Спиновые и зарядовые явления, связанные с положительно заряженными акцепторами в квантовых ямах GaAs/AlGaAs
Описаны результаты оптических исследований структур с квантовыми ямами GaAs/AlGaAs, содержащими положительно заряженные акцепторы (A⁺ центры). При помощи магнитооптических измерений получена информация о спиновой структуре и локализации в двумерной системе A⁺ центров. При помощи измерений температур...
Saved in:
| Date: | 2015 |
|---|---|
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2015
|
| Series: | Физика низких температур |
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/122029 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Спиновые и зарядовые явления, связанные с положительно заряженными акцепторами в квантовых ямах GaAs/AlGaAs / П.В. Петров, Ю.Л. Ивáнов, Н.С. Аверкиев // Физика низких температур. — 2015. — Т. 41, № 2. — С. 119-128. — Бібліогр.: 29 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-122029 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| fulltext |
|
| spelling |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-1220292025-02-09T12:47:56Z Спиновые и зарядовые явления, связанные с положительно заряженными акцепторами в квантовых ямах GaAs/AlGaAs Spin and charge effects caused by positively charged acceptors in GaAs/AlGaAs quantum wells Петров, П.В. Иванов, Ю.Л. Аверкиев, Н.С. XX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников Описаны результаты оптических исследований структур с квантовыми ямами GaAs/AlGaAs, содержащими положительно заряженные акцепторы (A⁺ центры). При помощи магнитооптических измерений получена информация о спиновой структуре и локализации в двумерной системе A⁺ центров. При помощи измерений температурных свойств фотолюминесценции исследована энергетическая структура примесной A⁺ зоны. На основании анализа совокупности экспериментальных результатов, полученных различными оптическими методами, а также сопоставления с транспортными измерениями, сформулирована единая физическая картина спиновых и зарядовых явлений в таких системах. Предложена новая методика для экспериментального исследования кулоновской щели, появляющейся при низких температурах в плотности локализованных состояний, основанная на измерении спектров фотовозбуждения и фотолюминесценции. Описано результати оптичних досліджень структур з квантовими ямами GaAs/AlGaAs, що містять позитивно заряджені акцептори (A⁺ центри). За допомогою магнітооптичних вимірів отримано інформацію про спінову структуру та локалізацію в двовимірній системі A⁺ центрів. За допомогою вимірів температурних властивостей фотолюмінесценції досліджено енергетичну структуру домішкової A⁺ зони. На підставі аналізу сукупності експериментальних результатів, які отримано різними оптичними методами, а також зіставлення з транспортними вимірами, сформульовано єдину фізичну картину спінових та зарядових явищ в таких системах. Запропоновано нову методику для експериментального дослідження кулонівської щілини, що з'являється при низьких температурах в щільності локалізованих станів, яка заснована на вимірі спектрів фотозбудження і фотолюмінесценції. Optical data on GaAs/AlGaAs quantum well structures with positively charged acceptors (A⁺ centers) are presented. The magneto-optical measurements have provided information on spin structure and localization in the 2D system of A⁺ centers. The temperature properties of photoluminescence were used to study the energy structure of the A⁺ band. The analysis of all experimental data obtained by different optical methods and their comparison with the results of transport measurements given in literature made it possible to a unified physical picture of charge and spin phenomena in such systems. A new approach has been proposed that permits the Coulomb gap appearing at low temperatures in the density of localized states to be studied by using optical measurements. Работа поддержана грантом Российского Научного Фонда №14-12-00255. 2015 Article Спиновые и зарядовые явления, связанные с положительно заряженными акцепторами в квантовых ямах GaAs/AlGaAs / П.В. Петров, Ю.Л. Ивáнов, Н.С. Аверкиев // Физика низких температур. — 2015. — Т. 41, № 2. — С. 119-128. — Бібліогр.: 29 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 73.21.Fg, 71.23.–k, 73.90.+f https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/122029 ru Физика низких температур application/pdf Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
XX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников XX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников |
| spellingShingle |
XX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников XX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников Петров, П.В. Иванов, Ю.Л. Аверкиев, Н.С. Спиновые и зарядовые явления, связанные с положительно заряженными акцепторами в квантовых ямах GaAs/AlGaAs Физика низких температур |
| description |
Описаны результаты оптических исследований структур с квантовыми ямами GaAs/AlGaAs, содержащими положительно заряженные акцепторы (A⁺ центры). При помощи магнитооптических измерений получена информация о спиновой структуре и локализации в двумерной системе A⁺ центров. При помощи измерений температурных свойств фотолюминесценции исследована энергетическая структура примесной A⁺ зоны. На основании анализа совокупности экспериментальных результатов, полученных различными оптическими методами, а также сопоставления с транспортными измерениями, сформулирована единая физическая картина спиновых и зарядовых явлений в таких системах. Предложена новая методика для экспериментального исследования кулоновской щели, появляющейся при низких температурах в плотности локализованных состояний, основанная на измерении спектров фотовозбуждения и фотолюминесценции. |
| format |
Article |
| author |
Петров, П.В. Иванов, Ю.Л. Аверкиев, Н.С. |
| author_facet |
Петров, П.В. Иванов, Ю.Л. Аверкиев, Н.С. |
| author_sort |
Петров, П.В. |
| title |
Спиновые и зарядовые явления, связанные с положительно заряженными акцепторами в квантовых ямах GaAs/AlGaAs |
| title_short |
Спиновые и зарядовые явления, связанные с положительно заряженными акцепторами в квантовых ямах GaAs/AlGaAs |
| title_full |
Спиновые и зарядовые явления, связанные с положительно заряженными акцепторами в квантовых ямах GaAs/AlGaAs |
| title_fullStr |
Спиновые и зарядовые явления, связанные с положительно заряженными акцепторами в квантовых ямах GaAs/AlGaAs |
| title_full_unstemmed |
Спиновые и зарядовые явления, связанные с положительно заряженными акцепторами в квантовых ямах GaAs/AlGaAs |
| title_sort |
спиновые и зарядовые явления, связанные с положительно заряженными акцепторами в квантовых ямах gaas/algaas |
| publisher |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| publishDate |
2015 |
| topic_facet |
XX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/122029 |
| citation_txt |
Спиновые и зарядовые явления, связанные с положительно заряженными акцепторами в квантовых ямах GaAs/AlGaAs / П.В. Петров, Ю.Л. Ивáнов, Н.С. Аверкиев // Физика низких температур. — 2015. — Т. 41, № 2. — С. 119-128. — Бібліогр.: 29 назв. — рос. |
| series |
Физика низких температур |
| work_keys_str_mv |
AT petrovpv spinovyeizarâdovyeâvleniâsvâzannyespoložitelʹnozarâžennymiakceptoramivkvantovyhâmahgaasalgaas AT ivanovûl spinovyeizarâdovyeâvleniâsvâzannyespoložitelʹnozarâžennymiakceptoramivkvantovyhâmahgaasalgaas AT averkievns spinovyeizarâdovyeâvleniâsvâzannyespoložitelʹnozarâžennymiakceptoramivkvantovyhâmahgaasalgaas AT petrovpv spinandchargeeffectscausedbypositivelychargedacceptorsingaasalgaasquantumwells AT ivanovûl spinandchargeeffectscausedbypositivelychargedacceptorsingaasalgaasquantumwells AT averkievns spinandchargeeffectscausedbypositivelychargedacceptorsingaasalgaasquantumwells |
| first_indexed |
2025-11-26T00:10:47Z |
| last_indexed |
2025-11-26T00:10:47Z |
| _version_ |
1849809538605121536 |