Переходы плато–плато в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктуре n-InGaAs/GaAs с одиночной квантовой ямой до и после ИК подсветки

• Veröffentlicht in: Физика низких температур
• Datum: 2015
• Hauptverfasser: Арапов, Ю.Г., Гудина, С.В., Клепикова, А.С., Неверов, В.Н., Харус, Г.И., Шелушинина, Н.Г., Якунин, М.В.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2015
• Schlagworte: XX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/122031
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Переходы плато–плато в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктуре n-InGaAs/GaAs с одиночной квантовой ямой до и после ИК подсветки / Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, А.С. Клепикова, В.Н. Неверов, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин // Физика низких температур. — 2015. — Т. 41, № 2. — С. 139-146. — Бібліогр.: 30 назв. — рос.

Экспериментально исследованы продольное pxx(B,T) и холловское pxy (B,T) магнитосопротивления в режиме целочисленного квантового эффекта Холла в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs с одиночной квантовой ямой в диапазоне магнитных полей B = 0–12 Tл и температур T = 0,4–4,2 К до и после ИК подсветки. Проведен анализ температурной зависимости ширины переходов плато–плато квантового эффекта Холла на основе представлений теории двухпараметрического скейлинга. Експериментально досліджено подовжнє pxx(B,T) та холловське pxy(B,T) магнітоопіри у режимі цілочисельного квантового ефекту Холлу в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs з поодинокою квантовою ямою в діапазоні магнітних полів B = 0–12 Tл та температур T = 0,4–4,2 К до і після ІЧ підсвічування. Проведено аналіз температурної залежності ширини переходів плато–плато квантового ефекту Холлу на основі подавань теорії двохпараметричного скейлінгу. The longitudinal pxx(B,T) and Hall pxy(B,T) resistivities in the quantum Hall effect (QHE) regime for n-InGaAs/GaAs nanostructures with single quantum wells are investigated at B = 0–12 T and T = 0.4–4.2 K, before and after IR illumination. The temperature dependences of QHE plateau-to-plateau transition width are analyzed by using the two-parameter scaling theory.