Квантовый магнитотранспорт в структурах n-InGaAs/GaAs при изменении концентрации электронов под воздействием инфракрасного излучения

Квантовый магнитотранспорт в структурах n-InGaAs/GaAs при изменении концентрации электронов под воздействием инфракрасного излучения

Экспериментально исследовано продольное ρxx(B,T) и холловское ρxy(B,T) магнитосопротивление в перпендикулярном плоскости образца магнитном поле в наноструктурах n-InGaAs/GaAs с одиночными и двойными сильносвязанными квантовыми ямами в зависимости от ширины ямы в диапазоне магнитных полей B = 0–12 Tл...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Физика низких температур
Date:2015
Main Authors: Арапов, Ю.Г., Гудина, С.В., Неверов, В.Н., Подгорных, С.М., Савельев, А.П., Якунин, М.В.
Format: Article
Language:Russian
Published: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2015
Subjects:
Низкотемпературная оптическая спектроскопия
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/122047
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Квантовый магнитотранспорт в структурах n-InGaAs/GaAs при изменении концентрации электронов под воздействием инфракрасного излучения / Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, В.Н. Неверов, С.М. Подгорных, А.П. Савельев, М.В. Якунин // Физика низких температур. — 2015. — Т. 41, № 3. — С. 289-303. — Бібліогр.: 30 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Similar Items

Similar Items