Критический ток, пиннинг и резистивное состояние сверхпроводящего монокристаллического ниобия с различным типом дефектной структуры

• Veröffentlicht in: Физика низких температур
• Datum: 2005
• Hauptverfasser: Соколенко, В.И., Стародубов, Я.Д.
• Format: Artikel
• Sprache: Russisch
• Veröffentlicht: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2005
• Schlagworte: Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/121667
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Критический ток, пиннинг и резистивное состояние сверхпроводящего монокристаллического ниобия с различным типом дефектной структуры / В.И. Соколенко, Я.Д. Стародубов // Физика низких температур. — 2005. — Т. 31, № 7. — С. 745-751. — Бібліогр.: 17 назв. — рос.

Изучены критический ток, пиннинг и резистивное состояние монокристаллического ниобия текстурной ориентации в различных структурных состояниях, получаемых при прокатке при 20 К на 42% и последующем сполировывании поверхностных слоев. Обнаружена более низкая токонесущая способность гетерогенных структур, характерных для деформированного образца и после его утонения до ~10%, связанная с усилением термомагнитной неустойчивости в участках фрагментированной структуры в приповерхностных слоях. Для гомогенной дефектной структуры сердцевины образца с плотностью равномерно распределенных дислокаций 1,3•10¹¹ см⁻² для резистивного состояния установлена корреляция компоненты нормального тока и плотности критического тока, что соответствует представлениям о крипе потока вследствие разброса локальных значений Jс. Вивчено критичний струм, пінінг і резистивний стан монокристалічного ніобію текстурної орієнтації в різних структурних станах, які створюються при прокатці при 20 К на 42% і наступному споліровуванні поверхневих шарів. Виявлено більш низьку токонесучу спроможність гетерогенних структур, які є характерними для деформованого зразка і після його стоншування до ~10%, що пов’язано з підсиленням термомагнітної нестійкості в місцях фрагментованої структури в приповерхневих шарах. Для гомогенної дефектної структури серцевини зразка з щільністю рівномірно розподілених дислокацій 1,3•10¹¹ см⁻² для резистивного стану встановлено кореляцію компоненти нормального струму і щільності критичного струму, що відповідає уявам про крип потоку внаслідок розкиду локальних значень Jс. Critical current pinning and resistive state of
 single crystal niobium of texture orientation are
 studied for different structural states obtained
 by rolling at 20 K by 42% and polishing the surface
 layers. It is found that the heterogeneous
 structures typical of the strained sample even after
 its thinning down to ~10% display a lower
 current-carrying capability due to an increase of
 the thermomagnetic instability within the fragmentated
 structure sections in the near-surface
 layers. For a homogeneous defect structure of
 the sample core with the density of equilibrium
 distributed dislocations of 1,3•10¹¹ cm⁻², a correlation
 between the normal current density and
 the critical current density in the resistive state
 is found, in agreement with the concepts of flux
 creep due to the scatter of local values of Jc.