Зображення обкладинки

The influence of the exciton non-radiative recombination in silicon on the photoconversion efficiency. 1. Long Shockley–Read–Hall lifetimes

By comparison of the experimental dependence of bulk lifetime in silicon on the doping and excitation levels with theoretical calculations, it has been shown that a new recombination channel becomes operative when Shockley–Read–Hall lifetime is below 20 ms and the density of doping impurities or the...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Дата:	2016
Автори:	Sachenko, A.V., Kostylyov, V.P., Vlasiuk, V.M., Sokolovskyi, I.O., Evstigneev, M.A.
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2016
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/121653
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	The influence of the exciton non-radiative recombination in silicon on the photoconversion efficiency. 1. Long Shockley–Read–Hall lifetimes / A.V. Sachenko, V.P. Kostylyov, V.M. Vlasiuk, I.O. Sokolovskyi, M.A. Evstigneev // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2016. — Т. 19, № 4. — С. 334-342. — Бібліогр.: 24 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

The influence of the exciton non-radiative recombination in silicon on the photoconversion efficiency. 1. The case of a long Shockley–Read–Hall lifetime
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2016)

Influence of non-radiative exciton recombination in silicon on photoconversion efficiency. 2. Short Shockley–Read–Hall lifetimes
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2017)

Influence of non-radiative exciton recombination in silicon on photoconversion efficiency. 2. Short Shockley-Read-Hall lifetimes
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2017)

Effect of excitons on photoconversion efficiency in the p⁺-n-n⁺- and n⁺-p-p⁺-structures based on single-crystalline silicon
за авторством: Gorban, A.P., та інші
Опубліковано: (2000)

Exciton-enhanced recombination in silicon at high concentrations of charge carriers
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2000)

Features in the formation of a recombination current in the space charge region of silicon solar cells
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2016)

Influence of surface centers on the effective surface recombination rate and the parameters of silicon solar cells
за авторством: V. P. Kostylyov, та інші
Опубліковано: (2013)

Features in the formation of a recombination current in the space charge region of silicon solar cells
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2016)

Analysis of features of recombination mechanisms in silicon solar cells
за авторством: R. M. Korkishko, та інші
Опубліковано: (2014)

Exciton effects in band-edge electroluminescence of silicon barrier structures
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2004)

Analysis of features of recombination mechanisms in silicon solar cells
за авторством: Korkishko, R.M., та інші
Опубліковано: (2014)

Residual lifetime estimation for long exploited section of the main gas pipeline
за авторством: Ye. Andreikiv, та інші
Опубліковано: (2012)

Reduction of recombination losses in near-surface diffusion emitter layers of photosensitive silicon n+-p-p+ structures
за авторством: V. P. Kostylyov, та інші
Опубліковано: (2023)

Influence of surface centers on the effective surface recombination rate and the parameters of silicon solar cells
за авторством: V. P. Kostylov, та інші
Опубліковано: (2013)

Influence of nanostructured ITO films on surface recombination processes in silicon solar cells
за авторством: V. P. Kostylyov, та інші
Опубліковано: (2015)

Characteristics of confined exciton states in silicon quantum wires
за авторством: Korbutyak, D.V., та інші
Опубліковано: (2003)

Influence of nanostructured ITO films on surface recombination processes in silicon solar cells
за авторством: Kostylyov, V.P., та інші
Опубліковано: (2015)

Calculation model for assessment of fibroconcrete structures lifetime under long-term static loading
за авторством: Ye. Andreikiv, та інші
Опубліковано: (2020)

Influence of successful modification forms of journalistic investigation: a long read
за авторством: V. Stiekolshchykova
Опубліковано: (2017)

Recombination and long-term relaxation of photoconductivity in р⁺–р–р⁻ structures of CdxHg₁₋xTe
за авторством: Ismayilov, N.J., та інші
Опубліковано: (2018)

Key parameters of commercial silicon solar cells with rear metallization
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2019)

Peculiarities of the temperature dependences of silicon solar cells illuminated with light simulator
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2015)

Excitonic effects in band-edge luminescence of semiconductors at room temperatures
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2000)

Effective minority carrier lifetime in double-sided macroporous silicon
за авторством: V. F. Onyshchenko, та інші
Опубліковано: (2020)

Effective minority carrier lifetime in double-sided macroporous silicon
за авторством: Onyshchenko, V.F., та інші
Опубліковано: (2020)

Effect of pore depth on the effective minority carrier lifetime in macroporous silicon
за авторством: V. F. Onyshchenko, та інші
Опубліковано: (2019)

Lifetime of electrons in dense plasma
за авторством: O. A. Fedorovich, та інші
Опубліковано: (2017)

Lifetime of electrons in dense plasma
за авторством: O. A. Fedorovych, та інші
Опубліковано: (2017)

On the lifetime of metastable metallic hydrogen
за авторством: S. N. Burmistrov, та інші
Опубліковано: (2017)

On the lifetime of metastable metallic hydrogen
за авторством: Burmistrov, S.N., та інші
Опубліковано: (2017)

Quantum Hall interferometers
за авторством: E. V. Devjatov
Опубліковано: (2013)

Recombination characteristics of single-crystalline silicon wafers with a damaged near-surface layer
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2013)

Recombination characteristics of single-crystalline silicon wafers with a damaged near-surface layer
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2013)

Effective lifetime of minority carriers in black silicon nano-textured by cones and pyramids
за авторством: V. F. Onyshchenko, та інші
Опубліковано: (2017)

Effective lifetime of minority carriers in black silicon nano-textured by cones and pyramids
за авторством: Onyshchenko, V.F., та інші
Опубліковано: (2017)

Lateral multijunction photovoltaic cells
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2013)

Prediction of lifetime of data storage on optical disks
за авторством: Petrov, V. V., та інші
Опубліковано: (2016)

Temperature effect on the characteristics and lifetime of semiconductor detectors
за авторством: Vasiliyev, G.P., та інші
Опубліковано: (2006)

On a Hall Hypothesis
за авторством: Tyutyanov, V. N., та інші
Опубліковано: (2002)

Physical mechanisms and models of long-term transformations of radiative recombination in n-GaAs due to the magnetic field treatments
за авторством: G. V. Milenin, та інші
Опубліковано: (2016)