Зображення обкладинки

A silicon carbide thermistor

We consider a silicon carbide thermistor with multilayer Au–TiBx–Ni2Si ohmic contacts intended for operation in the 77 to 450 K temperature range.

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Дата:	2006
Автори:	Boltovets, N.S., Kholevchuk, V.V., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Lytvyn, P.M., Milenin, V.V., Mitin, V.F., Mitin, E.V.
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2006
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/121636
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	A silicon carbide thermistor / N.S. Boltovets, V.V. Kholevchuk, R.V. Konakova, Ya.Ya. Kudryk, P.M. Lytvyn, V.V. Milenin, V.F. Mitin, E.V. Mitin // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2006. — Т. 9, № 4. — С. 67-70. — Бібліогр.: 5 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Ohmic contacts to Hall sensors based on n-InSb-GaAs(i) heterostructures
за авторством: Boltovets, N.S., та інші
Опубліковано: (2006)

Peculiarities of the study of Au-Ti-Pd-n⁺-n-n⁺-Si multilayer contact structure to avalanche transit-time diodes
за авторством: Romanets, P.M., та інші
Опубліковано: (2019)

The growth of weakly coupled graphene sheets from silicon carbide powder
за авторством: Kiselov, V.S., та інші
Опубліковано: (2014)

Resistance thermometers based on the germanium films
за авторством: Mitin, V.F.
Опубліковано: (1999)

Heat-resistant barrier and ohmic contacts based on TiBx and ZrBx interstitial phases to microwave diode structures
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2008)

Some aspects of thermal resistance measurement technique for IMPATT and light-emitting diodes
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2011)

Temperature dependence of contact resistance of Au−Ti−Pd2Si−n⁺ -Si ohmic contacts
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2010)

Contacts for silicon IMPATT and pick-off diodes
за авторством: Boltovets, N.S., та інші
Опубліковано: (2000)

SiC Schottky-barrier diodes formed with TiBx and ZrBx amorphous layers
за авторством: Boltovets, N.S., та інші
Опубліковано: (2004)

A Dual Mesh Method for a Non-Local Thermistor Problem
за авторством: Abderrahmane El Hachimi, та інші
Опубліковано: (2006)

Formation of ohmic contacts to n(p)-gan and measurement of their contact resistivity
за авторством: Boltovets, M.S., та інші
Опубліковано: (2010)

Microwave diodes with contact metallization systems based on silicides, nitrides and borides of refractory metals
за авторством: Boltovets, N.S., та інші
Опубліковано: (2000)

Influence of microwave radiation on relaxation processes in silicon carbide
за авторством: Bacherikov, Yu.Yu., та інші
Опубліковано: (2020)

Influence of boron doping on the photosensitivity of cubic silicon carbide
за авторством: Rodionov, V.N., та інші
Опубліковано: (2019)

Influence of boron doping on the photosensitivity of cubic silicon carbide
за авторством: V. N. Rodionov, та інші
Опубліковано: (2019)

New technological possibilities to prepare InP epitaxial layers, as well as ohmic and barrier contacts to them, and the properties of microwave diodes made on their basis
за авторством: Arsentyev, I.N., та інші
Опубліковано: (2005)

Silicon carbide LED
за авторством: Vlaskina, S.I.
Опубліковано: (2002)

Effect of sintering temperature and applied pressure on the properties of boron carbide- silicon carbide composites
за авторством: Ya. Z. Aygьzer, та інші
Опубліковано: (2021)

The features of structural-impurity ordering of interfaces in Ta₂O₅-p-Si heterostructures (exposed to microwave pretreatment and aging) induced by further microwave treatment
за авторством: Kolyadina, E.Yu., та інші
Опубліковано: (2008)

On melting of silicon carbide under pressure
за авторством: P. S. Sokolov, та інші
Опубліковано: (2012)

Estimation of field-emission properties of nanostructures based on silicon carbide and graphene
за авторством: O. B. Okhrimenko, та інші
Опубліковано: (2012)

Theoretical and experimental modelling the specific resistance of vertical ohmic contacts Au–Ti–Pd–n⁺-n-n⁺-Si in IMPATT diodes
за авторством: Romanets, P.M., та інші
Опубліковано: (2016)

Nanograin boundaries and silicon carbide photoluminescence
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2017)

Nanograin boundaries and silicon carbide photoluminescence
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2017)

Features of the structure formation of secondary silicon carbide synthesized under conditions of the interaction of nano-sized nonstoichiometric silicon carbide with iron oxide
за авторством: Ya. H. Tymoshenko, та інші
Опубліковано: (2017)

Technique and setup for diagnostics of p-n junction to case thermal resistance in high-power gallium nitride LEDs
за авторством: Sorokin, V.M., та інші
Опубліковано: (2012)

On the current flow mechanism in the Au-TiBx-n-GaN-i-Al₂O₃ Schottky barrier diodes
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2007)

Light scattering in silicon carbide nanocrystalline films
за авторством: Lopin, A.V.
Опубліковано: (2008)

Production and properties of hot-pressed materials based on silicon carbide with additions of boron and titanium carbides
за авторством: V. V. Ivzhenko, та інші
Опубліковано: (2016)

Manufacturing technology for contacts to silicon carbide
за авторством: Ja. Ja. Kudrik, та інші
Опубліковано: (2013)

Application of BKW Algorithm for Recovering Systematic Linear Block Codes from Samples of Noisy Codewords
за авторством: S. V. Mitin
Опубліковано: (2019)

Amount of key information contained in open and encrypted text sets of the symmetric randomized mceliece cryptosystem
за авторством: S. V. Mitin
Опубліковано: (2020)

Nanocrystalline silicon carbide films for solar cells
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2016)

Nanocrystalline silicon carbide films for solar cells
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2016)

Development of high-stable contact systems to gallium nitride microwave diodes
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2007)

The features of temperature dependence of contact resistivity of Au-Ti-Pd₂Si-p⁺ ₋Si ohmic contacts
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2010)

Method for data processing in application to ohmic contacts
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2019)

Research of the influence of siliconizing on the structure and properties of hot-pressed polycrystalline silicon carbide
за авторством: V. V. Ivzhenko, та інші
Опубліковано: (2018)

Research of the influence of silicon impregnation on the structure and properties of hot-pressed silicon carbide
за авторством: V. V. Ivzhenko, та інші
Опубліковано: (2017)

A universal automated complex for control and diagnostics of semiconductor devices and structures
за авторством: Konakova, R.V., та інші
Опубліковано: (2002)