Трехмерный топологический изолятор на основе напряженной пленки HgTe
Исследован электронный и дырочный транспорт в трехмерном топологическом изоляторе на основе высокоподвижной (до 4⋅10⁵ см² /В⋅с) напряженной пленки теллурида ртути толщиной 80 нм. Вследствие наличия затвора положение уровня Ферми перемещается из валентной зоны в зону проводимости, минуя объемную щель...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Физика низких температур |
|---|---|
| Дата: | 2015 |
| Автори: | , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2015
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/122028 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Трехмерный топологический изолятор на основе напряженной пленки HgTe / Д.А. Козлов, З.Д. Квон, М.Л. Савченко, D. Weiss, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий // Физика низких температур. — 2015. — Т. 41, № 2. — С. 109-118. — Бібліогр.: 27 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862576092248801280 |
|---|---|
| author | Козлов, Д.А. Квон, З.Д. Савченко, М.Л. Weiss, D. Михайлов, Н.Н. Дворецкий, С.А. |
| author_facet | Козлов, Д.А. Квон, З.Д. Савченко, М.Л. Weiss, D. Михайлов, Н.Н. Дворецкий, С.А. |
| citation_txt | Трехмерный топологический изолятор на основе напряженной пленки HgTe / Д.А. Козлов, З.Д. Квон, М.Л. Савченко, D. Weiss, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий // Физика низких температур. — 2015. — Т. 41, № 2. — С. 109-118. — Бібліогр.: 27 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физика низких температур |
| description | Исследован электронный и дырочный транспорт в трехмерном топологическом изоляторе на основе высокоподвижной (до 4⋅10⁵ см² /В⋅с) напряженной пленки теллурида ртути толщиной 80 нм. Вследствие наличия затвора положение уровня Ферми перемещается из валентной зоны в зону проводимости, минуя объемную щель. Наблюдаемые особенности в классическом и квантовом транспорте позволили различить вклад в проводимость объемных дырок, объемных электронов, а также дираковских электронов на поверхностях пленки.
Досліджено електронний та дірковий транспорт у тривимірному топологічному ізоляторі на основі високорухливої (до 4⋅10⁵ см² /В⋅с) напруженої плівки телуриду ртуті завтовшки 80 нм. Внаслідок наявності затвора положення рівня Фермі переміщається із валентної зони в зону провідності, минуючи об’ємну щілину. Особливості, які спостережувались у класичному та квантовому транспорті, дозволили розрізнити вклад в провідність об’ємних дірок, об’ємних електронів, а також діраковських електронів на поверхнях плівки.
We investigated the electron and hole transport in a three-dimensional topological insulator based on a high-mobility (up to 4⋅10⁵ cm² /V⋅s) strained 80 nm thick mercury telluride film. Owing to the presence of the gate the Fermi energy is turned from the valence band through the Dirac type surface states into the conduction band. The magnetotransport measurements allowed us to disentangle the contributions from conduction band electrons and holes as well as from Dirac electrons to conductivity.
|
| first_indexed | 2025-11-26T14:24:54Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-122028 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0132-6414 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-26T14:24:54Z |
| publishDate | 2015 |
| publisher | Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Козлов, Д.А. Квон, З.Д. Савченко, М.Л. Weiss, D. Михайлов, Н.Н. Дворецкий, С.А. 2017-06-26T04:54:58Z 2017-06-26T04:54:58Z 2015 Трехмерный топологический изолятор на основе напряженной пленки HgTe / Д.А. Козлов, З.Д. Квон, М.Л. Савченко, D. Weiss, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий // Физика низких температур. — 2015. — Т. 41, № 2. — С. 109-118. — Бібліогр.: 27 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 73.25.+i, 73.20.At, 73.43.–f https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/122028 Исследован электронный и дырочный транспорт в трехмерном топологическом изоляторе на основе высокоподвижной (до 4⋅10⁵ см² /В⋅с) напряженной пленки теллурида ртути толщиной 80 нм. Вследствие наличия затвора положение уровня Ферми перемещается из валентной зоны в зону проводимости, минуя объемную щель. Наблюдаемые особенности в классическом и квантовом транспорте позволили различить вклад в проводимость объемных дырок, объемных электронов, а также дираковских электронов на поверхностях пленки. Досліджено електронний та дірковий транспорт у тривимірному топологічному ізоляторі на основі високорухливої (до 4⋅10⁵ см² /В⋅с) напруженої плівки телуриду ртуті завтовшки 80 нм. Внаслідок наявності затвора положення рівня Фермі переміщається із валентної зони в зону провідності, минуючи об’ємну щілину. Особливості, які спостережувались у класичному та квантовому транспорті, дозволили розрізнити вклад в провідність об’ємних дірок, об’ємних електронів, а також діраковських електронів на поверхнях плівки. We investigated the electron and hole transport in a three-dimensional topological insulator based on a high-mobility (up to 4⋅10⁵ cm² /V⋅s) strained 80 nm thick mercury telluride film. Owing to the presence of the gate the Fermi energy is turned from the valence band through the Dirac type surface states into the conduction band. The magnetotransport measurements allowed us to disentangle the contributions from conduction band electrons and holes as well as from Dirac electrons to conductivity. Работа выполнена при поддержке РФФИ (гранты мол_а №14-02-31631 и офи_м №13-02-12148), РАН и МОН. ru Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України Физика низких температур XX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников Трехмерный топологический изолятор на основе напряженной пленки HgTe The three-dimensional topological insulator based on a strained HgTe film Article published earlier |
| spellingShingle | Трехмерный топологический изолятор на основе напряженной пленки HgTe Козлов, Д.А. Квон, З.Д. Савченко, М.Л. Weiss, D. Михайлов, Н.Н. Дворецкий, С.А. XX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников |
| title | Трехмерный топологический изолятор на основе напряженной пленки HgTe |
| title_alt | The three-dimensional topological insulator based on a strained HgTe film |
| title_full | Трехмерный топологический изолятор на основе напряженной пленки HgTe |
| title_fullStr | Трехмерный топологический изолятор на основе напряженной пленки HgTe |
| title_full_unstemmed | Трехмерный топологический изолятор на основе напряженной пленки HgTe |
| title_short | Трехмерный топологический изолятор на основе напряженной пленки HgTe |
| title_sort | трехмерный топологический изолятор на основе напряженной пленки hgte |
| topic | XX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников |
| topic_facet | XX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/122028 |
| work_keys_str_mv | AT kozlovda trehmernyitopologičeskiiizolâtornaosnovenaprâžennoiplenkihgte AT kvonzd trehmernyitopologičeskiiizolâtornaosnovenaprâžennoiplenkihgte AT savčenkoml trehmernyitopologičeskiiizolâtornaosnovenaprâžennoiplenkihgte AT weissd trehmernyitopologičeskiiizolâtornaosnovenaprâžennoiplenkihgte AT mihailovnn trehmernyitopologičeskiiizolâtornaosnovenaprâžennoiplenkihgte AT dvoreckiisa trehmernyitopologičeskiiizolâtornaosnovenaprâžennoiplenkihgte AT kozlovda thethreedimensionaltopologicalinsulatorbasedonastrainedhgtefilm AT kvonzd thethreedimensionaltopologicalinsulatorbasedonastrainedhgtefilm AT savčenkoml thethreedimensionaltopologicalinsulatorbasedonastrainedhgtefilm AT weissd thethreedimensionaltopologicalinsulatorbasedonastrainedhgtefilm AT mihailovnn thethreedimensionaltopologicalinsulatorbasedonastrainedhgtefilm AT dvoreckiisa thethreedimensionaltopologicalinsulatorbasedonastrainedhgtefilm |