Влияние внутренних напряжений на сверхпроводимость нанокристаллических пленок ванадия

• Veröffentlicht in: Физика низких температур
• Datum: 2005
• Hauptverfasser: Кузьменко, В.М., Черняева, Т.П.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2005
• Schlagworte: Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/121768
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Влияние внутренних напряжений на сверхпроводимость нанокристаллических пленок ванадия / В.М. Кузьменко, Т.П. Черняева // Физика низких температур. — 2005. — Т. 31, № 2. — С. 148-154. — Бібліогр.: 28 назв. — рос

Исследованы нанокристаллические пленки ванадия толщиной 7–20 нм, полученные кристаллизацией аморфных конденсатов этого металла путем отогрева до температуры T < 60 К. Непосредственно после завершения кристаллизации критическая температура сверхпроводящего перехода Tc этих пленок составляет 3,1–4,3 К. В процессе отогрева пленок в сверхвысоком вакууме до комнатной температуры значения Tc уменьшаются на ≈ 0,4 К. Показано, что это понижение обусловлено, в частности, разрядкой растягивающих напряжений, возникших в пленках при кристаллизации. Досліджено нанокристалічні плівки ванадію товщиною 7–20 нм, що отримано кристалізацією аморфних конденсатів цього металу шляхом відігрівання до температури T < 60 К. Безпосередньо після завершення кристалізації критична температура надпровідного переходу Tc цих плівок складає 3,1–4,3 К. У процесі відігрівання плівок у надвисокому вакуумі до кімнатної температури значення Tc знижуються на ≈0,4 К. Показано, що це зменшення обумовлено, зокрема, розрядкою розтягаючих напруг, виниклих у плівках при кристалізації. The vanadium films 7–12 nm thick prepared by crystallizing the amorphous condensates of the metal on heating up to T < 60 K are investigated. Immediately after completion of the crystallization the superconducting transition critical temperature of the films are 3.1–4.3 K. During the heating up to room temperature in ultrahing vacuum Tc decreases by ≈ 0.4 K. The decrease is shown to be due, in particular, to relaxation of the tensile stresses occurred in the films under crystallization.