Квантовый магнитотранспорт в структурах n-InGaAs/GaAs при изменении концентрации электронов под воздействием инфракрасного излучения

• Published in: Физика низких температур
• Date: 2015
• Main Authors: Арапов, Ю.Г., Гудина, С.В., Неверов, В.Н., Подгорных, С.М., Савельев, А.П., Якунин, М.В.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2015
• Subjects: Низкотемпературная оптическая спектроскопия
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/122047
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Квантовый магнитотранспорт в структурах n-InGaAs/GaAs при изменении концентрации электронов под воздействием инфракрасного излучения / Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, В.Н. Неверов, С.М. Подгорных, А.П. Савельев, М.В. Якунин // Физика низких температур. — 2015. — Т. 41, № 3. — С. 289-303. — Бібліогр.: 30 назв. — рос.

Экспериментально исследовано продольное ρxx(B,T) и холловское ρxy(B,T) магнитосопротивление в перпендикулярном плоскости образца магнитном поле в наноструктурах n-InGaAs/GaAs с одиночными и двойными сильносвязанными квантовыми ямами в зависимости от ширины ямы в диапазоне магнитных полей B = 0–12 Tл...