Investigation on the bandgap of semiconductor solid solution Hg₁₋x₋y₋zCdxMnyZnzTe

• Veröffentlicht in: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
• Datum: 2006
• Hauptverfasser: Zhikharevich, V.V., Ostapov, S.E., Deibuk, V.G.
• Format: Artikel
• Sprache: Englisch
• Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2006
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/121612
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Investigation on the bandgap of semiconductor solid solution Hg₁₋x₋y₋zCdxMnyZnzTe / V.V. Zhikharevich, S.E. Ostapov, V.G. Deibuk // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2006. — Т. 9, № 3. — С. 17-21. — Бібліогр.: 20 назв. — англ.

The paper presents a investigation on the bandgap of a new narrow-gap semiconductor solid solution Hg₁₋x₋y₋zCdxMnyZnzTe via optical measurements. Modeling of the edge of fundamental absorption for Hg₁₋x₋y₋zCdxMnyZnzTe is performed and specifying values of the bandgap at room temperature in crystals...