Зображення обкладинки

Estimation of frequency characteristics of photodiode determined by motion of charge carriers in the space-charge region

Frequency characteristics of photodiode determined by motion of charge carriers in the space-charge region was estimated. It was shown that the current in the external circuit depends on two functions (their specific kind) of coordinates of the electric field and generation density of photodetector...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Дата:	2006
Автори:	Danilyuk, A.I., Dobrovolskiy, Yu.G.
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2006
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/121625
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Estimation of frequency characteristics of photodiode determined by motion of charge carriers in the space-charge region / A.I. Danilyuk, Yu.G. Dobrovolskiy // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2006. — Т. 9, № 3. — С. 40-43. — Бібліогр.: 7 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Features of the motion of charged particles in the field of the high-frequency impulse of large intensity
за авторством: Buts, V.A., та інші
Опубліковано: (2005)

Magnetoresistance based determination of basic parameters of minority charge carriers in solid matter
за авторством: Uhryn, Y.O., та інші
Опубліковано: (2017)

Photogeneration of charge carriers in photosensitive organic semiconductors
за авторством: Barabash, Yu.M., та інші
Опубліковано: (1999)

Parameters of charge carrier traps in ZnSe
за авторством: Ya. Dehoda, та інші
Опубліковано: (2019)

Parameters of charge carrier traps in ZnSe
за авторством: Ya. Degoda, та інші
Опубліковано: (2019)

Combined detectors of charged particles based on zinc selenide scintillators and silicon photodiodes
за авторством: Ryzhikov, V.D., та інші
Опубліковано: (2001)

On the possibility to estimate the mobility edge position for charge carriers using single-particle averages
за авторством: Ju. V. Skripnik, та інші
Опубліковано: (2018)

Avalanche multiplication of charge carriers in nanostructured porous silicon
за авторством: Timokhov, D.F., та інші
Опубліковано: (2003)

Charge carrier generation in photosensitive amorphous molecular semiconductors
за авторством: Zabolotny, M.A.
Опубліковано: (2003)

Charge carrier mobility in the configuration restructuring divacancies in silicon
за авторством: A. P. Dolgolenko
Опубліковано: (2014)

Surface scattering of charge carriers and surface electronic states
за авторством: S. V. Solohub, та інші
Опубліковано: (2015)

Surface scattering of charge carriers and surface electronic states
за авторством: S. V. Sologub, та інші
Опубліковано: (2015)

Characteristics of the dependences of mobility and concentration of charge carriers in monocrystals CdSb(In) after γ-irradiation
за авторством: Fedosov, A.V., та інші
Опубліковано: (2007)

Present status of the positive space charge lense for focusing intense negative charged particle beams
за авторством: Goncharov, A.A., та інші
Опубліковано: (2012)

Photogeneration of charge carriers in thin films of PEPC–S60 nanocomposites
за авторством: M. A. Zabolotnyi, та інші
Опубліковано: (2012)

Peculiarities of charge carriers transport in submicron Si-Ge whiskers
за авторством: Druzhinin, A.A., та інші
Опубліковано: (2014)

Charge carrier scattering mechanisms in thermoelectric PbTe:Sb
за авторством: D. M. Freik, та інші
Опубліковано: (2014)

Charge carrier scattering mechanisms in thermoelectric PbTe:Sb
за авторством: D. M. Freik, та інші
Опубліковано: (2014)

Exciton-enhanced recombination in silicon at high concentrations of charge carriers
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2000)

On Holomorphic Solutions of the Darwin Equations of Motion of Point Charges
за авторством: V. I. Skrypnyk
Опубліковано: (2013)

On Holomorphic Solutions of the Darwin Equations of Motion of Point Charges
за авторством: Skrypnik, W. I., та інші
Опубліковано: (2013)

On the holomorphic solutions of Hamiltonian equations of motion of point charges
за авторством: Skrypnik, W. I., та інші
Опубліковано: (2011)

The development of the positive space charge plasma lens for manipulating high current beams of negatively charged particles
за авторством: Dobrovolskiy, A.N., та інші
Опубліковано: (2011)

Recombination of charge carriers in heterostructures with Ge nanoislands grown on Si(100)
за авторством: Kondratenko, S.V.
Опубліковано: (2015)

Thermoelectric heating and cooling in semiconductor structures: nonequilibrium charge carriers. (Review)
за авторством: Yu. Titov, та інші
Опубліковано: (2014)

Accumulation of spin-polarized states of charge carriers and a spintronic battery
за авторством: L. A. Pastur, та інші
Опубліковано: (2020)

Recombination of charge carriers in heterostructures with Ge nanoislands grown on Si(100)
за авторством: S. V. Kondratenko
Опубліковано: (2015)

Stochastic differential equations of charged particle motion in toroidal plasmas
за авторством: Gurin, A.A., та інші
Опубліковано: (2017)

Simulation of the Charge Carriers Distribution in the Active Region of the p-i-n-diodes by the Perturbation Theory Methods
за авторством: Ya. Bomba, та інші
Опубліковано: (2021)

Polarization dependences of terahertz radiation emitted by hot charge carriers in p-Te
за авторством: P. M. Tomchuk, та інші
Опубліковано: (2013)

Polarization dependences of terahertz radiation emitted by hot charge carriers in p-Te
за авторством: P. M. Tomchuk, та інші
Опубліковано: (2013)

Distribution of photocarriers in macroporous silicon in case of the spatially inhomogeneous generation of charge carriers
за авторством: V. F. Onyshchenko
Опубліковано: (2016)

Microstructure of intergranular boundaries in polycrystalline silicon and its effect on the transport of charge carriers
за авторством: B. M. Abdurakhmanov, та інші
Опубліковано: (2010)

Space charge lens for focusing negative ion beams
за авторством: Goretsky, V.P., та інші
Опубліковано: (2000)

Group analysis of motion equation of charged particle placed in crossed fields
за авторством: Yeliseyev, Yu.N.
Опубліковано: (2019)

Properties of charged particle motion equations in crossed fields and Larmor’s theorem
за авторством: Yeliseyev, Yu.N.
Опубліковано: (2018)

Effects of the real-space transfer of charge carriers in the n-AlGaAs/GaAs heterostructures with the delta-layers of impurity in the barriers
за авторством: V. V. Vainberg, та інші
Опубліковано: (2014)

Effects of the real-space transfer of charge carriers in the n-AlGaAs/GaAs heterostructures with the delta-layers of impurity in the barriers
за авторством: V. V. Vainberg, та інші
Опубліковано: (2014)

Recombination of non-equilibrium charge carriers injected into Ge through intermediate defective layer
за авторством: Nadtochiy, V., та інші
Опубліковано: (2005)

Changes in lifetime of charge carriers and in Ge defective subsurface layer conductivity at thermal treatment
за авторством: Надточий, В.А., та інші
Опубліковано: (2004)