Determination of potential distribution in a three-barrier structure
Model m₁-p-n-m₂ structures with three barriers were considered; construction and technology of manufacturing the three-barrier m₁-pAlGaInAs-nGaAs-m₂ structure are presented. Experimental methods to determine voltages across every junction of the three-barrier structure were proposed. The mechanism o...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2006 |
| Автори: | Yodgorova, D.M., Zoirova, L.X., Karimov, A.V. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2006
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/121616 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Determination of potential distribution in a three-barrier structure / D.M. Yodgorova, L.X. Zoirova, A.V. Karimov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2006. — Т. 9, № 3. — С. 35-39. — Бібліогр.: 16 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Electrophysical and photoelectric characteristics of a three-barrier photodiode GaAs structure
за авторством: O. A. Abdulkhaev, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: O. A. Abdulkhaev, та інші
Опубліковано: (2018)
Investigation of the effect of potential barriers on mechanisms current transfer in meetings of two-barrier silicon structures
за авторством: O. A. Abdulkhaev, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: O. A. Abdulkhaev, та інші
Опубліковано: (2011)
Photoconverters with microrelief p-n-junction on a basis of p AlxGa₁₋x-p GaAs-n GaAs-n⁺ GaAs heterojunction
за авторством: Karimov, A.V., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Karimov, A.V., та інші
Опубліковано: (2005)
Research of structures with corrugated photoreceiving surface
за авторством: Karimov, A.V., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Karimov, A.V., та інші
Опубліковано: (2004)
Three-barrier photodiodes based on gallium arsenide compounds for optical communication systems
за авторством: D. M. Jodgorova, та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: D. M. Jodgorova, та інші
Опубліковано: (2009)
Memory phenomenon in two-barrier n++pnn+-structures
за авторством: A. V. Karimov, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: A. V. Karimov, та інші
Опубліковано: (2014)
Properties and features of probabilistic three-parameter gamma distribution determining technical hydropower potential of a small river
за авторством: A. V. Moroz
Опубліковано: (2014)
за авторством: A. V. Moroz
Опубліковано: (2014)
Research of the photo-voltaic effect in the two-base Ag-N⁰AlGaAs-n⁺GaAs-n⁰GaInAs-Au structure with various thicknesses of a base
за авторством: Yodgorova, D.M., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Yodgorova, D.M., та інші
Опубліковано: (2008)
Determination the electrical potential of a created grounding device in a three-layer ground
за авторством: D. G. Koliushko, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: D. G. Koliushko, та інші
Опубліковано: (2018)
On the theory of scalar pair production by a potential barrier
за авторством: Nikishov, A.I.
Опубліковано: (2001)
за авторством: Nikishov, A.I.
Опубліковано: (2001)
Оценка перераспределения потенциала в трехбарьерной структуре
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2006)
Highly sensitive photodetector based on ge double-barrier punch-through structure
за авторством: O. A. Abdulkhaev, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: O. A. Abdulkhaev, та інші
Опубліковано: (2015)
Stochastic resonance at diffusion over potential barrier
за авторством: V. M. Kolomietz, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: V. M. Kolomietz, та інші
Опубліковано: (2013)
Sepiolite-zeolite composites as potential reactivity waterproof barriers
за авторством: O. V. Pushkarov, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: O. V. Pushkarov, та інші
Опубліковано: (2014)
Spectral photosensitivity of the m-n⁰-n structure on the basis of epitaxial layers
за авторством: Yodgorova, D.M., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Yodgorova, D.M., та інші
Опубліковано: (2008)
Impact of tariff and non-tariff barriers on export potential of Ukraine
за авторством: L. A. Peretiatko
Опубліковано: (2016)
за авторством: L. A. Peretiatko
Опубліковано: (2016)
Tensoresistive effect in the system of potential barriers in semiconductor films
за авторством: G. Guljamov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: G. Guljamov, та інші
Опубліковано: (2013)
Scattering matrix in the DKP theory. Barrier potential case
за авторством: B. Boutabia-Chйraitia, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: B. Boutabia-Chйraitia, та інші
Опубліковано: (2014)
Scattering matrix in the DKP theory. Barrier potential case
за авторством: B. Boutabia-Chйraitia, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: B. Boutabia-Chйraitia, та інші
Опубліковано: (2014)
Methods of determination of spatial distribution of minor-amplitude faults and fissures in thin-layered coal-bearing geological medium
за авторством: Gryn, D.M.
Опубліковано: (2019)
за авторством: Gryn, D.M.
Опубліковано: (2019)
The effect of interface phonons on operating electron states in three-barrier resonant tunneling structure as an active region of quantum cascade detector
за авторством: Tkach, M.V., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Tkach, M.V., та інші
Опубліковано: (2014)
Determination of the three-dimensional grain structure parameters of the metallic materials
за авторством: T. P. Danilenko
Опубліковано: (2013)
за авторством: T. P. Danilenko
Опубліковано: (2013)
Influence of confined polarization phonons on the electron spectrum in the three-barrier active zone of a quantum cascade detector
за авторством: M. V. Tkach, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: M. V. Tkach, та інші
Опубліковано: (2014)
Influence of confined polarization phonons on the electron spectrum in the three-barrier active zone of a quantum cascade detector
за авторством: M. V. Tkach, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: M. V. Tkach, та інші
Опубліковано: (2014)
Exciton effects in band-edge electroluminescence of silicon barrier structures
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2004)
Study on the formation of current characteristics of a silicon photodiode with rectifying barriers
за авторством: A. V. Karimov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: A. V. Karimov, та інші
Опубліковано: (2013)
Role of two-photon electronic transitions in the formation of active dynamic conductivity in a three-barrier resonance tunneling structure with an applied DC electric field
за авторством: I. V. Boiko
Опубліковано: (2016)
за авторством: I. V. Boiko
Опубліковано: (2016)
Role of two-photon electronic transitions in the formation of active dynamic conductivity in a three-barrier resonance tunneling structure with an applied DC electric field
за авторством: I. V. Boyko
Опубліковано: (2016)
за авторством: I. V. Boyko
Опубліковано: (2016)
Effect of the deposition technological parameters on the transparences distribution functions of Josephson junction barriers
за авторством: A. V. Shaternik, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: A. V. Shaternik, та інші
Опубліковано: (2014)
Distribution of Random Variable Represented by a Binary Fraction with Three Identically Distributed Redundant Digits
за авторством: M. V. Pratsovytyi, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: M. V. Pratsovytyi, та інші
Опубліковано: (2014)
Digital Transformation of Business Structures in Ukraine: The Barriers and Drivers
за авторством: M. I. Chepeliuk
Опубліковано: (2021)
за авторством: M. I. Chepeliuk
Опубліковано: (2021)
EFFECT OF A DIELECTRIC BARRIER ON THE ELECTRIC FIELD DISTRIBUTION IN HIGH-VOLTAGE COMPOSITE INSULATION OF ELECTRIC MACHINES
за авторством: Bezprozvannych, G. V., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Bezprozvannych, G. V., та інші
Опубліковано: (2018)
Distribution of Random Variable Represented by a Binary Fraction with Three Identically Distributed Redundant Digits
за авторством: Makarchuk, O. P., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Makarchuk, O. P., та інші
Опубліковано: (2014)
Determination of flow distribution in networks with a tree graph
за авторством: S. D. Vinnichuk
Опубліковано: (2016)
за авторством: S. D. Vinnichuk
Опубліковано: (2016)
Модификация барьерной структуры на основе pAlGaInAs–nGaAs последовательно соединенными потенциальными барьерами
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)
Features of charge transport in Mo/n-Si structures with a Schottky barrier
за авторством: Ya. Olikh
Опубліковано: (2013)
за авторством: Ya. Olikh
Опубліковано: (2013)
Features of charge transport in Mo/n-Si structures with a Schottky barrier
за авторством: Ya. Olikh
Опубліковано: (2013)
за авторством: Ya. Olikh
Опубліковано: (2013)
Recovering the Three-Dimensional Structure of Ionospheric Electron Density Distribution by Angular-and-Frequency Sounding
за авторством: Galushko, V. G., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Galushko, V. G., та інші
Опубліковано: (2013)
A look through psychological barrier
за авторством: I. A. Meizhys
Опубліковано: (1993)
за авторством: I. A. Meizhys
Опубліковано: (1993)
Electrical and photoelectrical properties of the surface-barrier structures MoN/n-Si
за авторством: M. M. Solovan, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: M. M. Solovan, та інші
Опубліковано: (2019)
Схожі ресурси
-
Electrophysical and photoelectric characteristics of a three-barrier photodiode GaAs structure
за авторством: O. A. Abdulkhaev, та інші
Опубліковано: (2018) -
Investigation of the effect of potential barriers on mechanisms current transfer in meetings of two-barrier silicon structures
за авторством: O. A. Abdulkhaev, та інші
Опубліковано: (2011) -
Photoconverters with microrelief p-n-junction on a basis of p AlxGa₁₋x-p GaAs-n GaAs-n⁺ GaAs heterojunction
за авторством: Karimov, A.V., та інші
Опубліковано: (2005) -
Research of structures with corrugated photoreceiving surface
за авторством: Karimov, A.V., та інші
Опубліковано: (2004) -
Three-barrier photodiodes based on gallium arsenide compounds for optical communication systems
за авторством: D. M. Jodgorova, та інші
Опубліковано: (2009)