Dynamic electrophysical characterization of porous silicon humidity sensing
The results of the investigation of changes of parameters of bipolar and unipolar dynamic current-voltage characteristics and transient currents as well as dynamic bipolar charge-voltage loops connected with the pulse change of humidity for the samples of por-Si are presented. The hysteresis view of...
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| Veröffentlicht in: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Datum: | 2006 |
| Hauptverfasser: | Bravina, S., Morozovsky, N., Boukroub, R. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2006
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/121597 |
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| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Dynamic electrophysical characterization of porous silicon humidity sensing / S. Bravina, N. Morozovsky, R. Boukroub // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2006. — Т. 9, № 1. — С. 79-83. — Бібліогр.: 10 назв. — англ. |
Institution
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