Трехмерный топологический изолятор на основе напряженной пленки HgTe

Трехмерный топологический изолятор на основе напряженной пленки HgTe

Исследован электронный и дырочный транспорт в трехмерном топологическом изоляторе на основе высокоподвижной (до 4⋅10⁵ см² /В⋅с) напряженной пленки теллурида ртути толщиной 80 нм. Вследствие наличия затвора положение уровня Ферми перемещается из валентной зоны в зону проводимости, минуя объемную щель...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Физика низких температур
Date:2015
Main Authors: Козлов, Д.А., Квон, З.Д., Савченко, М.Л., Weiss, D., Михайлов, Н.Н., Дворецкий, С.А.
Format: Article
Language:Russian
Published: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2015
Subjects:
XX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/122028
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Трехмерный топологический изолятор на основе напряженной пленки HgTe / Д.А. Козлов, З.Д. Квон, М.Л. Савченко, D. Weiss, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий // Физика низких температур. — 2015. — Т. 41, № 2. — С. 109-118. — Бібліогр.: 27 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-122028
record_format dspace
spelling Козлов, Д.А.
Квон, З.Д.
Савченко, М.Л.
Weiss, D.
Михайлов, Н.Н.
Дворецкий, С.А.
2017-06-26T04:54:58Z
2017-06-26T04:54:58Z
2015
Трехмерный топологический изолятор на основе напряженной пленки HgTe / Д.А. Козлов, З.Д. Квон, М.Л. Савченко, D. Weiss, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий // Физика низких температур. — 2015. — Т. 41, № 2. — С. 109-118. — Бібліогр.: 27 назв. — рос.
0132-6414
PACS: 73.25.+i, 73.20.At, 73.43.–f
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/122028
Исследован электронный и дырочный транспорт в трехмерном топологическом изоляторе на основе высокоподвижной (до 4⋅10⁵ см² /В⋅с) напряженной пленки теллурида ртути толщиной 80 нм. Вследствие наличия затвора положение уровня Ферми перемещается из валентной зоны в зону проводимости, минуя объемную щель. Наблюдаемые особенности в классическом и квантовом транспорте позволили различить вклад в проводимость объемных дырок, объемных электронов, а также дираковских электронов на поверхностях пленки.
Досліджено електронний та дірковий транспорт у тривимірному топологічному ізоляторі на основі високорухливої (до 4⋅10⁵ см² /В⋅с) напруженої плівки телуриду ртуті завтовшки 80 нм. Внаслідок наявності затвора положення рівня Фермі переміщається із валентної зони в зону провідності, минуючи об’ємну щілину. Особливості, які спостережувались у класичному та квантовому транспорті, дозволили розрізнити вклад в провідність об’ємних дірок, об’ємних електронів, а також діраковських електронів на поверхнях плівки.
We investigated the electron and hole transport in a three-dimensional topological insulator based on a high-mobility (up to 4⋅10⁵ cm² /V⋅s) strained 80 nm thick mercury telluride film. Owing to the presence of the gate the Fermi energy is turned from the valence band through the Dirac type surface states into the conduction band. The magnetotransport measurements allowed us to disentangle the contributions from conduction band electrons and holes as well as from Dirac electrons to conductivity.
Работа выполнена при поддержке РФФИ (гранты мол_а №14-02-31631 и офи_м №13-02-12148), РАН и МОН.
ru
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
Физика низких температур
XX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников
Трехмерный топологический изолятор на основе напряженной пленки HgTe
The three-dimensional topological insulator based on a strained HgTe film
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Трехмерный топологический изолятор на основе напряженной пленки HgTe
spellingShingle Трехмерный топологический изолятор на основе напряженной пленки HgTe
Козлов, Д.А.
Квон, З.Д.
Савченко, М.Л.
Weiss, D.
Михайлов, Н.Н.
Дворецкий, С.А.
XX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников
title_short Трехмерный топологический изолятор на основе напряженной пленки HgTe
title_full Трехмерный топологический изолятор на основе напряженной пленки HgTe
title_fullStr Трехмерный топологический изолятор на основе напряженной пленки HgTe
title_full_unstemmed Трехмерный топологический изолятор на основе напряженной пленки HgTe
title_sort трехмерный топологический изолятор на основе напряженной пленки hgte
author Козлов, Д.А.
Квон, З.Д.
Савченко, М.Л.
Weiss, D.
Михайлов, Н.Н.
Дворецкий, С.А.
author_facet Козлов, Д.А.
Квон, З.Д.
Савченко, М.Л.
Weiss, D.
Михайлов, Н.Н.
Дворецкий, С.А.
topic XX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников
topic_facet XX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников
publishDate 2015
language Russian
container_title Физика низких температур
publisher Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
format Article
title_alt The three-dimensional topological insulator based on a strained HgTe film
description Исследован электронный и дырочный транспорт в трехмерном топологическом изоляторе на основе высокоподвижной (до 4⋅10⁵ см² /В⋅с) напряженной пленки теллурида ртути толщиной 80 нм. Вследствие наличия затвора положение уровня Ферми перемещается из валентной зоны в зону проводимости, минуя объемную щель. Наблюдаемые особенности в классическом и квантовом транспорте позволили различить вклад в проводимость объемных дырок, объемных электронов, а также дираковских электронов на поверхностях пленки. Досліджено електронний та дірковий транспорт у тривимірному топологічному ізоляторі на основі високорухливої (до 4⋅10⁵ см² /В⋅с) напруженої плівки телуриду ртуті завтовшки 80 нм. Внаслідок наявності затвора положення рівня Фермі переміщається із валентної зони в зону провідності, минуючи об’ємну щілину. Особливості, які спостережувались у класичному та квантовому транспорті, дозволили розрізнити вклад в провідність об’ємних дірок, об’ємних електронів, а також діраковських електронів на поверхнях плівки. We investigated the electron and hole transport in a three-dimensional topological insulator based on a high-mobility (up to 4⋅10⁵ cm² /V⋅s) strained 80 nm thick mercury telluride film. Owing to the presence of the gate the Fermi energy is turned from the valence band through the Dirac type surface states into the conduction band. The magnetotransport measurements allowed us to disentangle the contributions from conduction band electrons and holes as well as from Dirac electrons to conductivity.
issn 0132-6414
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/122028
fulltext
citation_txt Трехмерный топологический изолятор на основе напряженной пленки HgTe / Д.А. Козлов, З.Д. Квон, М.Л. Савченко, D. Weiss, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий // Физика низких температур. — 2015. — Т. 41, № 2. — С. 109-118. — Бібліогр.: 27 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT kozlovda trehmernyitopologičeskiiizolâtornaosnovenaprâžennoiplenkihgte
AT kvonzd trehmernyitopologičeskiiizolâtornaosnovenaprâžennoiplenkihgte
AT savčenkoml trehmernyitopologičeskiiizolâtornaosnovenaprâžennoiplenkihgte
AT weissd trehmernyitopologičeskiiizolâtornaosnovenaprâžennoiplenkihgte
AT mihailovnn trehmernyitopologičeskiiizolâtornaosnovenaprâžennoiplenkihgte
AT dvoreckiisa trehmernyitopologičeskiiizolâtornaosnovenaprâžennoiplenkihgte
AT kozlovda thethreedimensionaltopologicalinsulatorbasedonastrainedhgtefilm
AT kvonzd thethreedimensionaltopologicalinsulatorbasedonastrainedhgtefilm
AT savčenkoml thethreedimensionaltopologicalinsulatorbasedonastrainedhgtefilm
AT weissd thethreedimensionaltopologicalinsulatorbasedonastrainedhgtefilm
AT mihailovnn thethreedimensionaltopologicalinsulatorbasedonastrainedhgtefilm
AT dvoreckiisa thethreedimensionaltopologicalinsulatorbasedonastrainedhgtefilm
first_indexed 2025-11-26T14:24:54Z
last_indexed 2025-11-26T14:24:54Z
_version_ 1850624553372352512

Similar Items