internal electrical field on compositional dependence of p-n junction depth in ion milled p-CdxHg₁₋xTe
за авторством: Izhnin, I.I., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Izhnin, I.I., та інші
Опубліковано: (2005)
Optimization of bromine-emerging etching compositions K₂Cr₂O₇-HBr-ethylene glycol for forming a polished surface of CdTe, ZnxCd₁-xTe and CdxHg₁-xTe
за авторством: Chayka, M.V., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Chayka, M.V., та інші
Опубліковано: (2019)
Recombination and long-term relaxation of photoconductivity in r+–r–r– structures of CdxHg1–xTe (0.24 ≤ x ≤ 0.29)
за авторством: N. J. Ismayilov, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: N. J. Ismayilov, та інші
Опубліковано: (2018)
Chemical dynamic polishing CdTe and CdxHg₁–xTe single crystals by using solutions of H₂O₂–HCl–tartaric acid system
за авторством: Tomashik, Z.F., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Tomashik, Z.F., та інші
Опубліковано: (2004)
Chemical etching of CdTe, CdₓHg₁-ₓTe, ZnₓCd₁-ₓTe and Te in the HNO₃-HCl-citric acid
за авторством: Tomashik, Z.F., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Tomashik, Z.F., та інші
Опубліковано: (2005)
AFM study of micromorphology and microscopic growth mechanisms of Hg₁₋x CdxTe LPE epitaxial layers
за авторством: Beketov, G.V., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Beketov, G.V., та інші
Опубліковано: (2000)
Acoustodynamic transformation of the defect structure in Hg₁₋xCdx Te alloys
за авторством: Olikh, Y.M., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Olikh, Y.M., та інші
Опубліковано: (2000)
HgCdTe quantum wells grown by molecular beam epitaxy
за авторством: Dvoretsky, S.A, та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Dvoretsky, S.A, та інші
Опубліковано: (2007)
Passivation of CdHgTe epitaxial structures: ab initio calculations
за авторством: R. M. Balabai
Опубліковано: (2012)
за авторством: R. M. Balabai
Опубліковано: (2012)
Diffusion and mobility of native point defects in narrow-gap Hg₁-xCdxTe crystals
за авторством: Elizarov, A.I., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Elizarov, A.I., та інші
Опубліковано: (2003)
Layer structure formation in Hg₁₋xCdxTe films after high-frequency sonication
за авторством: Savkina, R.K., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Savkina, R.K., та інші
Опубліковано: (2006)
Статическая диэлектрическая проницаемость в бесщелевых твердых растворах Hg₁₋xCdxTe
за авторством: Прозоровский, В.Д., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Прозоровский, В.Д., та інші
Опубліковано: (2000)
Electron relaxation and mobility in the inverted band quantum well CdTe/Hg₁₋xCdxTe/CdTe
за авторством: Melezhik, Ye.O., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Melezhik, Ye.O., та інші
Опубліковано: (2014)
Carrier decay lifetimes in the narrow-gap Hg1 – xCdxTe at the interband and intraband excitations
за авторством: S. Staryi, та інші
Опубліковано: (2023)
за авторством: S. Staryi, та інші
Опубліковано: (2023)
Carrier decay lifetimes in the narrow-gap Hg1 – xCdxTe at the interband and intraband excitations
за авторством: S. Staryi, та інші
Опубліковано: (2023)
за авторством: S. Staryi, та інші
Опубліковано: (2023)
Composition and concentration dependences of electron mobility in semi-metal Hg₁₋xCdxTe quantum wells
за авторством: Melezhik, E.O., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Melezhik, E.O., та інші
Опубліковано: (2015)
Investigation on the bandgap of semiconductor solid solution Hg₁₋x₋y₋zCdxMnyZnzTe
за авторством: Zhikharevich, V.V., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Zhikharevich, V.V., та інші
Опубліковано: (2006)
Quaternary semimagnetic Hg₁₋x₋yCdxMnySe crystals for optoelectronic application
за авторством: Mazur, Yu.I., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Mazur, Yu.I., та інші
Опубліковано: (1999)
Electron relaxation and mobility in the inverted band quantum well CdTe/Hg1-xCdxTe/CdTe
за авторством: E. O. Melezhik, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: E. O. Melezhik, та інші
Опубліковано: (2014)
Growing the epitaxial undoped and N-doped ZnO films by radical beam gettering epitaxy
за авторством: Rogozin, I.V.
Опубліковано: (2006)
за авторством: Rogozin, I.V.
Опубліковано: (2006)
Composition and concentration dependences of electron mobility in semi-metal Hg1-xCdxTe quantum wells
за авторством: E. O. Melezhik, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: E. O. Melezhik, та інші
Опубліковано: (2015)
Magnetic and kinetic properties of crystals Hg1–x–yCdxDyySe
за авторством: T. T. Kovaljuk, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: T. T. Kovaljuk, та інші
Опубліковано: (2014)
Density of heavy hole states of Hg₁-xCdxTe in an isotropic nonparabolic approximation by exact measurements of electron concentration
за авторством: Bogoboyashchyy, V.V.
Опубліковано: (2001)
за авторством: Bogoboyashchyy, V.V.
Опубліковано: (2001)
Electrophysical properties of SmxPb₁₋xTe solid solutions
за авторством: Hasanov, H.A.
Опубліковано: (2009)
за авторством: Hasanov, H.A.
Опубліковано: (2009)
Interaction of the ZnxCd1-xTe and Cd0.2Hg0.8Te solid solutions with NaNO2–NI–lactic acid etchants
за авторством: R. A. Denisjuk, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: R. A. Denisjuk, та інші
Опубліковано: (2016)
Магнитные и кинетические свойства кристаллов Hg1–x–yCdxDyySe
за авторством: Kovalyuk, T. T., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Kovalyuk, T. T., та інші
Опубліковано: (2014)
Магнитные и кинетические свойства кристаллов Hg1–x–yCdxDyySe
за авторством: Ковалюк, Т.Т., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Ковалюк, Т.Т., та інші
Опубліковано: (2014)
Часи життя носіїв заряду у вузькощілинному Hg1–xCdxTe при міжзонному та внутрішньозонному збудженні
за авторством: Staryi, S., та інші
Опубліковано: (2023)
за авторством: Staryi, S., та інші
Опубліковано: (2023)
Noise spectra and dark current investigations in n⁺-p-type Hg₁₋xCdxTe (x ≈ 0.22) photodiodes
за авторством: Ivasiv, Z.F., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Ivasiv, Z.F., та інші
Опубліковано: (1999)
R-band observations of the X-ray transients XTE J1859+226 and XTE J1118+480
за авторством: Guziy, S., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Guziy, S., та інші
Опубліковано: (2013)
R-band observations of the X-ray transients XTE J1859+226 and XTE J1118+480
за авторством: Guziy, S., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Guziy, S., та інші
Опубліковано: (2001)
Distribution of components in epitaxial graded band gap heterostructures Cd(Mn, Zn)Te – Cd(Mn, Zn)HgTe and their photoelectrical properties
за авторством: Vlasenko, O.I., та інші
Опубліковано: (1998)
за авторством: Vlasenko, O.I., та інші
Опубліковано: (1998)
Взаимодействие твердых растворов ZnxCd1-xTe и Cd₀,₂Hg₀,₈Te с травителями системы NaNО₂–НІ–молочная кислота
за авторством: Денисюк, Р.А., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Денисюк, Р.А., та інші
Опубліковано: (2016)