Buchumschlag

Спиновые и зарядовые явления, связанные с положительно заряженными акцепторами в квантовых ямах GaAs/AlGaAs

Описаны результаты оптических исследований структур с квантовыми ямами GaAs/AlGaAs, содержащими положительно заряженные акцепторы (A⁺ центры). При помощи магнитооптических измерений получена информация о спиновой структуре и локализации в двумерной системе A⁺ центров. При помощи измерений температур...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Физика низких температур
Datum:	2015
Hauptverfasser:	Петров, П.В., Иванов, Ю.Л., Аверкиев, Н.С.
Format:	Artikel
Sprache:	Russisch
Veröffentlicht:	Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2015
Schlagworte:	XX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/122029
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Спиновые и зарядовые явления, связанные с положительно заряженными акцепторами в квантовых ямах GaAs/AlGaAs / П.В. Петров, Ю.Л. Ивáнов, Н.С. Аверкиев // Физика низких температур. — 2015. — Т. 41, № 2. — С. 119-128. — Бібліогр.: 29 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Ähnliche Einträge

Двумерный полуметалл в квантовых ямах на основе HgTe
von: Квон, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Двумерные электронные системы в квантовых ямах на основе HgTe
von: Квон, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Релаксация спина марганца в ферромагнитном (Ga,Mn)As
von: Крайнов, И.В., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Акустическое переключение квантовых состояний в полупроводниках
von: Аверкиев, Н.С., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Спиновые эффекты и квантовые поправки к проводимости двумерных систем
von: Германенко, А.В.
Veröffentlicht: (2009)

Фазовый переход из диэлектрического состояния в фазу квантового эффекта Холла в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs
von: Савельев, А.П., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Температурная зависимость ширины полосы делокализованных состояний в наноструктурах n-InGaAs/GaAs в режиме квантового эффекта Холла
von: Арапов, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Температурная зависимость квантового времени жизни в структурах n-InGaAs/GaAs c двойными сильно связанными квантовыми ямами
von: Арапов, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Переходы плато–плато в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктуре n-InGaAs/GaAs с одиночной квантовой ямой до и после ИК подсветки
von: Арапов, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Магнитотранспорт в 2D-структурах n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами в области перехода из диэлектрического состояния в режим квантового эффекта Холла
von: Арапов, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Взаимодействие неоднородных упругих волн с двумерными электронами в гетероструктурах AlGaAs-GaAs-AlGaAs
von: Филь, Д.В.
Veröffentlicht: (1999)

Экспериментальное обнаружение квантовых осцилляций аномального холловского сопротивления в кристаллах селенида ртути с примесями кобальта
von: Лончаков, А.Т., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Optical characterization of pseudomorphic AlGaAs/InGaAs/GaAs heterostructures
von: Zhuchenko, Z.Ya., et al.
Veröffentlicht: (1999)

2D magnetofermionic condensate in GaAs/AlGaAs heterostructures
von: L. V. Kulik, et al.
Veröffentlicht: (2017)

Двумерный магнетофермионный конденсат в GaAs/AlGaAs гетероструктурах
von: Кулик, Л.В., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs
von: Круковский, С.И., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs–InGaAs–AlGaAs
von: Krukovsky, S. I., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Спин-зависимая туннельная проводимость в 2D-структурах в нулевом магнитном поле
von: Рожанский, И.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Оже-рекомбінація в полярних InGaN/GaN квантових ямах
von: Zinovchuk, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2025)

Получение тандемных гетероструктур GaAs—InGaAs—AlGaAs для фотопреобразователей солнечной энергии
von: Николаенко, Ю.Е., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Many-body effects in photoluminescence of heavily doped AlGaAs/InGaAs /GaAs heterostructures
von: Zhuchenko, Z.Ya., et al.
Veröffentlicht: (1999)

Модули солнечных элементов на основе тандемных гетероструктур GaAs–InGaAs–AlGaAs
von: Krukovskiy, S. I., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Модули солнечных элементов на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs
von: Круковский, С.И., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Coherence of Bose–Einstein condensate of dipolar excitons in GaAs/AlGaAs heterostructure
von: A. V. Gorbunov, et al.
Veröffentlicht: (2016)

High-resistance low-doped GaAs and AlGaAs layers obtained by LPE
von: Krukovsky, S.I., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Pseudomorphic modulation-doped AlGaAs/InGaAs/GaAs heterostructures with strong manifestation of many-body effects
von: Masselink, W.T., et al.
Veröffentlicht: (2000)

Sharp interfaces in p+-AlGaAs/n-GaAs epitaxial structures obtained by MOCVD
von: N. M. Vakiv, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Когерентность конденсата Бозе–Эйнштейна диполярных экситонов в GaAs/AlGaAs гетероструктуре
von: Горбунов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Spin and charge effects caused by positively charged acceptors in GaAs/AlGaAs quantum wells
von: P. V. Petrov, et al.
Veröffentlicht: (2015)

Optimization of technological parameters of ohmic contact junctions for GaAs-AlGaAs-based transistor structures
von: Konakova, R.V., et al.
Veröffentlicht: (2002)

О резонансной частоте диодов Ганна на основе варизонных полупроводников AlGaAs, GaPAs и GaSbAs
von: Стороженко, И.П., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Особенности квантовых эффектов в 2D-структурах GaAs/n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами
von: Арапов, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Effects of the real-space transfer of charge carriers in the n-AlGaAs/GaAs heterostructures with the delta-layers of impurity in the barriers
von: V. V. Vainberg, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Effects of the real-space transfer of charge carriers in the n-AlGaAs/GaAs heterostructures with the delta-layers of impurity in the barriers
von: V. V. Vainberg, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Влияние узких внутренних барьеров на низкотемпературную латеральную проводимость в квантовых ямах
von: Вайнберг, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Static domain in device with intervalley electron transfer on the basis of variband AlGaAs
von: I. P. Storozhenko
Veröffentlicht: (2015)

Research of the photo-voltaic effect in the two-base Ag-N⁰AlGaAs-n⁺GaAs-n⁰GaInAs-Au structure with various thicknesses of a base
von: Yodgorova, D.M., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Транспортно-спиновые явления в нанопроводниках с большим радиусом экранирования
von: Копелиович, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2014)