Зображення обкладинки

Drift correction of the analyzed area during the study of the lateral elemental composition distribution in single semiconductor nanostructures by scanning Auger microscopy

The main difficulty in obtaining the lateral elemental composition distribution
 maps of the semiconductor nanostructures by Scanning Auger Microscopy is the thermal
 drift of the analyzed area, arising from its local heating with the electron probe and
 subsequent shift. The...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Дата:2016
Автори: Ponomaryov, S.S., Yukhymchuk, V.O., Valakh, M.Ya.
Формат: Стаття
Мова:Англійська
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2016
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/121651
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Drift correction of the analyzed area during the study of the lateral elemental composition distribution in single semiconductor nanostructures by scanning Auger microscopy / S.S. Ponomaryov, V.O. Yukhymchuk, M.Ya. Valakh // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2016. — Т. 19, № 4. — С. 321-327. — Бібліогр.: 28 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Схожі ресурси