Electric properties of TlInS₂ single crystals
Injection currents are studied in high-resistive layer of TlInS2 single crystals and the following parameters were determined: equilibrium concentration of charge carriers in the allowed band p0 = 1.67⋅10¹⁰ cm⁻³; concentration of traps Nt = 10¹²cm⁻³; capture factor θ = 0.17; mobility of charge carri...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2006 |
| Автори: | Mustafaeva, S.N., Ismailov, A.A., Akhmedzade, N.D. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2006
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/121640 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Electric properties of TlInS₂ single crystals / S.N. Mustafaeva, A.A. Ismailov, N.D. Akhmedzade // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2006. — Т. 9, № 4. — С. 82-84. — Бібліогр.: 4 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
The TlInS2–ZnS system and the properties of the TlInS2:Zn2+ crystal
за авторством: L. Piskach, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: L. Piskach, та інші
Опубліковано: (2018)
Impact of γ-irradiation on dielectric and electric properties of TlInS₂ crystals
за авторством: Sardarly, R.M., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Sardarly, R.M., та інші
Опубліковано: (2019)
Frequency-dependent dielectric coefficients of TlInS₂ amorphous films
за авторством: Mustafaeva, S.N., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Mustafaeva, S.N., та інші
Опубліковано: (2007)
Photoelectrical properties of defects in La-doped TlInS2 layered crystal
за авторством: M. Seyidov, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: M. Seyidov, та інші
Опубліковано: (2014)
First-Principles Calculation of Electronic Structure and Effective Mass of a TlInS₂ Crystal
за авторством: Ismayilova, N.A., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Ismayilova, N.A., та інші
Опубліковано: (2016)
Тепловое расширение слоистых монокристаллов TlGaSe₂ и TlInS₂
за авторством: Абдуллаев, Н.А., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Абдуллаев, Н.А., та інші
Опубліковано: (2001)
Dielectric properties of TlIn(S₁-xSex)₂ polycrystals near phase transitions
за авторством: Rosul, R.R., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Rosul, R.R., та інші
Опубліковано: (2012)
Низкотемпературные особенности упругих модулей слоистого кристалла TlInS₂
за авторством: Гаджиев, Б.Р., та інші
Опубліковано: (1995)
за авторством: Гаджиев, Б.Р., та інші
Опубліковано: (1995)
Temperature dependence of raman-active modes of TlIn(0.95Se0.05)2 Single
за авторством: O. O. Gomonnai, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: O. O. Gomonnai, та інші
Опубліковано: (2019)
Temperature dependence of raman-active modes of TlIn(0.95Se0.05)2 Single
за авторством: O. O. Gomonnai, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: O. O. Gomonnai, та інші
Опубліковано: (2019)
Dielectric properties of TlIn(S1-xSex)2 polycrystals near phase transitions
за авторством: R. R. Rosul, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: R. R. Rosul, та інші
Опубліковано: (2012)
Теплоемкость кристаллов TlIn₁-x Cex S₂ (0 ≤ x ≤ 0,04)
за авторством: Годжаев, Э.М., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Годжаев, Э.М., та інші
Опубліковано: (2000)
Influence of the composition of (TlGaS₂)₁₋ₓ(TlInSe₂)ₓ solid solutions on their physical properties
за авторством: Mustafaeva, S.N., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Mustafaeva, S.N., та інші
Опубліковано: (2017)
Thermoelectric figure of merit of TlIn1-xYbxTe2 (0 kh 0.10)
за авторством: F. F. Aliev, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: F. F. Aliev, та інші
Опубліковано: (2016)
Photoluminescence of Tl4HgI6 single crystals
за авторством: A. I. Kashuba, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: A. I. Kashuba, та інші
Опубліковано: (2020)
Dielectric spectroscopy of CuInSe₂ single crystals
за авторством: Mustafaeva, S.N., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Mustafaeva, S.N., та інші
Опубліковано: (2016)
Influence of γ-irradiation on current-voltage characteristics of TIGaSe₂ single crystal
за авторством: Ismailov, A.A., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Ismailov, A.A., та інші
Опубліковано: (2009)
X-ray dosimetry of copper-doped CdGa₂S₄ single crystals
за авторством: Mustafaeva, S.N., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Mustafaeva, S.N., та інші
Опубліковано: (2012)
Influence of the composition of (TlGaS2)1–kh(TlInSe2)x solid solutions on their physical properties
за авторством: S. N. Mustafaeva, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: S. N. Mustafaeva, та інші
Опубліковано: (2017)
Electrical properties of fast cooled InSe single crystals
за авторством: Zaslonkin, A.V., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Zaslonkin, A.V., та інші
Опубліковано: (2008)
Luminescence properties of CsI:Tl crystals codoped with Eu
за авторством: Nagarkar, V.V., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Nagarkar, V.V., та інші
Опубліковано: (2005)
Dielectric spectroscopy of CuInSe2 single crystals
за авторством: S. N. Mustafaeva, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: S. N. Mustafaeva, та інші
Опубліковано: (2016)
Thermionic properties of lutetium borides single crystals
за авторством: Voronovich, D.A., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Voronovich, D.A., та інші
Опубліковано: (2014)
The peculiarity of electric conductance of KDP single crystals
за авторством: Levchenko, A.N., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Levchenko, A.N., та інші
Опубліковано: (2009)
The influence of high energy irradiation on electrical and dissipative properties of silicon single crystals
за авторством: Pelikhaty, N.M., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Pelikhaty, N.M., та інші
Опубліковано: (2006)
Structural transformations in Tl4HgI6 and Tl4CdI6 crystals as evidenced by dielectric properties and conductivity
за авторством: V. A. Franiv, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: V. A. Franiv, та інші
Опубліковано: (2014)
Structural transformations in Tl4HgI6 and Tl4CdI6 crystals as evidenced by dielectric properties and conductivity
за авторством: V. A. Franiv, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: V. A. Franiv, та інші
Опубліковано: (2014)
X-ray dosimetry of copper-doped CdGa2S4 single crystals
за авторством: S. N. Mustafaeva, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: S. N. Mustafaeva, та інші
Опубліковано: (2012)
Photochemical modification of the surface of NaI:Tl crystals
за авторством: K. A. Kudin, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: K. A. Kudin, та інші
Опубліковано: (2011)
Magnetic properties lithium-doped manganite single crystals
за авторством: Barilo, S.N., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Barilo, S.N., та інші
Опубліковано: (2001)
Electric and magnetic properties of titanium-cobalt-oxide single crystals produced by floating zone melting with light heating
за авторством: Balbashov, A.M., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Balbashov, A.M., та інші
Опубліковано: (2017)
A possible reason for non-proportionality of response in NaI:Tl and CsI:Tl scintillation crystals
за авторством: Kudin, A.M., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Kudin, A.M., та інші
Опубліковано: (2006)
Energy transfer in co-doped NaI:(Tl,Eu) crystals
за авторством: Gridin, S., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Gridin, S., та інші
Опубліковано: (2014)
Suppression mechanism of millisecond afterglow in CsI:Tl crystals by Eu²⁺ impurity
за авторством: Kudin, A.M., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Kudin, A.M., та інші
Опубліковано: (2009)
The nature of precipitates on the internal surfaces of NaI:Tl crystals
за авторством: K. A. Kudin, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: K. A. Kudin, та інші
Опубліковано: (2011)
Radiation destruction and internal friction in silicon single crystals
за авторством: Ryzhikov, V.D., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Ryzhikov, V.D., та інші
Опубліковано: (2004)
Study of electrical resistance single crystals of synthetic diamond
за авторством: K. Khajdarov, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: K. Khajdarov, та інші
Опубліковано: (2016)
Vacancy Formation Energy for the Charged and Neutral States of TlGaSe₂ Crystal
за авторством: Ismayilova, N.A., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Ismayilova, N.A., та інші
Опубліковано: (2017)
XPS experiment dataset for crystal Tl3PbBr5
за авторством: O.Y. Khyzhun, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: O.Y. Khyzhun, та інші
Опубліковано: (2012)
Photoelectric properties of single crystals Ag₃In₅Se₉
за авторством: Huseynov, A.H., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Huseynov, A.H., та інші
Опубліковано: (2006)
Схожі ресурси
-
The TlInS2–ZnS system and the properties of the TlInS2:Zn2+ crystal
за авторством: L. Piskach, та інші
Опубліковано: (2018) -
Impact of γ-irradiation on dielectric and electric properties of TlInS₂ crystals
за авторством: Sardarly, R.M., та інші
Опубліковано: (2019) -
Frequency-dependent dielectric coefficients of TlInS₂ amorphous films
за авторством: Mustafaeva, S.N., та інші
Опубліковано: (2007) -
Photoelectrical properties of defects in La-doped TlInS2 layered crystal
за авторством: M. Seyidov, та інші
Опубліковано: (2014) -
First-Principles Calculation of Electronic Structure and Effective Mass of a TlInS₂ Crystal
за авторством: Ismayilova, N.A., та інші
Опубліковано: (2016)