Buchumschlag

Трехмерный топологический изолятор на основе напряженной пленки HgTe

Исследован электронный и дырочный транспорт в трехмерном топологическом изоляторе на основе высокоподвижной (до 4⋅10⁵ см² /В⋅с) напряженной пленки теллурида ртути толщиной 80 нм. Вследствие наличия затвора положение уровня Ферми перемещается из валентной зоны в зону проводимости, минуя объемную щель...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Физика низких температур
Datum:	2015
Hauptverfasser:	Козлов, Д.А., Квон, З.Д., Савченко, М.Л., Weiss, D., Михайлов, Н.Н., Дворецкий, С.А.
Format:	Artikel
Sprache:	Russisch
Veröffentlicht:	Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2015
Schlagworte:	XX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/122028
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Трехмерный топологический изолятор на основе напряженной пленки HgTe / Д.А. Козлов, З.Д. Квон, М.Л. Савченко, D. Weiss, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий // Физика низких температур. — 2015. — Т. 41, № 2. — С. 109-118. — Бібліогр.: 27 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Ähnliche Einträge

Квантовая емкость трехмерного топологического изолятора на основе HgTe
von: Козлов, Д.А., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Двумерный полуметалл в квантовых ямах на основе HgTe
von: Квон, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Двумерные электронные системы в квантовых ямах на основе HgTe
von: Квон, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Activation transport under quantum Hall regime in HgTe-based heterostructure
von: Gudina, S.V., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Электронная структура дырочных центров в CuO₂ плоскостях купратов
von: Москвин, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Вклад спинового упорядочения электронных состояний примесей железа, кобальта и никеля в низкотемпературную магнитную восприимчивость кристаллов селенида ртути
von: Говоркова, Т.Е., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Бозе-эйнштейновская конденсация диполярных экситонов в латеральных ловушках
von: Тимофеев, В.Б., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Свойства оксида цинка при низких и средних температурах
von: Лашкарев, Г.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Свойства твердых растворов, легированных пленок и нанокомпозитных систем на основе оксида цинка
von: Лашкарев, Г.В., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Влияние давления на параметры сверхпроводящего перехода в полупроводниковых твердых растворах PbzSn₁₋zTe, легированных In
von: Парфеньев, Р.В., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Низкотемпературная аномалия вклада в теплоемкость гибридизированных электронных состояний на примесях переходного элемента
von: Окулов, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Экспериментальное обнаружение квантовых осцилляций аномального холловского сопротивления в кристаллах селенида ртути с примесями кобальта
von: Лончаков, А.Т., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Новые данные и развитие представлений об электронной системе гибридизированных состояний примесных атомов кобальта в кристалле селенида ртути
von: Говоркова, Т.Е., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Мезоскопические состояния в графене, находящемся в магнитном поле: коллапс и возрождение волновых пакетов
von: Демиховский, В.Я., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Кинетика изменения концентрации носителей заряда при легировании в сплавах на основе теллурида свинца с примесями переходных металлов
von: Скипетров, Е.П., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Zinc oxide for electronic, photovoltaic and optoelectronic applications
von: Godlewski, M., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Квантовый транспорт через многоуровневую магнитную структуру при учете процессов многократного неупругого рассеяния в магнитном поле
von: Вальков, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2015)

XV Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников
von: Окулов, В.И.
Veröffentlicht: (2004)

Спиновые эффекты и квантовые поправки к проводимости двумерных систем
von: Германенко, А.В.
Veröffentlicht: (2009)

О некоторых экспериментальных методах и трюках
von: Долгополов, В.Т.
Veröffentlicht: (2011)

Occupation preference values in doped CmIm' multinaries from EXAFS and FTIR correlative analysis
von: Robouch, B.V., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Магниторазведенные ферромагнитные полупроводники на основе соединений II-VI, III-VI и IV-VI
von: Лашкарев, Г.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Процессы переноса электронов, низкотемпературные электрические и гальваномагнитные свойства пленок оксидов цинка и индия
von: Кульбачинский, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Особенности ферромагнитного упорядочения в разбавленных магнитных диэлектриках
von: Кикоин, К.
Veröffentlicht: (2009)

Новые проявления псевдощелевого состояния и спинового рассеяния электронов в низкотемпературных тепловых свойствах сплавов железо–ванадий–алюминий почти стехиометрического состава
von: Лончаков, А.Т., et al.
Veröffentlicht: (2015)

XVII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников
von: Окулов, В.И.
Veröffentlicht: (2009)

Anomalous behavior of the Hall effect in electron-doped superconductor Nd₂₋xCexCuO₄₊δ with nonstoichiometric disorder
von: Charikova, T.B., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Эффект Фано при туннелировании спин-поляризованного электрона через одиночную магнитную примесь
von: Вальков, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Отсутствие перехода Андерсона в высокорезистивных сплавах с большой электронной плотностью
von: Гантмахер, В.Ф.
Veröffentlicht: (2013)

Фазовый переход из диэлектрического состояния в фазу квантового эффекта Холла в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs
von: Савельев, А.П., et al.
Veröffentlicht: (2017)

On origin of room temperature ferromagnetism in wide gap semiconductors
von: Korbecka, Anna, et al.
Veröffentlicht: (2009)

Проявление переходов с переносом заряда в спектрах фотолюминесценции оксидных материалов Zn₁–xMexO (Me — Mn, Ni, Co)
von: Соколов, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2013)

The mixed-state Hall conductivity of single-crystal films Nd₂–xCexCuO₄₊δ (x = 0.14)
von: Shelushinina, N.G., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Термоэлектрические свойства, эффект Шубникова–де Гааза и подвижности носителей заряда в теллуридах и селенидах висмута–сурьмы и нанокомпозитах на их основе
von: Кульбачинский, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Электронная структура разбавленных магнитных полупроводников на основе теллурида свинца с примесью хрома
von: Скипетров, Е.П., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Магнитотранспорт в 2D-структурах n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами в области перехода из диэлектрического состояния в режим квантового эффекта Холла
von: Арапов, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Влияние ориентации магнитного поля и беспорядка на майорановскую поляризацию в проволоках с топологической сверхпроводимостью
von: Вальков, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Вступление
von: Окулов, В.И.
Veröffentlicht: (2015)

Спин-зависимая туннельная проводимость в 2D-структурах в нулевом магнитном поле
von: Рожанский, И.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Переходы с переносом заряда в оптических спектрах оксидов NicMg₁₋cO
von: Чурманов, В.Н., et al.
Veröffentlicht: (2017)