Спин-орбитальное взаимодействие в пленках висмута малой толщины

Проанализированы магнитополевые зависимости сопротивления тонких пленок висмута толщиной 100–700 Å при низких температурах в рамках представлений о квантовых поправках к проводимости при слабой локализации электронов. Показано, что время спин-орбитального рассеяния τso существенно меньше времени...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Физика низких температур
Datum:2005
Hauptverfasser: Комник, Ю.Ф., Беркутов, И.Б., Андриевский, В.В.
Format: Artikel
Sprache:Russian
Veröffentlicht: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2005
Schlagworte:
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/121763
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Спин-орбитальное взаимодействие в пленках висмута малой толщины / Ю.Ф. Комник, И.Б. Беркутов, В.В. Андриевский // Физика низких температур. — 2005. — Т. 31, № 3-4. — С. 429-435. — Бібліогр.: 35 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-121763
record_format dspace
spelling Комник, Ю.Ф.
Беркутов, И.Б.
Андриевский, В.В.
2017-06-16T06:58:47Z
2017-06-16T06:58:47Z
2005
Спин-орбитальное взаимодействие в пленках висмута малой толщины / Ю.Ф. Комник, И.Б. Беркутов, В.В. Андриевский // Физика низких температур. — 2005. — Т. 31, № 3-4. — С. 429-435. — Бібліогр.: 35 назв. — рос.
0132-6414
PACS: 73.20.Fz, 72.15.Lh
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/121763
Проанализированы магнитополевые зависимости сопротивления тонких пленок висмута толщиной 100–700 Å при низких температурах в рамках представлений о квантовых поправках к проводимости при слабой локализации электронов. Показано, что время спин-орбитального рассеяния τso существенно меньше времени фазовой релаксации электронов τφ (случай сильного спин-орбитального взаимодействия). При этом обнаружена тенденция роста τso при увеличении толщины пленки, что свидетельствует о доминирующей роли поверхностного рассеяния электронов для спин-орбитальных процессов. По-видимому, при поверхностном рассеянии сильная спиновая релаксация связана с градиентом внутреннего кристаллического потенциала вблизи поверхности кристалла, приводящим к снятию вырождения спина и появлению спиновой щели (механизм Рашбы).
Проаналізовано магнітопольові залежності опору тонких плівок вісмуту товщиною 100–700 Å при низьких температурах у межах уявлень щодо квантових поправок до провідності при слабкої локалізації електронів. Показано, що час спін-орбітального розсіювання τso істотно менше часу фазової релаксації електронів τφ (випадок сильної спін-орбітальної взаємодії). При цьому виявлено тенденцію росту τso з підвищенням товщини плівки, що свідчить про домінуючу роль поверхневого розсіювання електронів для спін-орбітальних процесів. Мабуть, при поверхневому розсіюванні сильна спінова релаксація пов’язана з градіентом внутрішнього кристалічного потенціалу поблизу поверхні кристала, що призводить до зняття виродження спіну та появи спінової щілини (механізм Рашби).
The magnetic field dependencies of resistance of bismuth thin films 100–700 Å at low temperatures are analysed in the context of the concepts of quantum corrections to conductivity of electrons at weak electron localization. It is shown that the spin-orbit scattering time τso is essentially smaller than the electron phase relaxation one τφ (the case of strong spin-orbit interaction) and has a tendency for an increased with film thickness. This suggests that the role of surface electron scattering in the spin-orbit processes is dominant. We assume that for this scattering the strong spin relaxation is accounted for by the inner crystal potential near the crystal surface which leads to lifting the spin degeneration and a spin gape appearance (the Rashba mechanism).
Работа частично поддержана стипендией Национальной академии наук Украины для молодых ученых.
ru
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
Физика низких температур
Электpонные свойства металлов и сплавов
Спин-орбитальное взаимодействие в пленках висмута малой толщины
Spin-orbit interaction in bismuth thin films
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Спин-орбитальное взаимодействие в пленках висмута малой толщины
spellingShingle Спин-орбитальное взаимодействие в пленках висмута малой толщины
Комник, Ю.Ф.
Беркутов, И.Б.
Андриевский, В.В.
Электpонные свойства металлов и сплавов
title_short Спин-орбитальное взаимодействие в пленках висмута малой толщины
title_full Спин-орбитальное взаимодействие в пленках висмута малой толщины
title_fullStr Спин-орбитальное взаимодействие в пленках висмута малой толщины
title_full_unstemmed Спин-орбитальное взаимодействие в пленках висмута малой толщины
title_sort спин-орбитальное взаимодействие в пленках висмута малой толщины
author Комник, Ю.Ф.
Беркутов, И.Б.
Андриевский, В.В.
author_facet Комник, Ю.Ф.
Беркутов, И.Б.
Андриевский, В.В.
topic Электpонные свойства металлов и сплавов
topic_facet Электpонные свойства металлов и сплавов
publishDate 2005
language Russian
container_title Физика низких температур
publisher Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
format Article
title_alt Spin-orbit interaction in bismuth thin films
description Проанализированы магнитополевые зависимости сопротивления тонких пленок висмута толщиной 100–700 Å при низких температурах в рамках представлений о квантовых поправках к проводимости при слабой локализации электронов. Показано, что время спин-орбитального рассеяния τso существенно меньше времени фазовой релаксации электронов τφ (случай сильного спин-орбитального взаимодействия). При этом обнаружена тенденция роста τso при увеличении толщины пленки, что свидетельствует о доминирующей роли поверхностного рассеяния электронов для спин-орбитальных процессов. По-видимому, при поверхностном рассеянии сильная спиновая релаксация связана с градиентом внутреннего кристаллического потенциала вблизи поверхности кристалла, приводящим к снятию вырождения спина и появлению спиновой щели (механизм Рашбы). Проаналізовано магнітопольові залежності опору тонких плівок вісмуту товщиною 100–700 Å при низьких температурах у межах уявлень щодо квантових поправок до провідності при слабкої локалізації електронів. Показано, що час спін-орбітального розсіювання τso істотно менше часу фазової релаксації електронів τφ (випадок сильної спін-орбітальної взаємодії). При цьому виявлено тенденцію росту τso з підвищенням товщини плівки, що свідчить про домінуючу роль поверхневого розсіювання електронів для спін-орбітальних процесів. Мабуть, при поверхневому розсіюванні сильна спінова релаксація пов’язана з градіентом внутрішнього кристалічного потенціалу поблизу поверхні кристала, що призводить до зняття виродження спіну та появи спінової щілини (механізм Рашби). The magnetic field dependencies of resistance of bismuth thin films 100–700 Å at low temperatures are analysed in the context of the concepts of quantum corrections to conductivity of electrons at weak electron localization. It is shown that the spin-orbit scattering time τso is essentially smaller than the electron phase relaxation one τφ (the case of strong spin-orbit interaction) and has a tendency for an increased with film thickness. This suggests that the role of surface electron scattering in the spin-orbit processes is dominant. We assume that for this scattering the strong spin relaxation is accounted for by the inner crystal potential near the crystal surface which leads to lifting the spin degeneration and a spin gape appearance (the Rashba mechanism).
issn 0132-6414
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/121763
citation_txt Спин-орбитальное взаимодействие в пленках висмута малой толщины / Ю.Ф. Комник, И.Б. Беркутов, В.В. Андриевский // Физика низких температур. — 2005. — Т. 31, № 3-4. — С. 429-435. — Бібліогр.: 35 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT komnikûf spinorbitalʹnoevzaimodeistvievplenkahvismutamaloitolŝiny
AT berkutovib spinorbitalʹnoevzaimodeistvievplenkahvismutamaloitolŝiny
AT andrievskiivv spinorbitalʹnoevzaimodeistvievplenkahvismutamaloitolŝiny
AT komnikûf spinorbitinteractioninbismuththinfilms
AT berkutovib spinorbitinteractioninbismuththinfilms
AT andrievskiivv spinorbitinteractioninbismuththinfilms
first_indexed 2025-12-07T17:00:52Z
last_indexed 2025-12-07T17:00:52Z
_version_ 1850869654864527360