Plasma assisted deposition of TaB₂ coatings by magnetron sputtering system
In the present paper the results of TaB₂ coating deposition in cluster set-up comprising a low pressure planar magnetron and an inductive plasma source are presented. The system allows to control independently the fluxes of the deposited Ta and B atoms from the sputtered TaB₂ target, and the fluxes...
Saved in:
| Published in: | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Date: | 2017 |
| Main Authors: | , , , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | English |
| Published: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2017
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/122171 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Plasma assisted deposition of TaB₂ coatings by magnetron sputtering system / S. Yakovin, A. Zykov, S. Dudin, V. Farenik, A. Goncharov, I. Shelest, V. Kuznetsov // Вопросы атомной науки и техники. — 2017. — № 1. — С. 187-190. — Бібліогр.: 15 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862700632878612480 |
|---|---|
| author | Yakovin, S. Zykov, A. Dudin, S. Farenik, V. Goncharov, A. Shelest, I. Kuznetsov, V. |
| author_facet | Yakovin, S. Zykov, A. Dudin, S. Farenik, V. Goncharov, A. Shelest, I. Kuznetsov, V. |
| citation_txt | Plasma assisted deposition of TaB₂ coatings by magnetron sputtering system / S. Yakovin, A. Zykov, S. Dudin, V. Farenik, A. Goncharov, I. Shelest, V. Kuznetsov // Вопросы атомной науки и техники. — 2017. — № 1. — С. 187-190. — Бібліогр.: 15 назв. — англ. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Вопросы атомной науки и техники |
| description | In the present paper the results of TaB₂ coating deposition in cluster set-up comprising a low pressure planar magnetron and an inductive plasma source are presented. The system allows to control independently the fluxes of the deposited Ta and B atoms from the sputtered TaB₂ target, and the fluxes of argon ions and electrons from the inductive plasma. Low argon pressure in the chamber allows the deposition process in the collisionless regime, providing the composition of the deposited film which is very close to the stoichiometry of the sputtered target. The correlation of the TaB₂ coating structure with the substrate voltage in the range from -50 to +50 V is demonstrated.
Представлены результаты нанесения покрытий TaB₂ в кластерной установке, включающей плоский магнетрон низкого давления и индукционный источник плазмы. Система позволяет контролировать независимо друг от друга как потоки осаждаемых атомов Та и В из распыляемой мишени TaB₂, так и потоки ионов аргона и электронов из индукционной плазмы. Низкое давление аргона в камере позволяет проводить процесс напыления в бесстолкновительном режиме, обеспечивая состав осаждённой плёнки, очень близкий к стехиометрическому составу распыляемой мишени. Показана взаимосвязь структуры покрытия TaB₂ с напряжением смещения на подложке (в диапазоне от -50 до +50 В) и с плотностью ионного тока.
Представлено результати нанесення покриттів TaB₂ у кластерній установці з плоским магнетроном низького тиску та індукційним джерелом плазми. Система дозволяє контролювати незалежно один від одного як потоки осаджуваних атомів Та й В з мішені TaB₂, так і потоки іонів аргону і електронів з індукційної плазми. Низький тиск аргону в камері дозволяє проводити процес нанесення в режимі без зіткнень, забезпечуючи склад синтезованою плівки, дуже близький до стехіометричного складу мішені. Показано взаємозв'язок структури покриття TaB₂ з напругою зсуву на підкладці (в діапазоні від -50 до +50 В) і з щільністю іонного струму.
|
| first_indexed | 2025-12-07T16:39:12Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-122171 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1562-6016 |
| language | English |
| last_indexed | 2025-12-07T16:39:12Z |
| publishDate | 2017 |
| publisher | Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Yakovin, S. Zykov, A. Dudin, S. Farenik, V. Goncharov, A. Shelest, I. Kuznetsov, V. 2017-06-28T05:54:18Z 2017-06-28T05:54:18Z 2017 Plasma assisted deposition of TaB₂ coatings by magnetron sputtering system / S. Yakovin, A. Zykov, S. Dudin, V. Farenik, A. Goncharov, I. Shelest, V. Kuznetsov // Вопросы атомной науки и техники. — 2017. — № 1. — С. 187-190. — Бібліогр.: 15 назв. — англ. 1562-6016 PACS: 52.77.-j, 81.15.-z https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/122171 In the present paper the results of TaB₂ coating deposition in cluster set-up comprising a low pressure planar magnetron and an inductive plasma source are presented. The system allows to control independently the fluxes of the deposited Ta and B atoms from the sputtered TaB₂ target, and the fluxes of argon ions and electrons from the inductive plasma. Low argon pressure in the chamber allows the deposition process in the collisionless regime, providing the composition of the deposited film which is very close to the stoichiometry of the sputtered target. The correlation of the TaB₂ coating structure with the substrate voltage in the range from -50 to +50 V is demonstrated. Представлены результаты нанесения покрытий TaB₂ в кластерной установке, включающей плоский магнетрон низкого давления и индукционный источник плазмы. Система позволяет контролировать независимо друг от друга как потоки осаждаемых атомов Та и В из распыляемой мишени TaB₂, так и потоки ионов аргона и электронов из индукционной плазмы. Низкое давление аргона в камере позволяет проводить процесс напыления в бесстолкновительном режиме, обеспечивая состав осаждённой плёнки, очень близкий к стехиометрическому составу распыляемой мишени. Показана взаимосвязь структуры покрытия TaB₂ с напряжением смещения на подложке (в диапазоне от -50 до +50 В) и с плотностью ионного тока. Представлено результати нанесення покриттів TaB₂ у кластерній установці з плоским магнетроном низького тиску та індукційним джерелом плазми. Система дозволяє контролювати незалежно один від одного як потоки осаджуваних атомів Та й В з мішені TaB₂, так і потоки іонів аргону і електронів з індукційної плазми. Низький тиск аргону в камері дозволяє проводити процес нанесення в режимі без зіткнень, забезпечуючи склад синтезованою плівки, дуже близький до стехіометричного складу мішені. Показано взаємозв'язок структури покриття TaB₂ з напругою зсуву на підкладці (в діапазоні від -50 до +50 В) і з щільністю іонного струму. en Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України Вопросы атомной науки и техники Низкотемпературная плазма и плазменные технологии Plasma assisted deposition of TaB₂ coatings by magnetron sputtering system Нанесение покрытий TaB₂ методом магнетронного распыления с плазменным ассистированием Нанесення покриттів TaB₂ методом магнетронного розпилювання з плазмовим асистуванням Article published earlier |
| spellingShingle | Plasma assisted deposition of TaB₂ coatings by magnetron sputtering system Yakovin, S. Zykov, A. Dudin, S. Farenik, V. Goncharov, A. Shelest, I. Kuznetsov, V. Низкотемпературная плазма и плазменные технологии |
| title | Plasma assisted deposition of TaB₂ coatings by magnetron sputtering system |
| title_alt | Нанесение покрытий TaB₂ методом магнетронного распыления с плазменным ассистированием Нанесення покриттів TaB₂ методом магнетронного розпилювання з плазмовим асистуванням |
| title_full | Plasma assisted deposition of TaB₂ coatings by magnetron sputtering system |
| title_fullStr | Plasma assisted deposition of TaB₂ coatings by magnetron sputtering system |
| title_full_unstemmed | Plasma assisted deposition of TaB₂ coatings by magnetron sputtering system |
| title_short | Plasma assisted deposition of TaB₂ coatings by magnetron sputtering system |
| title_sort | plasma assisted deposition of tab₂ coatings by magnetron sputtering system |
| topic | Низкотемпературная плазма и плазменные технологии |
| topic_facet | Низкотемпературная плазма и плазменные технологии |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/122171 |
| work_keys_str_mv | AT yakovins plasmaassisteddepositionoftab2coatingsbymagnetronsputteringsystem AT zykova plasmaassisteddepositionoftab2coatingsbymagnetronsputteringsystem AT dudins plasmaassisteddepositionoftab2coatingsbymagnetronsputteringsystem AT farenikv plasmaassisteddepositionoftab2coatingsbymagnetronsputteringsystem AT goncharova plasmaassisteddepositionoftab2coatingsbymagnetronsputteringsystem AT shelesti plasmaassisteddepositionoftab2coatingsbymagnetronsputteringsystem AT kuznetsovv plasmaassisteddepositionoftab2coatingsbymagnetronsputteringsystem AT yakovins naneseniepokrytiitab2metodommagnetronnogoraspyleniâsplazmennymassistirovaniem AT zykova naneseniepokrytiitab2metodommagnetronnogoraspyleniâsplazmennymassistirovaniem AT dudins naneseniepokrytiitab2metodommagnetronnogoraspyleniâsplazmennymassistirovaniem AT farenikv naneseniepokrytiitab2metodommagnetronnogoraspyleniâsplazmennymassistirovaniem AT goncharova naneseniepokrytiitab2metodommagnetronnogoraspyleniâsplazmennymassistirovaniem AT shelesti naneseniepokrytiitab2metodommagnetronnogoraspyleniâsplazmennymassistirovaniem AT kuznetsovv naneseniepokrytiitab2metodommagnetronnogoraspyleniâsplazmennymassistirovaniem AT yakovins nanesennâpokrittívtab2metodommagnetronnogorozpilûvannâzplazmovimasistuvannâm AT zykova nanesennâpokrittívtab2metodommagnetronnogorozpilûvannâzplazmovimasistuvannâm AT dudins nanesennâpokrittívtab2metodommagnetronnogorozpilûvannâzplazmovimasistuvannâm AT farenikv nanesennâpokrittívtab2metodommagnetronnogorozpilûvannâzplazmovimasistuvannâm AT goncharova nanesennâpokrittívtab2metodommagnetronnogorozpilûvannâzplazmovimasistuvannâm AT shelesti nanesennâpokrittívtab2metodommagnetronnogorozpilûvannâzplazmovimasistuvannâm AT kuznetsovv nanesennâpokrittívtab2metodommagnetronnogorozpilûvannâzplazmovimasistuvannâm |