Подавление тепловыми флуктуациями пика дифференциальной туннельной проводимости фазово-когерентной двухслойной системы - Безуглый, А.И. (Физика низких температур, 2005)
При низких температурах в полупроводниковых гетероструктурах с двумя близко расположенными
электронными слоями наблюдается высокий узкий пик межслоевой дифференциальной
туннельной проводимости. Этот пик является следствием межслоевой фазовой когерентности,
которая устанавливается в системе благодаря бозе-конденсации межслоевых экситонов,
т.е. пар из электрона и дырки, принадлежащих разным слоям. Показано, что повышение температуры
сглаживает пик туннельной проводимости в результате увеличения флуктуаций межслоевого
напряжения. Полученная зависимость высоты пика от температуры согласуется с экспериментом. При низьких температурах у напівпровідникових гетероструктурах з двома близько розташованими
електронними шарами спостерігається високий вузький пік міжшарової диференц
ійної тунельної провідності. Цей пік є наслідком міжшарової фазової когерентності, яка
встановлюється у системі завдяки бозе-конденсації міжшарових екситонів, тобто пар з електрона
і дірки, які належать різним шарам. Показано, що підвищення температури згладжує пік
тунельної провідності у результаті збільшення флуктуацій міжшарової напруги. Отримана залежн
ість висоти піку від температури узгоджується з експериментом. At low temperatures, the semiconductor heterostructures
comprising two adjacent electron
layers show a high narrow peak of interlayer differential
tunneling conductance. The peak is due
to the interlayer phase coherence that is set up
in the system owing to the Bose condensation of
interlayer excitons, i.e., pairs made up by an
electron and a hole belonging to different layers.
It is demonstrated here that a rise in the temperature
flattens the tunneling conductance peak as
a result of increased fluctuations of the interlayer
voltage. The calculated temperature dependence
of the peak height is in agreement with
the experiment.