Трехмерный топологический изолятор на основе напряженной пленки HgTe

• Published in: Физика низких температур
• Date: 2015
• Main Authors: Козлов, Д.А., Квон, З.Д., Савченко, М.Л., Weiss, D., Михайлов, Н.Н., Дворецкий, С.А.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2015
• Subjects: XX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/122028
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Трехмерный топологический изолятор на основе напряженной пленки HgTe / Д.А. Козлов, З.Д. Квон, М.Л. Савченко, D. Weiss, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий // Физика низких температур. — 2015. — Т. 41, № 2. — С. 109-118. — Бібліогр.: 27 назв. — рос.

Исследован электронный и дырочный транспорт в трехмерном топологическом изоляторе на основе высокоподвижной (до 4⋅10⁵ см² /В⋅с) напряженной пленки теллурида ртути толщиной 80 нм. Вследствие наличия затвора положение уровня Ферми перемещается из валентной зоны в зону проводимости, минуя объемную щель...