Physical mechanisms and models of long-term transformations of radiative recombination in n-GaAs due to the magnetic field treatments
Simulation of long-time changes in photoluminescence of n-GaAs has been performed, and the mechanism of transformation of the defect structure caused by magnetic field treatments has been represented.
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2016 |
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2016
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/121600 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Physical mechanisms and models of long-term transformations of radiative recombination in n-GaAs due to the magnetic field treatments / G.V. Milenin, R.A. Red’ko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2016. — Т. 19, № 3. — С. 279-284. — Бібліогр.: 29 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Physical mechanisms and models of the long-term transformations in radiative recombination observed in n-GaAs under microwave irradiation
за авторством: Milenin, G.V., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Milenin, G.V., та інші
Опубліковано: (2016)
Physical mechanisms and models of long-term transformations of radiative recombination in n-GaAs due to the magnetic field treatments
за авторством: G. V. Milenin, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: G. V. Milenin, та інші
Опубліковано: (2016)
Physical mechanisms and models of the long-term transformations in radiative recombination observed in n-GaAs under microwave irradiation
за авторством: G. V. Milenin, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: G. V. Milenin, та інші
Опубліковано: (2016)
Effect of the microwave radiation treatment of porous indium phosphide on spectra of radiative recombination centers
за авторством: Red’ko, R., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Red’ko, R., та інші
Опубліковано: (2007)
Effect of pulsing magnetic field on radiative recombination spectra of GaP and InP single crystals
за авторством: Milenin, V.V., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Milenin, V.V., та інші
Опубліковано: (2010)
Influence of weak magnetic fields treatment on photoluminescence of GaAs
за авторством: Red'ko, S.M.
Опубліковано: (2014)
за авторством: Red'ko, S.M.
Опубліковано: (2014)
Influence of pulse magnetic fields treatment on optical properties of GaAs based films
за авторством: Konakova, R.V., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Konakova, R.V., та інші
Опубліковано: (2014)
Cyclotron radiation of semiconductor crystals
за авторством: Milenin, G.V., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Milenin, G.V., та інші
Опубліковано: (2018)
TiB₂/GaAs and Au-TiB₂/GaAs structural transformations at short-term thermal treatment
за авторством: Kryshtab, T.G., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Kryshtab, T.G., та інші
Опубліковано: (1999)
Influence of weak magnetic fields treatment on photoluminescence of GaAs
за авторством: S. M. Redko
Опубліковано: (2014)
за авторством: S. M. Redko
Опубліковано: (2014)
Influence of treatment in weak magnetic fields on photoluminescence of GaN:Si
за авторством: Red’ko, S.M.
Опубліковано: (2015)
за авторством: Red’ko, S.M.
Опубліковано: (2015)
Effect of pulsing magnetic field on radiative recombination spectra of GaP and InP single crystals
за авторством: V. V. Milenin, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: V. V. Milenin, та інші
Опубліковано: (2010)
Influence of pulse magnetic fields treatment on optical properties of GaAs based films
за авторством: R. V. Konakova, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: R. V. Konakova, та інші
Опубліковано: (2014)
Transformation of structural defects in semiconductors under the action of electromagnetic and magnetic fields, causing resonant phenomena
за авторством: Milenin, G.V., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Milenin, G.V., та інші
Опубліковано: (2019)
Effect of weak magnetic fields treatment on photoluminescence of III-V single crystals
за авторством: Konakova, R.V., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Konakova, R.V., та інші
Опубліковано: (2014)
Radiation hardness of AlAs/GaAs-based resonant tunneling diodes
за авторством: Belyaev, A.A., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Belyaev, A.A., та інші
Опубліковано: (1999)
Transformation of defects in semiconductor structures under the influence of microwave electromagnetic radiation, which is stimulated by drift phenomena
за авторством: Milenin, G.V., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Milenin, G.V., та інші
Опубліковано: (2020)
Radiative recombination in initial and electron-irradiated GaP crystals
за авторством: O. Hontaruk, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: O. Hontaruk, та інші
Опубліковано: (2010)
Radiative recombination in initial and electron-irradiated GaP crystals
за авторством: Hontaruk, O., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Hontaruk, O., та інші
Опубліковано: (2010)
Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: V. V. Vainberg, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: V. V. Vainberg, та інші
Опубліковано: (2013)
Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: Vainberg, V.V., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Vainberg, V.V., та інші
Опубліковано: (2013)
Defect reorganization induced by pulsed magnetic field in porous InP
за авторством: Milenin, V.V., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Milenin, V.V., та інші
Опубліковано: (2010)
High-frequency electromagnetic radiation of germanium crystals in magnetic fields
за авторством: Milenin, G.V., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Milenin, G.V., та інші
Опубліковано: (2017)
Optical approach to analysis of interaction of gallium nitride and weak magnetic fields
за авторством: Red'ko, R.A.
Опубліковано: (2015)
за авторством: Red'ko, R.A.
Опубліковано: (2015)
Properties of SiO₂-GaAs and Au-Ti-SiO₂-GaAs structures used in production of transmission lines
за авторством: Boltovets, N.S., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Boltovets, N.S., та інші
Опубліковано: (2002)
A novel Al₀.₃₃Ga₀.₆₇As/In₀.₁₅Ga₀.₈₅As/GaAs quantum well Hall device grown on (111) GaAs
за авторством: Sghaier, H., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Sghaier, H., та інші
Опубліковано: (2012)
GaAs Gunn Diodes with AlAs-GaAs-AlAs Resonance Tunnel Cathode
за авторством: Storozhenko, I. P., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Storozhenko, I. P., та інші
Опубліковано: (2013)
Photoconverters with microrelief p-n-junction on a basis of p AlxGa₁₋x-p GaAs-n GaAs-n⁺ GaAs heterojunction
за авторством: Karimov, A.V., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Karimov, A.V., та інші
Опубліковано: (2005)
Defects and radiation-enhanced defect reactions in ZnSe/(001)GaAs MBE layers
за авторством: Semenova, G.N., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Semenova, G.N., та інші
Опубліковано: (2002)
Influence of physical and geometrical parameters on electrical properties of short gate GaAs MESFETs
за авторством: Khemissi, S., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Khemissi, S., та інші
Опубліковано: (2006)
Optimization of technological parameters of ohmic contact junctions for GaAs-AlGaAs-based transistor structures
за авторством: Konakova, R.V., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Konakova, R.V., та інші
Опубліковано: (2002)
Effect of an InxGa1-xAs-GaAs blocking heterocathode metal contact on the GaAs TED operation
за авторством: Arkusha, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Arkusha, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2013)
Structural and composition irregularities in GaAs:Si/GaAs films grown by liquid-phase epitaxy
за авторством: Kladko, V.P., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Kladko, V.P., та інші
Опубліковано: (2000)
Дизайн та дослідження фазових характеристик гетероструктури por-Ga2O3/por-GaAs/mono-GaAs
за авторством: Kovachov, S. S., та інші
Опубліковано: (2024)
за авторством: Kovachov, S. S., та інші
Опубліковано: (2024)
Recombination and long-term relaxation of photoconductivity in р⁺–р–р⁻ structures of CdxHg₁₋xTe
за авторством: Ismayilov, N.J., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Ismayilov, N.J., та інші
Опубліковано: (2018)
Heat-resistant ohmic and barrier contacts for GaAs-based microwave devices
за авторством: Ivanov, V.N., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Ivanov, V.N., та інші
Опубліковано: (2003)
Optical properties of GaAs/AlxGa1-xAs/GaAs quantum dot with off-central impurity driven by electric field
за авторством: Holovatsky, V.A., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Holovatsky, V.A., та інші
Опубліковано: (2018)
Особенности квантовых эффектов в 2D-структурах GaAs/n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами
за авторством: Арапов, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Арапов, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2007)
Current and electroluminescence intensity oscillations under bipolar lateral electric transport in the double-GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: M. M. Vinoslavskii, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: M. M. Vinoslavskii, та інші
Опубліковано: (2018)
Current and electroluminescence intensity oscillations under bipolar lateral electric transport in the double-GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: Vinoslavskii, M.M., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Vinoslavskii, M.M., та інші
Опубліковано: (2018)