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Zn and Mn impurity effect on electron and luminescent properties of porous silicon

Investigated in this work are por-Si/n-Si structures prepared by anodizing silicon in 1 % HF water solution, which was followed by natural aging in air and doping with Zn and Mn impurities. When aging, the oxide film of nanoelements in the above structures is substituted by a silicate one. Measureme...

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Veröffentlicht in:	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Datum:	2005
ISSN:	1560-8034
Hauptverfasser:	Primachenko, V.E, Kirillova, S.I., Manoilov, E.G., Kizyak, I.M., Bulakh, B.M., Chernobai, V.A., Venger, E.F.
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2005
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/121864
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Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Zn and Mn impurity effect on electron and luminescent properties of porous silicon/ V.E. Primachenko, S.I. Kirillova, E.G. Manoilov, I.M. Kizyak, B.M. Bulakh, V.A. Chernobai, E.F. Venger // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2005. — Т. 8, № 4. — С. 5-13. — Бібліогр.: 20 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

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