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Drift correction of the analyzed area during the study of the lateral elemental composition distribution in single semiconductor nanostructures by scanning Auger microscopy

The main difficulty in obtaining the lateral elemental composition distribution maps of the semiconductor nanostructures by Scanning Auger Microscopy is the thermal drift of the analyzed area, arising from its local heating with the electron probe and subsequent shift. The...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Datum:	2016
Hauptverfasser:	Ponomaryov, S.S., Yukhymchuk, V.O., Valakh, M.Ya.
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2016
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/121651
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Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Drift correction of the analyzed area during the study of the lateral elemental composition distribution in single semiconductor nanostructures by scanning Auger microscopy / S.S. Ponomaryov, V.O. Yukhymchuk, M.Ya. Valakh // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2016. — Т. 19, № 4. — С. 321-327. — Бібліогр.: 28 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

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