Effect of substrate bias voltage parameters on surface properties of ta-C coatings

• Published in: Вопросы атомной науки и техники
• Date: 2017
• Main Authors: Safonov, V., Miroshnichenko, K., Zykova, A., Zavaleyev, V., Walkowicz, J., Rogowska, R.
• Format: Article
• Language: English
• Published: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2017
• Subjects: Низкотемпературная плазма и плазменные технологии
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/122175
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Effect of substrate bias voltage parameters on surface properties of ta-C coatings / V. Safonov, K. Miroshnichenko, A. Zykova, V. Zavaleyev, J. Walkowicz, R. Rogowska // Вопросы атомной науки и техники. — 2017. — № 1. — С. 199-202. — Бібліогр.: 12 назв. — англ.

The study presents the technology of the formation of amorphous ta-C films, deposited by pulsed vacuum-arc method with the use of a water-cooled electromagnetic Venetian blind plasma filter. The effect of the substrate bias voltage, in the range of -25 to -200 V, on the structural and surface properties of ta-C coatings was analyzed. The strong correlation between surface properties of amorphous ta-C films depending on substrate bias voltage variations and characteristic changes in the content of the diamond-like sp³ fraction was observed. Представлена технология формирования аморфных покрытий ta-C, нанесенных импульсным вакуумно-дуговым методом с использованием охлаждаемого электромагнитного фильтра плазмы. Проанализирован эффект изменения смещения потенциала подложки в диапазоне значений от -25 до -200 В и его влияние на структурные и поверхностные свойства покрытий ta-C. Обнаружена корреляция между поверхностными свойствами аморфных покрытий ta-C и изменениями в содержании sp³-фазы в зависимости от изменения потенциала подложки. Наведена технологія формування аморфних покриттів ta-C, нанесених імпульсним вакуум-дуговим методом з використанням охлаждаемого електромагнітного фільтра плазми. В роботі був проаналізований ефект зміни зміщення потенціалу підкладки в діапазоні значень від -25 до -200 В і його вплив на структурні і поверхневі властивості покриттів of ta-C. Була виявлена кореляція між поверхневими властивостями аморфних покриттів ta-C і змінами в змісті sp³ фази в залежності від зміни потенціалу підкладки.