Magnetic field impact on electrical properties of ZnSe-GaAs solid solutions
The influence of constant magnetic field on thermostimutated current, photoconductivity, and magnetic susceptibility of ZnSe-GaAs solid solutions were studied. It was shown that exposition in constant magnetic field results in the concentration decrease of electrically active deep traps. It leads to...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2006 |
| Автори: | Brodovoy, А.V., Veremenko, A.M., Skryshevsky, V.A., Vlasyuk, А.V. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2006
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/121629 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Magnetic field impact on electrical properties of ZnSe-GaAs solid solutions / А.V. Brodovoy, A.M. Veremenko, V.A. Skryshevsky, А.V. Vlasyuk // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2006. — Т. 9, № 4. — С. 26-30. — Бібліогр.: 8 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Defects and radiation-enhanced defect reactions in ZnSe/(001)GaAs MBE layers
за авторством: Semenova, G.N., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Semenova, G.N., та інші
Опубліковано: (2002)
Physical properties of ZnSe-MgSe, ZnSe-CdS solid solutions and possibilities of their application in IR engineering
за авторством: Zagoruiko, Yu.A., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Zagoruiko, Yu.A., та інші
Опубліковано: (2000)
Defect formation on diffusive layers of ZnSe:Sn and ZnSe:Mg
за авторством: Gryvul, V.I., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Gryvul, V.I., та інші
Опубліковано: (2007)
Mechanisms of radiative and nonradiative recombination in ZnSe:Cr and ZnSe:Fe
за авторством: Godlewski, M., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Godlewski, M., та інші
Опубліковано: (2004)
Dipole-center in ZnSe crystals
за авторством: Ya. Dehoda, та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: Ya. Dehoda, та інші
Опубліковано: (2022)
Dipole-center in ZnSe crystals
за авторством: Ya. Degoda, та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: Ya. Degoda, та інші
Опубліковано: (2022)
IR luminescence of ZnSe-based scintillators
за авторством: Vakulenko, O.V., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Vakulenko, O.V., та інші
Опубліковано: (2004)
Luminescence of Dipole-centers in ZnSe crystals
за авторством: Alizadeh, M., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Alizadeh, M., та інші
Опубліковано: (2017)
Высокотемпературная люминесценция кристаллов ZnSe:Yb
за авторством: Makhniy, V. P., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Makhniy, V. P., та інші
Опубліковано: (2016)
Luminescence of crystals ZnSe 〈Al〉:Gd
за авторством: Makhniy, V.P., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Makhniy, V.P., та інші
Опубліковано: (2018)
Obtaining of ZnSe nanocrystals from ZnSe bulk crystals by mechanical milling and chemical vapor deposition in silica matrices
за авторством: Voloshina, L.I., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Voloshina, L.I., та інші
Опубліковано: (2017)
Parameters of charge carrier traps in ZnSe
за авторством: Ya. Dehoda, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Ya. Dehoda, та інші
Опубліковано: (2019)
Parameters of charge carrier traps in ZnSe
за авторством: Ya. Degoda, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Ya. Degoda, та інші
Опубліковано: (2019)
Высокотемпературная люминесценция кристаллов ZnSe:Yb
за авторством: Махний, В.П., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Махний, В.П., та інші
Опубліковано: (2016)
Photoluminescence of ZnSe nanocrystals at high excitation level
за авторством: Tishchenko, V.V., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Tishchenko, V.V., та інші
Опубліковано: (2009)
Surface ZnSe:Ca layers with hole conductivity
за авторством: V. P. Makhniy, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: V. P. Makhniy, та інші
Опубліковано: (2019)
Surface ZnSe:Ca layers with hole conductivity
за авторством: Makhniy, V.P., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Makhniy, V.P., та інші
Опубліковано: (2019)
High temperature luminescence of ZnSe:Yb crystals
за авторством: V. P. Makhnij, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: V. P. Makhnij, та інші
Опубліковано: (2016)
Characterization of ZnSe nanocrystals grown by vapor phase epitaxy
за авторством: Tishchenko, V.V., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Tishchenko, V.V., та інші
Опубліковано: (2006)
Поверхневі шари ZnSe:Ca з дірковою провідністю
за авторством: Makhniy, V., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Makhniy, V., та інші
Опубліковано: (2019)
On the optimum geometric shapes of ZnSe-based scintillation elements
за авторством: Katrunov, K., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Katrunov, K., та інші
Опубліковано: (2004)
Optical absorption and photoconductivity of ZnSe:Co single crystals
за авторством: Vaksman, Yu.F., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Vaksman, Yu.F., та інші
Опубліковано: (2007)
ZnSe:Cr²⁺ laser crystals grown by Bridgman method
за авторством: Komar, V.K., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Komar, V.K., та інші
Опубліковано: (2009)
Interaction of hydrogen with lattice defects in ZnSe(X) crystals
за авторством: Gal'chinetskii, L.P., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Gal'chinetskii, L.P., та інші
Опубліковано: (2011)
Tem investigation of CuInSe₂-ZnSe heterostructures for thin film solar cells
за авторством: Grigorov, S.N., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Grigorov, S.N., та інші
Опубліковано: (2008)
Ультразвуковые исследования фазового перехода в ZnSe:Ni
за авторством: Гудков, В.В., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Гудков, В.В., та інші
Опубліковано: (2004)
Emission characteristics of donor-acceptor pairs in ZnSe and CdS crystals
за авторством: Oleshko, V.I., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Oleshko, V.I., та інші
Опубліковано: (2011)
Anomalous conductivity in ZnSe single crystals by X-ray irradiation
за авторством: Ya. Degoda, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Ya. Degoda, та інші
Опубліковано: (2012)
Anomalous conductivity in ZnSe single crystals by X-ray irradiation
за авторством: Ya. Dehoda, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Ya. Dehoda, та інші
Опубліковано: (2012)
Influence of ytterbium impurity on luminescent properties of ZnSe/Al/ crystals
за авторством: V. P. Makhniy, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: V. P. Makhniy, та інші
Опубліковано: (2016)
Interaction of nuclear radiations with scintillation crystals ZnSe(O, Te)
за авторством: Gal’chinetskii, L.P., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Gal’chinetskii, L.P., та інші
Опубліковано: (2006)
Optimization of conditions for treatment of ZnSe crystal surfaces by chemical etching
за авторством: V. M. Tomashyk, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: V. M. Tomashyk, та інші
Опубліковано: (2013)
Deep-level defects in CdSe/ZnSe QDs and giant anti-Stokes photoluminescence
за авторством: Valakh, M.Ya., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Valakh, M.Ya., та інші
Опубліковано: (2002)
Optimization of conditions for treatment of ZnSe crystal surfaces by chemical etching
за авторством: Tomashyk, V.M., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Tomashyk, V.M., та інші
Опубліковано: (2013)
Structural and optical characteristics of ZnSe and CdSe films condensed on non-oriented substrates
за авторством: M. M. Ivashchenko, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: M. M. Ivashchenko, та інші
Опубліковано: (2011)
Structural and optical characteristics of ZnSe and CdSe films condensed on non-oriented substrates
за авторством: Ivashchenko, M.M., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Ivashchenko, M.M., та інші
Опубліковано: (2011)
Effect of thermal annealing on the luminescent characteristics of CdSe/ZnSe quantum dot heterostructure
за авторством: L. V. Borkovska, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: L. V. Borkovska, та інші
Опубліковано: (2010)
Integrated detectors of ionizing radiation based on ZnSe(Te)/pZnTe-nCdSe structures
за авторством: Starzhinskiy, N.G., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Starzhinskiy, N.G., та інші
Опубліковано: (2008)
Optical properties of GaAs/AlxGa1-xAs/GaAs quantum dot with off-central impurity driven by electric field
за авторством: Holovatsky, V.A., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Holovatsky, V.A., та інші
Опубліковано: (2018)
Effect of thermal annealing on the luminescent characteristics of CdSe/ZnSe quantum dot heterostructure
за авторством: Borkovska, L.V., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Borkovska, L.V., та інші
Опубліковано: (2010)
Схожі ресурси
-
Defects and radiation-enhanced defect reactions in ZnSe/(001)GaAs MBE layers
за авторством: Semenova, G.N., та інші
Опубліковано: (2002) -
Physical properties of ZnSe-MgSe, ZnSe-CdS solid solutions and possibilities of their application in IR engineering
за авторством: Zagoruiko, Yu.A., та інші
Опубліковано: (2000) -
Defect formation on diffusive layers of ZnSe:Sn and ZnSe:Mg
за авторством: Gryvul, V.I., та інші
Опубліковано: (2007) -
Mechanisms of radiative and nonradiative recombination in ZnSe:Cr and ZnSe:Fe
за авторством: Godlewski, M., та інші
Опубліковано: (2004) -
Dipole-center in ZnSe crystals
за авторством: Ya. Dehoda, та інші
Опубліковано: (2022)