Obtaining silicon carbide via chemical vapor, plasma-chemical and sublimation methods
In the present paper the results of studies on obtaining silicon carbide via chemical gas phase, plasma-chemical and sublimation methods are described. The thermodynamic analysis of chemical reactions of silicon carbide in the presence of hydrogen and without was provided. Was found that, without fr...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Дата: | 2017 |
| Автори: | , , , , , , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2017
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/122172 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Obtaining silicon carbide via chemical vapor, plasma-chemical and sublimation methods / А.Yu. Zhuravlov, N.А. Hovanskiy, D.A. Khizhnyak, B.M. Shirokov, N.A. Semenov, А.V. Shijan, S.V. Strigunovskiy, A.I. Yevsiukov, A.B. Shevtsov, E.A. Nazarenko, N.N. Pilipenko // Вопросы атомной науки и техники. — 2017. — № 1. — С. 191-194. — Бібліогр.: 10 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-122172 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Zhuravlov, А.Yu. Hovanskiy, N.А. Khizhnyak, D.A. Shirokov, B.M. Semenov, N.A. Shijan, А.V. Strigunovskiy, S.V. Yevsiukov, A.I. Shevtsov, A.B. Nazarenko, E.A. Pilipenko, N.N. 2017-06-28T05:55:10Z 2017-06-28T05:55:10Z 2017 Obtaining silicon carbide via chemical vapor, plasma-chemical and sublimation methods / А.Yu. Zhuravlov, N.А. Hovanskiy, D.A. Khizhnyak, B.M. Shirokov, N.A. Semenov, А.V. Shijan, S.V. Strigunovskiy, A.I. Yevsiukov, A.B. Shevtsov, E.A. Nazarenko, N.N. Pilipenko // Вопросы атомной науки и техники. — 2017. — № 1. — С. 191-194. — Бібліогр.: 10 назв. — англ. 1562-6016 PACS: 50.34.50.Lf. 81.15.Fg https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/122172 In the present paper the results of studies on obtaining silicon carbide via chemical gas phase, plasma-chemical and sublimation methods are described. The thermodynamic analysis of chemical reactions of silicon carbide in the presence of hydrogen and without was provided. Was found that, without free hydrogen reaction of silicon carbide formation can’t proceed. Established depending on ratio between the various active components of the gas phase SiCl₄:C₇H₈, entering the reactor, morphology of SiC layer. Was shown that, with increasing temperature of the substrate deposition rate increases, reaching a maximum temperature about ~ 1800 K with a steep decreasing at higher temperatures ranges, which is typical of a homogeneous reaction. From source (NbTa)SiC, received via chemical CVD, obtained films of SiC with sublimation method. Представлены результаты исследований по получению карбида кремния химическим газофазным, плазмохимическим и сублимационным методами. Проведен термодинамический анализ химических реакций получения карбида кремния в присутствии водорода и без него. Установлено, что без свободного водорода реакция образования карбида кремния протекать не может. В зависимости от различного соотношения между активными компонентами газовой фазы SiCl₄:C₇H₈, поступающими в реактор, изучена морфология SiC-слоя. Исследована кинетика процесса осаждения SiC. Показано, что с увеличением температуры подложки скорость осаждения возрастает, достигая максимума при температуре ~ 1800 K с резким снижением в области более высоких температур, что характерно для гомогенной реакции. Из полученного химическим газофазным методом источника (NbTa)SiC сублимационным методом получены плёнки SiC. Представлено результати досліджень по отриманню карбіду кремнію хімічним газофазним, плазмохімічним і сублімаційним методами. Проведено термодинамічний аналіз хімічних реакцій отримання карбіду кремнію в присутності водню і без нього. Встановлено, що без вільного водню реакція утворення карбіду кремнію протікати не може. Залежно від різного співвідношення між активними компонентами газової фази SiCl₄:C₇H₈, які надходять в реактор, вивчена морфологія SiC-шару. Досліджено кінетику процесу осадження SiC. Показано, що зі збільшенням температури підкладки швидкість осадження зростає, досягаючи максимуму при температурі ~ 1800 K з різким зниженням в області більш високих температур, що характерно для гомогенної реакції. З отриманого хімічним газофазним методом джерела (NbTa)SiC сублімаційним методом отримано плівки SiC. en Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України Вопросы атомной науки и техники Низкотемпературная плазма и плазменные технологии Obtaining silicon carbide via chemical vapor, plasma-chemical and sublimation methods Получение карбида кремния химическим газофазным, плазмохимическим и сублимационным методами Отримання карбіду кремнію хімічним газофазним, плазмохімічним і сублімаційним методами Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Obtaining silicon carbide via chemical vapor, plasma-chemical and sublimation methods |
| spellingShingle |
Obtaining silicon carbide via chemical vapor, plasma-chemical and sublimation methods Zhuravlov, А.Yu. Hovanskiy, N.А. Khizhnyak, D.A. Shirokov, B.M. Semenov, N.A. Shijan, А.V. Strigunovskiy, S.V. Yevsiukov, A.I. Shevtsov, A.B. Nazarenko, E.A. Pilipenko, N.N. Низкотемпературная плазма и плазменные технологии |
| title_short |
Obtaining silicon carbide via chemical vapor, plasma-chemical and sublimation methods |
| title_full |
Obtaining silicon carbide via chemical vapor, plasma-chemical and sublimation methods |
| title_fullStr |
Obtaining silicon carbide via chemical vapor, plasma-chemical and sublimation methods |
| title_full_unstemmed |
Obtaining silicon carbide via chemical vapor, plasma-chemical and sublimation methods |
| title_sort |
obtaining silicon carbide via chemical vapor, plasma-chemical and sublimation methods |
| author |
Zhuravlov, А.Yu. Hovanskiy, N.А. Khizhnyak, D.A. Shirokov, B.M. Semenov, N.A. Shijan, А.V. Strigunovskiy, S.V. Yevsiukov, A.I. Shevtsov, A.B. Nazarenko, E.A. Pilipenko, N.N. |
| author_facet |
Zhuravlov, А.Yu. Hovanskiy, N.А. Khizhnyak, D.A. Shirokov, B.M. Semenov, N.A. Shijan, А.V. Strigunovskiy, S.V. Yevsiukov, A.I. Shevtsov, A.B. Nazarenko, E.A. Pilipenko, N.N. |
| topic |
Низкотемпературная плазма и плазменные технологии |
| topic_facet |
Низкотемпературная плазма и плазменные технологии |
| publishDate |
2017 |
| language |
English |
| container_title |
Вопросы атомной науки и техники |
| publisher |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Получение карбида кремния химическим газофазным, плазмохимическим и сублимационным методами Отримання карбіду кремнію хімічним газофазним, плазмохімічним і сублімаційним методами |
| description |
In the present paper the results of studies on obtaining silicon carbide via chemical gas phase, plasma-chemical and sublimation methods are described. The thermodynamic analysis of chemical reactions of silicon carbide in the presence of hydrogen and without was provided. Was found that, without free hydrogen reaction of silicon carbide formation can’t proceed. Established depending on ratio between the various active components of the gas phase SiCl₄:C₇H₈, entering the reactor, morphology of SiC layer. Was shown that, with increasing temperature of the substrate deposition rate increases, reaching a maximum temperature about ~ 1800 K with a steep decreasing at higher temperatures ranges, which is typical of a homogeneous reaction. From source (NbTa)SiC, received via chemical CVD, obtained films of SiC with sublimation method.
Представлены результаты исследований по получению карбида кремния химическим газофазным, плазмохимическим и сублимационным методами. Проведен термодинамический анализ химических реакций получения карбида кремния в присутствии водорода и без него. Установлено, что без свободного водорода реакция образования карбида кремния протекать не может. В зависимости от различного соотношения между активными компонентами газовой фазы SiCl₄:C₇H₈, поступающими в реактор, изучена морфология SiC-слоя. Исследована кинетика процесса осаждения SiC. Показано, что с увеличением температуры подложки скорость осаждения возрастает, достигая максимума при температуре ~ 1800 K с резким снижением в области более высоких температур, что характерно для гомогенной реакции. Из полученного химическим газофазным методом источника (NbTa)SiC сублимационным методом получены плёнки SiC.
Представлено результати досліджень по отриманню карбіду кремнію хімічним газофазним, плазмохімічним і сублімаційним методами. Проведено термодинамічний аналіз хімічних реакцій отримання карбіду кремнію в присутності водню і без нього. Встановлено, що без вільного водню реакція утворення карбіду кремнію протікати не може. Залежно від різного співвідношення між активними компонентами газової фази SiCl₄:C₇H₈, які надходять в реактор, вивчена морфологія SiC-шару. Досліджено кінетику процесу осадження SiC. Показано, що зі збільшенням температури підкладки швидкість осадження зростає, досягаючи максимуму при температурі ~ 1800 K з різким зниженням в області більш високих температур, що характерно для гомогенної реакції. З отриманого хімічним газофазним методом джерела (NbTa)SiC сублімаційним методом отримано плівки SiC.
|
| issn |
1562-6016 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/122172 |
| citation_txt |
Obtaining silicon carbide via chemical vapor, plasma-chemical and sublimation methods / А.Yu. Zhuravlov, N.А. Hovanskiy, D.A. Khizhnyak, B.M. Shirokov, N.A. Semenov, А.V. Shijan, S.V. Strigunovskiy, A.I. Yevsiukov, A.B. Shevtsov, E.A. Nazarenko, N.N. Pilipenko // Вопросы атомной науки и техники. — 2017. — № 1. — С. 191-194. — Бібліогр.: 10 назв. — англ. |
| work_keys_str_mv |
AT zhuravlovayu obtainingsiliconcarbideviachemicalvaporplasmachemicalandsublimationmethods AT hovanskiyna obtainingsiliconcarbideviachemicalvaporplasmachemicalandsublimationmethods AT khizhnyakda obtainingsiliconcarbideviachemicalvaporplasmachemicalandsublimationmethods AT shirokovbm obtainingsiliconcarbideviachemicalvaporplasmachemicalandsublimationmethods AT semenovna obtainingsiliconcarbideviachemicalvaporplasmachemicalandsublimationmethods AT shijanav obtainingsiliconcarbideviachemicalvaporplasmachemicalandsublimationmethods AT strigunovskiysv obtainingsiliconcarbideviachemicalvaporplasmachemicalandsublimationmethods AT yevsiukovai obtainingsiliconcarbideviachemicalvaporplasmachemicalandsublimationmethods AT shevtsovab obtainingsiliconcarbideviachemicalvaporplasmachemicalandsublimationmethods AT nazarenkoea obtainingsiliconcarbideviachemicalvaporplasmachemicalandsublimationmethods AT pilipenkonn obtainingsiliconcarbideviachemicalvaporplasmachemicalandsublimationmethods AT zhuravlovayu polučeniekarbidakremniâhimičeskimgazofaznymplazmohimičeskimisublimacionnymmetodami AT hovanskiyna polučeniekarbidakremniâhimičeskimgazofaznymplazmohimičeskimisublimacionnymmetodami AT khizhnyakda polučeniekarbidakremniâhimičeskimgazofaznymplazmohimičeskimisublimacionnymmetodami AT shirokovbm polučeniekarbidakremniâhimičeskimgazofaznymplazmohimičeskimisublimacionnymmetodami AT semenovna polučeniekarbidakremniâhimičeskimgazofaznymplazmohimičeskimisublimacionnymmetodami AT shijanav polučeniekarbidakremniâhimičeskimgazofaznymplazmohimičeskimisublimacionnymmetodami AT strigunovskiysv polučeniekarbidakremniâhimičeskimgazofaznymplazmohimičeskimisublimacionnymmetodami AT yevsiukovai polučeniekarbidakremniâhimičeskimgazofaznymplazmohimičeskimisublimacionnymmetodami AT shevtsovab polučeniekarbidakremniâhimičeskimgazofaznymplazmohimičeskimisublimacionnymmetodami AT nazarenkoea polučeniekarbidakremniâhimičeskimgazofaznymplazmohimičeskimisublimacionnymmetodami AT pilipenkonn polučeniekarbidakremniâhimičeskimgazofaznymplazmohimičeskimisublimacionnymmetodami AT zhuravlovayu otrimannâkarbídukremníûhímíčnimgazofaznimplazmohímíčnimísublímacíinimmetodami AT hovanskiyna otrimannâkarbídukremníûhímíčnimgazofaznimplazmohímíčnimísublímacíinimmetodami AT khizhnyakda otrimannâkarbídukremníûhímíčnimgazofaznimplazmohímíčnimísublímacíinimmetodami AT shirokovbm otrimannâkarbídukremníûhímíčnimgazofaznimplazmohímíčnimísublímacíinimmetodami AT semenovna otrimannâkarbídukremníûhímíčnimgazofaznimplazmohímíčnimísublímacíinimmetodami AT shijanav otrimannâkarbídukremníûhímíčnimgazofaznimplazmohímíčnimísublímacíinimmetodami AT strigunovskiysv otrimannâkarbídukremníûhímíčnimgazofaznimplazmohímíčnimísublímacíinimmetodami AT yevsiukovai otrimannâkarbídukremníûhímíčnimgazofaznimplazmohímíčnimísublímacíinimmetodami AT shevtsovab otrimannâkarbídukremníûhímíčnimgazofaznimplazmohímíčnimísublímacíinimmetodami AT nazarenkoea otrimannâkarbídukremníûhímíčnimgazofaznimplazmohímíčnimísublímacíinimmetodami AT pilipenkonn otrimannâkarbídukremníûhímíčnimgazofaznimplazmohímíčnimísublímacíinimmetodami |
| first_indexed |
2025-12-01T15:21:21Z |
| last_indexed |
2025-12-01T15:21:21Z |
| _version_ |
1850860548213702657 |