Polarizability of D+X complex in bulk semiconductors
The electric polarizability α of ionized-donor-bound exciton D+X in bulk semiconductor is calculated for all values of the effective electron-to-hole mass ratio σ included in the range of stability (σ<σχ). The calculation is performed within the variational method by using 56-term wave funct...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2006 |
| Автори: | Katih, M., Diouri, J., El Haddad, A. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2006
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/121639 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Polarizability of D+X complex in bulk semiconductors / M. Katih, J. Diouri, A. El Haddad // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2006. — Т. 9, № 4. — С. 7-11. — Бібліогр.: 16 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Investigation of electron-phonon interaction in bulk and nanostructured semiconductors
за авторством: Yaremko, A.M., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Yaremko, A.M., та інші
Опубліковано: (2007)
Parametrized Equations for Excitons in Quantum Wires
за авторством: El Haddad, A., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: El Haddad, A., та інші
Опубліковано: (2005)
Band gap change of bulk ZnSxSe1 – x semiconductors by controlling the sulfur content
за авторством: O. G. Trubaieva, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: O. G. Trubaieva, та інші
Опубліковано: (2018)
Band gap change of bulk ZnSxSe1 – x semiconductors by controlling the sulfur content
за авторством: O. G. Trubaieva, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: O. G. Trubaieva, та інші
Опубліковано: (2018)
Polarizability of two-layer metal-oxide nanowires
за авторством: A. V. Korotun, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: A. V. Korotun, та інші
Опубліковано: (2021)
Polarizability of two-layer metal-oxide nanowires
за авторством: A. V. Korotun, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: A. V. Korotun, та інші
Опубліковано: (2021)
Prosperity and difficulty of bulk crystal growth of semiconductor compound (a review)
за авторством: Rudolph, P.
Опубліковано: (2007)
за авторством: Rudolph, P.
Опубліковано: (2007)
Analysis of the electronic polarizability of ions in weak ferromagnetic FeBO₃ crystals
за авторством: Strugatskii, M.B., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Strugatskii, M.B., та інші
Опубліковано: (2006)
Influence of the Adsorptive Layer of Metal Particles on Their Polarizability and Light Scattering
за авторством: Yu. Hryshchuk, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Yu. Hryshchuk, та інші
Опубліковано: (2014)
Polarizability of a hemispherical metal nanoparticle located on a dielectric substrate
за авторством: A. V. Korotun
Опубліковано: (2022)
за авторством: A. V. Korotun
Опубліковано: (2022)
Polarizability of a hemispherical metal nanoparticle located on a dielectric substrate
за авторством: A. V. Korotun
Опубліковано: (2022)
за авторством: A. V. Korotun
Опубліковано: (2022)
Van der Waals interaction between surface and particle with giant polarizability
за авторством: K. A. Makhnovets
Опубліковано: (2016)
за авторством: K. A. Makhnovets
Опубліковано: (2016)
Van der Waals interaction between surface and particle with giant polarizability
за авторством: Makhnovets, K.A.
Опубліковано: (2016)
за авторством: Makhnovets, K.A.
Опубліковано: (2016)
Experimental studies of the recombination processes in II-VI semiconductors (bulk crystals and epilayers) at variable excitation levels
за авторством: Brodyn, M.S., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Brodyn, M.S., та інші
Опубліковано: (1999)
Dimerization degree of water molecules, their effective polarizability, and heat capacity of saturated water vapor
за авторством: M. P. Malomuzh, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: M. P. Malomuzh, та інші
Опубліковано: (2018)
Dimerization degree of water molecules, their effective polarizability, and heat capacity of saturated water vapor
за авторством: M. P. Malomuzh, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: M. P. Malomuzh, та інші
Опубліковано: (2018)
Solvation of atomic fluorine in bulk superfluid ⁴He
за авторством: Eloranta, J.
Опубліковано: (2011)
за авторством: Eloranta, J.
Опубліковано: (2011)
The equations of local gradient electromagnetothermomechanics of polarizable nonferromagnetic solids with regard for electric quadrupole moments
за авторством: V. F. Kondrat, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: V. F. Kondrat, та інші
Опубліковано: (2016)
Dielectric constant of the polarizable dipolar hard sphere fluid studied by Monte Carlo simulation and theories
за авторством: Valisko, M., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Valisko, M., та інші
Опубліковано: (2005)
Diluted magnetic А₁₋xMnxВ semiconductors
за авторством: Bryksa, V.P., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Bryksa, V.P., та інші
Опубліковано: (2004)
Comparison of blistering of W bulk and coatings under H₂, D₂ and He plasma irradiation
за авторством: Nikitin, A.V., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Nikitin, A.V., та інші
Опубліковано: (2018)
Solvation of atomic fluorine in bulk superfluid 4He
за авторством: J. Eloranta
Опубліковано: (2011)
за авторством: J. Eloranta
Опубліковано: (2011)
Hall mobility of charge carriers in films of (PbX)₁₋x (Sm₂X₃)x semiconductors formed on porous silicon
за авторством: Hasanov, H.A., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Hasanov, H.A., та інші
Опубліковано: (2008)
Ferromagnetism induced in diluted A₁₋xMnxB semiconductors
за авторством: Bryksa, V.P., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Bryksa, V.P., та інші
Опубліковано: (2004)
Calculations of the dipole electronic polarizability of ions in LiNbO₃ at temperature range (273 + 873)K
за авторством: Shostak, R.I., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Shostak, R.I., та інші
Опубліковано: (2004)
Simulation of bulk phases formed by polyphilic liquid crystal dendrimers
за авторством: Ilnytskyi, J.M., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Ilnytskyi, J.M., та інші
Опубліковано: (2010)
Bulk Universality for Unitary Matrix Models
за авторством: Poplavskyi, M.
Опубліковано: (2009)
за авторством: Poplavskyi, M.
Опубліковано: (2009)
Synthesis and properties of semiconductor solid solutions (inSb)₁₋x(CdTe)x
за авторством: Venger, E.F., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Venger, E.F., та інші
Опубліковано: (2006)
Unusual substitutional properties of Cu in bulk polycrystalline samples of La₀.₇Ca₀.₃Mn₁₋xCuxO₃₋δ
за авторством: Tovstolytkin, A.I., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Tovstolytkin, A.I., та інші
Опубліковано: (2001)
Band structure of [100] surface of Cd₁₋x Mn x Te diluted magnetic semiconductor
за авторством: Melnichuk, S.V., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Melnichuk, S.V., та інші
Опубліковано: (2000)
Prospects of dry bulk shipping market
за авторством: V. G. Tostogan
Опубліковано: (2009)
за авторством: V. G. Tostogan
Опубліковано: (2009)
The construction of relativistically invariant equations of motion and the momentum energy tensor for spin-1/2 particles with polarizabilities in an electromagnetic field
за авторством: S. A. Lukashevich, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: S. A. Lukashevich, та інші
Опубліковано: (2019)
The construction of relativistically invariant equations of motion and the momentum energy tensor for spin-1/2 particles with polarizabilities in an electromagnetic field
за авторством: S. A. Lukashevich, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: S. A. Lukashevich, та інші
Опубліковано: (2019)
Reverse engineering of the bulk carbon filter shells
за авторством: Ju. Kukhar
Опубліковано: (2016)
за авторством: Ju. Kukhar
Опубліковано: (2016)
From the bulk electrolyte solution to the electrochemical interface
за авторством: Cachet, H.
Опубліковано: (2017)
за авторством: Cachet, H.
Опубліковано: (2017)
Distribution of the bulk material in the sieve with horizontal rotation axis
за авторством: A. S. Kobets, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: A. S. Kobets, та інші
Опубліковано: (2019)
Properties of the shallow D-centers in semiconductors with polar and covalent binding
за авторством: Kashirina, N.I., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Kashirina, N.I., та інші
Опубліковано: (2003)
A universal automated complex for control and diagnostics of semiconductor devices and structures
за авторством: Konakova, R.V., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Konakova, R.V., та інші
Опубліковано: (2002)
Recovery kinetics and ordering in irradiated bulk metallic glasses
за авторством: Petrusenko, Y., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Petrusenko, Y., та інші
Опубліковано: (2008)
Symmetry peculiarities of the intracrystalline fields layered semiconductor crystals (PbI₂)₍₁₋ₓ₎(BiI₃)ₓ
за авторством: Barabash, O.I., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Barabash, O.I., та інші
Опубліковано: (2012)
Схожі ресурси
-
Investigation of electron-phonon interaction in bulk and nanostructured semiconductors
за авторством: Yaremko, A.M., та інші
Опубліковано: (2007) -
Parametrized Equations for Excitons in Quantum Wires
за авторством: El Haddad, A., та інші
Опубліковано: (2005) -
Band gap change of bulk ZnSxSe1 – x semiconductors by controlling the sulfur content
за авторством: O. G. Trubaieva, та інші
Опубліковано: (2018) -
Band gap change of bulk ZnSxSe1 – x semiconductors by controlling the sulfur content
за авторством: O. G. Trubaieva, та інші
Опубліковано: (2018) -
Polarizability of two-layer metal-oxide nanowires
за авторством: A. V. Korotun, та інші
Опубліковано: (2021)