Investigation on the bandgap of semiconductor solid solution Hg₁₋x₋y₋zCdxMnyZnzTe
The paper presents a investigation on the bandgap of a new narrow-gap semiconductor solid solution Hg₁₋x₋y₋zCdxMnyZnzTe via optical measurements. Modeling of the edge of fundamental absorption for Hg₁₋x₋y₋zCdxMnyZnzTe is performed and specifying values of the bandgap at room temperature in crystals...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2006 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2006
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/121612 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Investigation on the bandgap of semiconductor solid solution Hg₁₋x₋y₋zCdxMnyZnzTe / V.V. Zhikharevich, S.E. Ostapov, V.G. Deibuk // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2006. — Т. 9, № 3. — С. 17-21. — Бібліогр.: 20 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Investigation of the physical properties of multi-component solid solutions Hg₁₋x₋y₋zAxByCzTe
за авторством: Ostapov, S.E., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Ostapov, S.E., та інші
Опубліковано: (2005)
Investigation of growing the Hg₁₋x₋y₋zAxByCzTe solid solutions by modified zone melting method
за авторством: Gorbatyuk, I.N., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Gorbatyuk, I.N., та інші
Опубліковано: (2005)
Photoluminescence excitation spectroscopy in narrow - gap Hg₁₋x₋yCd xMnyTe
за авторством: Mazur, Yu. I.
Опубліковано: (1999)
за авторством: Mazur, Yu. I.
Опубліковано: (1999)
Магнитные транспортные свойства полумагнитного полупроводника Hg₁₋x₋yCrxMnySe
за авторством: Прозоровский, В.Д., та інші
Опубліковано: (1998)
за авторством: Прозоровский, В.Д., та інші
Опубліковано: (1998)
Galvanomagnetic phenomena in HgMnTe and HgCdMnTe single crystals
за авторством: Ostapov, S.E., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Ostapov, S.E., та інші
Опубліковано: (2004)
Some characteristics of semiconductor HgCdMnZnTe solid solution crystals
за авторством: Popenko, N., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Popenko, N., та інші
Опубліковано: (2006)
Solid solutions of CdxHg₁₋xTe:V:Mn, CdxHg₁₋xTe:Ti:Mn (x = 0.9 – 0.95): growth and properties
за авторством: Paranchych, S.Yu., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Paranchych, S.Yu., та інші
Опубліковано: (2004)
Isothermal growth kinetics of CdxHg₁₋xTe LPE layers
за авторством: Moskvin, P.P., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Moskvin, P.P., та інші
Опубліковано: (2007)
Acoustodynamic transformation of the defect structure in Hg₁₋xCdx Te alloys
за авторством: Olikh, Y.M., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Olikh, Y.M., та інші
Опубліковано: (2000)
Properties and application of ultrasonic Lamb waves in CdxHg₁₋xTe plates
за авторством: Lysiuk, I.O., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Lysiuk, I.O., та інші
Опубліковано: (2002)
Magnetic and kinetic properties of crystals Hg1–x–yCdxDyySe
за авторством: T. T. Kovaljuk, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: T. T. Kovaljuk, та інші
Опубліковано: (2014)
Electron relaxation and mobility in the inverted band quantum well CdTe/Hg₁₋xCdxTe/CdTe
за авторством: Melezhik, Ye.O., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Melezhik, Ye.O., та інші
Опубліковано: (2014)
Определение характеристических параметров n-CdxHg₁₋xTe по квантовым осцилляциям
за авторством: Баширов, Р.И., та інші
Опубліковано: (1998)
за авторством: Баширов, Р.И., та інші
Опубліковано: (1998)
Статическая диэлектрическая проницаемость в бесщелевых твердых растворах Hg₁₋xCdxTe
за авторством: Прозоровский, В.Д., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Прозоровский, В.Д., та інші
Опубліковано: (2000)
Магнитные и кинетические свойства кристаллов Hg1–x–yCdxDyySe
за авторством: Kovalyuk, T. T., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Kovalyuk, T. T., та інші
Опубліковано: (2014)
Магнитные и кинетические свойства кристаллов Hg1–x–yCdxDyySe
за авторством: Ковалюк, Т.Т., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Ковалюк, Т.Т., та інші
Опубліковано: (2014)
Electron relaxation and mobility in the inverted band quantum well CdTe/Hg1-xCdxTe/CdTe
за авторством: E. O. Melezhik, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: E. O. Melezhik, та інші
Опубліковано: (2014)
Electron mobility in CdxHg₁₋xSe
за авторством: Malyk, O.P.
Опубліковано: (2009)
за авторством: Malyk, O.P.
Опубліковано: (2009)
Diffusion and mobility of native point defects in narrow-gap Hg₁-xCdxTe crystals
за авторством: Elizarov, A.I., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Elizarov, A.I., та інші
Опубліковано: (2003)
Layer structure formation in Hg₁₋xCdxTe films after high-frequency sonication
за авторством: Savkina, R.K., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Savkina, R.K., та інші
Опубліковано: (2006)
Impact of semiconductor quantum dots bandgap on the reabsorption in luminescent concentrator
за авторством: A. I. Shkrebtii, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: A. I. Shkrebtii, та інші
Опубліковано: (2018)
Impact of semiconductor quantum dots bandgap on the reabsorption in luminescent concentrator
за авторством: Shkrebtii, A.I., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Shkrebtii, A.I., та інші
Опубліковано: (2018)
Carrier decay lifetimes in the narrow-gap Hg1 – xCdxTe at the interband and intraband excitations
за авторством: S. Staryi, та інші
Опубліковано: (2023)
за авторством: S. Staryi, та інші
Опубліковано: (2023)
Carrier decay lifetimes in the narrow-gap Hg1 – xCdxTe at the interband and intraband excitations
за авторством: S. Staryi, та інші
Опубліковано: (2023)
за авторством: S. Staryi, та інші
Опубліковано: (2023)
Composition and concentration dependences of electron mobility in semi-metal Hg₁₋xCdxTe quantum wells
за авторством: Melezhik, E.O., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Melezhik, E.O., та інші
Опубліковано: (2015)
Recombination and long-term relaxation of photoconductivity in р⁺–р–р⁻ structures of CdxHg₁₋xTe
за авторством: Ismayilov, N.J., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Ismayilov, N.J., та інші
Опубліковано: (2018)
Deformation-Induced Interfacial Interaction in Elastically-Plastically Deformed Single Crystals of CdxHg₁₋xTe
за авторством: Koman, B.P.
Опубліковано: (2017)
за авторством: Koman, B.P.
Опубліковано: (2017)
Composition and concentration dependences of electron mobility in semi-metal Hg1-xCdxTe quantum wells
за авторством: E. O. Melezhik, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: E. O. Melezhik, та інші
Опубліковано: (2015)
Density of heavy hole states of Hg₁-xCdxTe in an isotropic nonparabolic approximation by exact measurements of electron concentration
за авторством: Bogoboyashchyy, V.V.
Опубліковано: (2001)
за авторством: Bogoboyashchyy, V.V.
Опубліковано: (2001)
Chemical dynamic polishing CdTe and CdxHg₁–xTe single crystals by using solutions of H₂O₂–HCl–tartaric acid system
за авторством: Tomashik, Z.F., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Tomashik, Z.F., та інші
Опубліковано: (2004)
Effect of internal electrical field on compositional dependence of p-n junction depth in ion milled p-CdxHg₁₋xTe
за авторством: Izhnin, I.I., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Izhnin, I.I., та інші
Опубліковано: (2005)
Uncooled wide-range spectral optoelectronic devices on the base of HgCdTe semiconductor
за авторством: F. Sizov
Опубліковано: (2015)
за авторством: F. Sizov
Опубліковано: (2015)
Uncooled wide-range spectral optoelectronic devices on the base of HgCdTe semiconductor
за авторством: F. Sizov
Опубліковано: (2015)
за авторством: F. Sizov
Опубліковано: (2015)
Optimization of bromine-emerging etching compositions K₂Cr₂O₇-HBr-ethylene glycol for forming a polished surface of CdTe, ZnxCd₁-xTe and CdxHg₁-xTe
за авторством: Chayka, M.V., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Chayka, M.V., та інші
Опубліковано: (2019)
Polyassociative thermodynamic model of A²B⁶ semiconductor meltand phase equilibria in Cd-Hg-Te system. 4. p-T-x diagram of Cd-Hg-Te system
за авторством: Moskvin, P.P., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Moskvin, P.P., та інші
Опубліковано: (2006)
Thermoelectric figure of merit of Hg1-xMnxS, Hg1-x-uMnxFeyS and Hg1-xMnxTe1-zSz crystals
за авторством: P. D. Marianchuk, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: P. D. Marianchuk, та інші
Опубліковано: (2012)
Recombination and long-term relaxation of photoconductivity in r+–r–r– structures of CdxHg1–xTe (0.24 ≤ x ≤ 0.29)
за авторством: N. J. Ismayilov, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: N. J. Ismayilov, та інші
Опубліковано: (2018)
Ion synthesis of narrow-bandgap A3V5 semiconductor nanocrystals in silicon matrix for optoelectronics systems
за авторством: F. F. Komarov, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: F. F. Komarov, та інші
Опубліковано: (2011)
Magnetic properties of diluted magnetic semiconductors Pb1–yFeyTe
за авторством: E. P. Skipetrov, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: E. P. Skipetrov, та інші
Опубліковано: (2017)
Polyassociative thermodynamical model of A₂B₆ semiconductor melt and P-T-X equilibria in Cd-Hg-Te system: 1. Phase equilibria in initial two-component systems. Hg-Te system
за авторством: Moskvin, P.P., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Moskvin, P.P., та інші
Опубліковано: (2002)