Петров, П., Иванов, Ю., & Аверкиев, Н. (2015). Спиновые и зарядовые явления, связанные с положительно заряженными акцепторами в квантовых ямах GaAs/AlGaAs. Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України.
Chicago-Zitierstil (17. Ausg.)Петров, П.В, Ю.Л Иванов, und Н.С Аверкиев. Спиновые и зарядовые явления, связанные с положительно заряженными акцепторами в квантовых ямах GaAs/AlGaAs. Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України, 2015.
MLA-Zitierstil (8. Ausg.)Петров, П.В, et al. Спиновые и зарядовые явления, связанные с положительно заряженными акцепторами в квантовых ямах GaAs/AlGaAs. Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України, 2015.
Achtung: Diese Zitate sind unter Umständen nicht zu 100% korrekt.