Подавление тепловыми флуктуациями пика дифференциальной туннельной проводимости фазово-когерентной двухслойной системы
При низких температурах в полупроводниковых гетероструктурах с двумя близко расположенными
 электронными слоями наблюдается высокий узкий пик межслоевой дифференциальной
 туннельной проводимости. Этот пик является следствием межслоевой фазовой когерентности,
 которая устанавл...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Физика низких температур |
|---|---|
| Datum: | 2005 |
| 1. Verfasser: | |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2005
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/121710 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Подавление тепловыми флуктуациями пика дифференциальной туннельной проводимости фазово-когерентной двухслойной системы / А.И. Безуглый // Физика низких температур. — 2005. — Т. 31, № 10. — С. 1153-1157. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862544959591153664 |
|---|---|
| author | Безуглый, А.И. |
| author_facet | Безуглый, А.И. |
| citation_txt | Подавление тепловыми флуктуациями пика дифференциальной туннельной проводимости фазово-когерентной двухслойной системы / А.И. Безуглый // Физика низких температур. — 2005. — Т. 31, № 10. — С. 1153-1157. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физика низких температур |
| description | При низких температурах в полупроводниковых гетероструктурах с двумя близко расположенными
электронными слоями наблюдается высокий узкий пик межслоевой дифференциальной
туннельной проводимости. Этот пик является следствием межслоевой фазовой когерентности,
которая устанавливается в системе благодаря бозе-конденсации межслоевых экситонов,
т.е. пар из электрона и дырки, принадлежащих разным слоям. Показано, что повышение температуры
сглаживает пик туннельной проводимости в результате увеличения флуктуаций межслоевого
напряжения. Полученная зависимость высоты пика от температуры согласуется с экспериментом.
При низьких температурах у напівпровідникових гетероструктурах з двома близько розташованими
електронними шарами спостерігається високий вузький пік міжшарової диференц
ійної тунельної провідності. Цей пік є наслідком міжшарової фазової когерентності, яка
встановлюється у системі завдяки бозе-конденсації міжшарових екситонів, тобто пар з електрона
і дірки, які належать різним шарам. Показано, що підвищення температури згладжує пік
тунельної провідності у результаті збільшення флуктуацій міжшарової напруги. Отримана залежн
ість висоти піку від температури узгоджується з експериментом.
At low temperatures, the semiconductor heterostructures
comprising two adjacent electron
layers show a high narrow peak of interlayer differential
tunneling conductance. The peak is due
to the interlayer phase coherence that is set up
in the system owing to the Bose condensation of
interlayer excitons, i.e., pairs made up by an
electron and a hole belonging to different layers.
It is demonstrated here that a rise in the temperature
flattens the tunneling conductance peak as
a result of increased fluctuations of the interlayer
voltage. The calculated temperature dependence
of the peak height is in agreement with
the experiment.
|
| first_indexed | 2025-11-25T04:26:51Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-121710 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0132-6414 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-25T04:26:51Z |
| publishDate | 2005 |
| publisher | Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Безуглый, А.И. 2017-06-15T14:07:32Z 2017-06-15T14:07:32Z 2005 Подавление тепловыми флуктуациями пика дифференциальной туннельной проводимости фазово-когерентной двухслойной системы / А.И. Безуглый // Физика низких температур. — 2005. — Т. 31, № 10. — С. 1153-1157. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 73.90.+f, 73.40.Gk https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/121710 При низких температурах в полупроводниковых гетероструктурах с двумя близко расположенными
 электронными слоями наблюдается высокий узкий пик межслоевой дифференциальной
 туннельной проводимости. Этот пик является следствием межслоевой фазовой когерентности,
 которая устанавливается в системе благодаря бозе-конденсации межслоевых экситонов,
 т.е. пар из электрона и дырки, принадлежащих разным слоям. Показано, что повышение температуры
 сглаживает пик туннельной проводимости в результате увеличения флуктуаций межслоевого
 напряжения. Полученная зависимость высоты пика от температуры согласуется с экспериментом. При низьких температурах у напівпровідникових гетероструктурах з двома близько розташованими
 електронними шарами спостерігається високий вузький пік міжшарової диференц
 ійної тунельної провідності. Цей пік є наслідком міжшарової фазової когерентності, яка
 встановлюється у системі завдяки бозе-конденсації міжшарових екситонів, тобто пар з електрона
 і дірки, які належать різним шарам. Показано, що підвищення температури згладжує пік
 тунельної провідності у результаті збільшення флуктуацій міжшарової напруги. Отримана залежн
 ість висоти піку від температури узгоджується з експериментом. At low temperatures, the semiconductor heterostructures
 comprising two adjacent electron
 layers show a high narrow peak of interlayer differential
 tunneling conductance. The peak is due
 to the interlayer phase coherence that is set up
 in the system owing to the Bose condensation of
 interlayer excitons, i.e., pairs made up by an
 electron and a hole belonging to different layers.
 It is demonstrated here that a rise in the temperature
 flattens the tunneling conductance peak as
 a result of increased fluctuations of the interlayer
 voltage. The calculated temperature dependence
 of the peak height is in agreement with
 the experiment. Автор выражает благодарность С.И. Шевченко
 за полезные обсуждения. ru Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України Физика низких температур Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках Подавление тепловыми флуктуациями пика дифференциальной туннельной проводимости фазово-когерентной двухслойной системы Suppression of differential tunneling conductance peak in the phase-coherent bilayer system by thermal fluctuations Article published earlier |
| spellingShingle | Подавление тепловыми флуктуациями пика дифференциальной туннельной проводимости фазово-когерентной двухслойной системы Безуглый, А.И. Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках |
| title | Подавление тепловыми флуктуациями пика дифференциальной туннельной проводимости фазово-когерентной двухслойной системы |
| title_alt | Suppression of differential tunneling conductance peak in the phase-coherent bilayer system by thermal fluctuations |
| title_full | Подавление тепловыми флуктуациями пика дифференциальной туннельной проводимости фазово-когерентной двухслойной системы |
| title_fullStr | Подавление тепловыми флуктуациями пика дифференциальной туннельной проводимости фазово-когерентной двухслойной системы |
| title_full_unstemmed | Подавление тепловыми флуктуациями пика дифференциальной туннельной проводимости фазово-когерентной двухслойной системы |
| title_short | Подавление тепловыми флуктуациями пика дифференциальной туннельной проводимости фазово-когерентной двухслойной системы |
| title_sort | подавление тепловыми флуктуациями пика дифференциальной туннельной проводимости фазово-когерентной двухслойной системы |
| topic | Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках |
| topic_facet | Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/121710 |
| work_keys_str_mv | AT bezuglyiai podavlenieteplovymifluktuaciâmipikadifferencialʹnoitunnelʹnoiprovodimostifazovokogerentnoidvuhsloinoisistemy AT bezuglyiai suppressionofdifferentialtunnelingconductancepeakinthephasecoherentbilayersystembythermalfluctuations |