Низкочастотные фононы в микроконтактном спектре MgB₂

Низкочастотные фононы в микроконтактном спектре MgB₂

Методом микроконтактной спектроскопии исследованы вторые производные вольт-амперных характеристик гетероконтактов между пленкой MgB₂ и контрэлектродами чистых металлов (Cu, Ag, Au, Be). Микроконтактные спектры изучали в нормальном (T ≥ Tc) и сверхпроводящем (T < Tc) состоянии вдоль направлени...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Физика низких температур
Datum:2005
Hauptverfasser: Фисун, В.В., Трипутень, Л.Ю., Янсон, И.К.
Format: Artikel
Sprache:Russian
Veröffentlicht: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2005
Schlagworte:
Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/121715
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Низкочастотные фононы в микроконтактном спектре MgB₂ / В.В. Фисун, Л.Ю. Трипутень, И.К. Янсон // Физика низких температур. — 2005. — Т. 31, № 10. — С. 1104-1109. — Бібліогр.: 21 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-121715
record_format dspace
spelling Фисун, В.В.
Трипутень, Л.Ю.
Янсон, И.К.
2017-06-15T14:10:44Z
2017-06-15T14:10:44Z
2005
Низкочастотные фононы в микроконтактном спектре MgB₂ / В.В. Фисун, Л.Ю. Трипутень, И.К. Янсон // Физика низких температур. — 2005. — Т. 31, № 10. — С. 1104-1109. — Бібліогр.: 21 назв. — рос.
0132-6414
PACS: 74.70.Ad, 72.10.Di, 73.40.Jn, 74.25.Kc
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/121715
Методом микроконтактной спектроскопии исследованы вторые производные вольт-амперных характеристик гетероконтактов между пленкой MgB₂ и контрэлектродами чистых металлов (Cu, Ag, Au, Be). Микроконтактные спектры изучали в нормальном (T ≥ Tc) и сверхпроводящем (T < Tc) состоянии вдоль направления оси с. В нормальном состоянии на спектрах наблюдается особенность в интервале энергий ~ 20–30 мВ в виде широкого пика или размытого излома. Сделано предположение, что низкочастотные моды фононного спектра также ответственны за высокое значение температуры сверхпроводящего перехода в MgB₂. В сверхпроводящем состоянии спектральные особенности приобретают N-образный вид в области энергий низкочастотного пика.
Методом мікроконтактної спектроскопії досліджено другі похідні вольт-амперних характеристик гетероконтактів між плівкою MgB₂ та контрелектродами чистих металів (Cu, Ag, Au, Be). Мікроконтактні спектри вивчали у нормальному (T ≥ Tc) та надпровідному (T < Tc) стані уздовж напрямку осі с. У нормальному стані на спектрах спостерігається особливість в інтервал і енергій ~ 20–30 мВ у вигляді широкого піка або розмитого зламу. Зроблено припущення, що низькочастотні моди фононного спектру також відповідальні за високе значення температури надпровідного переходу у MgB₂. У надпровідному стані спектральні особливості здобувають N-образний вид в області енергій низькочастотного піка.
The PC spectra of heterocontacts between thin films of MgB₂ and electrodes of pure metals (Cu, Ag, Au, Be) have been investigated by point contact (PC) spectroscopy. The PC spectra were studied both in the normal (T ≥ Tc) and superconducting (T < Tc) states along the c-axis direction. In the normal state the point contact spectra display a single wide peak or a smeared kink in the energy range 20–30 meV. It is assumed that these low-frequency modes of the phonon spectra are responsible for high Tc in MgB₂. The spectral features develops a N-like appearance in the superconducting state in the low-frequency peak energy range.
Работа выполнена при поддержке Министерства образования и науки Украины, проект № Ф7/528–2001. Авторы выражают глубокую благодарность Prof. Sung-Ik Lee за предоставленные образцы.
ru
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
Физика низких температур
Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная
Низкочастотные фононы в микроконтактном спектре MgB₂
The low-frequency phonons in the point-contact spectra of MgB₂
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Низкочастотные фононы в микроконтактном спектре MgB₂
spellingShingle Низкочастотные фононы в микроконтактном спектре MgB₂
Фисун, В.В.
Трипутень, Л.Ю.
Янсон, И.К.
Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная
title_short Низкочастотные фононы в микроконтактном спектре MgB₂
title_full Низкочастотные фононы в микроконтактном спектре MgB₂
title_fullStr Низкочастотные фононы в микроконтактном спектре MgB₂
title_full_unstemmed Низкочастотные фононы в микроконтактном спектре MgB₂
title_sort низкочастотные фононы в микроконтактном спектре mgb₂
author Фисун, В.В.
Трипутень, Л.Ю.
Янсон, И.К.
author_facet Фисун, В.В.
Трипутень, Л.Ю.
Янсон, И.К.
topic Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная
topic_facet Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная
publishDate 2005
language Russian
container_title Физика низких температур
publisher Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
format Article
title_alt The low-frequency phonons in the point-contact spectra of MgB₂
description Методом микроконтактной спектроскопии исследованы вторые производные вольт-амперных характеристик гетероконтактов между пленкой MgB₂ и контрэлектродами чистых металлов (Cu, Ag, Au, Be). Микроконтактные спектры изучали в нормальном (T ≥ Tc) и сверхпроводящем (T < Tc) состоянии вдоль направления оси с. В нормальном состоянии на спектрах наблюдается особенность в интервале энергий ~ 20–30 мВ в виде широкого пика или размытого излома. Сделано предположение, что низкочастотные моды фононного спектра также ответственны за высокое значение температуры сверхпроводящего перехода в MgB₂. В сверхпроводящем состоянии спектральные особенности приобретают N-образный вид в области энергий низкочастотного пика. Методом мікроконтактної спектроскопії досліджено другі похідні вольт-амперних характеристик гетероконтактів між плівкою MgB₂ та контрелектродами чистих металів (Cu, Ag, Au, Be). Мікроконтактні спектри вивчали у нормальному (T ≥ Tc) та надпровідному (T < Tc) стані уздовж напрямку осі с. У нормальному стані на спектрах спостерігається особливість в інтервал і енергій ~ 20–30 мВ у вигляді широкого піка або розмитого зламу. Зроблено припущення, що низькочастотні моди фононного спектру також відповідальні за високе значення температури надпровідного переходу у MgB₂. У надпровідному стані спектральні особливості здобувають N-образний вид в області енергій низькочастотного піка. The PC spectra of heterocontacts between thin films of MgB₂ and electrodes of pure metals (Cu, Ag, Au, Be) have been investigated by point contact (PC) spectroscopy. The PC spectra were studied both in the normal (T ≥ Tc) and superconducting (T < Tc) states along the c-axis direction. In the normal state the point contact spectra display a single wide peak or a smeared kink in the energy range 20–30 meV. It is assumed that these low-frequency modes of the phonon spectra are responsible for high Tc in MgB₂. The spectral features develops a N-like appearance in the superconducting state in the low-frequency peak energy range.
issn 0132-6414
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/121715
citation_txt Низкочастотные фононы в микроконтактном спектре MgB₂ / В.В. Фисун, Л.Ю. Трипутень, И.К. Янсон // Физика низких температур. — 2005. — Т. 31, № 10. — С. 1104-1109. — Бібліогр.: 21 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT fisunvv nizkočastotnyefononyvmikrokontaktnomspektremgb2
AT triputenʹlû nizkočastotnyefononyvmikrokontaktnomspektremgb2
AT ânsonik nizkočastotnyefononyvmikrokontaktnomspektremgb2
AT fisunvv thelowfrequencyphononsinthepointcontactspectraofmgb2
AT triputenʹlû thelowfrequencyphononsinthepointcontactspectraofmgb2
AT ânsonik thelowfrequencyphononsinthepointcontactspectraofmgb2
first_indexed 2025-11-28T02:12:22Z
last_indexed 2025-11-28T02:12:22Z
_version_ 1850853202745884672

Ähnliche Einträge