Зображення обкладинки

The influence of surface defects on the pinhole formation in silicide thin film

The growth of the CoSi layer was considered within the framework of the grain boundary diffusion model. The time dependences of the temperature due to the exothermic reaction of silicide formation as well as the dependences of the CoSi layer thickness were calculated for various values of the reacti...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Дата:2006
Автори: Belousov, I.V., Grib, A.N., Kuznetsov, G.V.
Формат: Стаття
Мова:Англійська
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2006
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/121615
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:The influence of surface defects on the pinhole formation in silicide thin film / I.V. Belousov, A.N. Grib, G.V. Kuznetsov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2006. — Т. 9, № 3. — С. 29-34. — Бібліогр.: 19 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Схожі ресурси