Effect of substrate bias voltage parameters on surface properties of ta-C coatings

The study presents the technology of the formation of amorphous ta-C films, deposited by pulsed vacuum-arc method with the use of a water-cooled electromagnetic Venetian blind plasma filter. The effect of the substrate bias voltage, in the range of -25 to -200 V, on the structural and surface proper...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Вопросы атомной науки и техники
Datum:2017
Hauptverfasser: Safonov, V., Miroshnichenko, K., Zykova, A., Zavaleyev, V., Walkowicz, J., Rogowska, R.
Format: Artikel
Sprache:English
Veröffentlicht: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2017
Schlagworte:
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/122175
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Effect of substrate bias voltage parameters on surface properties of ta-C coatings / V. Safonov, K. Miroshnichenko, A. Zykova, V. Zavaleyev, J. Walkowicz, R. Rogowska // Вопросы атомной науки и техники. — 2017. — № 1. — С. 199-202. — Бібліогр.: 12 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-122175
record_format dspace
spelling Safonov, V.
Miroshnichenko, K.
Zykova, A.
Zavaleyev, V.
Walkowicz, J.
Rogowska, R.
2017-06-28T05:57:32Z
2017-06-28T05:57:32Z
2017
Effect of substrate bias voltage parameters on surface properties of ta-C coatings / V. Safonov, K. Miroshnichenko, A. Zykova, V. Zavaleyev, J. Walkowicz, R. Rogowska // Вопросы атомной науки и техники. — 2017. — № 1. — С. 199-202. — Бібліогр.: 12 назв. — англ.
1562-6016
PACS: 68.55
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/122175
The study presents the technology of the formation of amorphous ta-C films, deposited by pulsed vacuum-arc method with the use of a water-cooled electromagnetic Venetian blind plasma filter. The effect of the substrate bias voltage, in the range of -25 to -200 V, on the structural and surface properties of ta-C coatings was analyzed. The strong correlation between surface properties of amorphous ta-C films depending on substrate bias voltage variations and characteristic changes in the content of the diamond-like sp³ fraction was observed.
Представлена технология формирования аморфных покрытий ta-C, нанесенных импульсным вакуумно-дуговым методом с использованием охлаждаемого электромагнитного фильтра плазмы. Проанализирован эффект изменения смещения потенциала подложки в диапазоне значений от -25 до -200 В и его влияние на структурные и поверхностные свойства покрытий ta-C. Обнаружена корреляция между поверхностными свойствами аморфных покрытий ta-C и изменениями в содержании sp³-фазы в зависимости от изменения потенциала подложки.
Наведена технологія формування аморфних покриттів ta-C, нанесених імпульсним вакуум-дуговим методом з використанням охлаждаемого електромагнітного фільтра плазми. В роботі був проаналізований ефект зміни зміщення потенціалу підкладки в діапазоні значень від -25 до -200 В і його вплив на структурні і поверхневі властивості покриттів of ta-C. Була виявлена кореляція між поверхневими властивостями аморфних покриттів ta-C і змінами в змісті sp³ фази в залежності від зміни потенціалу підкладки.
The study was supported by the project IMBeingFP7-PEOPLE-2013-IRSES-612593 within the 7th FP of the European Commission and National Science Centre of Poland within the research project funded on the basis of the decision No DEC-2013/09/N/ST8/04363.
en
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
Вопросы атомной науки и техники
Низкотемпературная плазма и плазменные технологии
Effect of substrate bias voltage parameters on surface properties of ta-C coatings
Эффект параметров смещения потенциала подложки на поверхностные свойства покрытий ta-C
Ефект параметрів потенціалу зміщення підкладки на поверхневі властивості покриттів ta-C
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Effect of substrate bias voltage parameters on surface properties of ta-C coatings
spellingShingle Effect of substrate bias voltage parameters on surface properties of ta-C coatings
Safonov, V.
Miroshnichenko, K.
Zykova, A.
Zavaleyev, V.
Walkowicz, J.
Rogowska, R.
Низкотемпературная плазма и плазменные технологии
title_short Effect of substrate bias voltage parameters on surface properties of ta-C coatings
title_full Effect of substrate bias voltage parameters on surface properties of ta-C coatings
title_fullStr Effect of substrate bias voltage parameters on surface properties of ta-C coatings
title_full_unstemmed Effect of substrate bias voltage parameters on surface properties of ta-C coatings
title_sort effect of substrate bias voltage parameters on surface properties of ta-c coatings
author Safonov, V.
Miroshnichenko, K.
Zykova, A.
Zavaleyev, V.
Walkowicz, J.
Rogowska, R.
author_facet Safonov, V.
Miroshnichenko, K.
Zykova, A.
Zavaleyev, V.
Walkowicz, J.
Rogowska, R.
topic Низкотемпературная плазма и плазменные технологии
topic_facet Низкотемпературная плазма и плазменные технологии
publishDate 2017
language English
container_title Вопросы атомной науки и техники
publisher Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
format Article
title_alt Эффект параметров смещения потенциала подложки на поверхностные свойства покрытий ta-C
Ефект параметрів потенціалу зміщення підкладки на поверхневі властивості покриттів ta-C
description The study presents the technology of the formation of amorphous ta-C films, deposited by pulsed vacuum-arc method with the use of a water-cooled electromagnetic Venetian blind plasma filter. The effect of the substrate bias voltage, in the range of -25 to -200 V, on the structural and surface properties of ta-C coatings was analyzed. The strong correlation between surface properties of amorphous ta-C films depending on substrate bias voltage variations and characteristic changes in the content of the diamond-like sp³ fraction was observed. Представлена технология формирования аморфных покрытий ta-C, нанесенных импульсным вакуумно-дуговым методом с использованием охлаждаемого электромагнитного фильтра плазмы. Проанализирован эффект изменения смещения потенциала подложки в диапазоне значений от -25 до -200 В и его влияние на структурные и поверхностные свойства покрытий ta-C. Обнаружена корреляция между поверхностными свойствами аморфных покрытий ta-C и изменениями в содержании sp³-фазы в зависимости от изменения потенциала подложки. Наведена технологія формування аморфних покриттів ta-C, нанесених імпульсним вакуум-дуговим методом з використанням охлаждаемого електромагнітного фільтра плазми. В роботі був проаналізований ефект зміни зміщення потенціалу підкладки в діапазоні значень від -25 до -200 В і його вплив на структурні і поверхневі властивості покриттів of ta-C. Була виявлена кореляція між поверхневими властивостями аморфних покриттів ta-C і змінами в змісті sp³ фази в залежності від зміни потенціалу підкладки.
issn 1562-6016
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/122175
fulltext
citation_txt Effect of substrate bias voltage parameters on surface properties of ta-C coatings / V. Safonov, K. Miroshnichenko, A. Zykova, V. Zavaleyev, J. Walkowicz, R. Rogowska // Вопросы атомной науки и техники. — 2017. — № 1. — С. 199-202. — Бібліогр.: 12 назв. — англ.
work_keys_str_mv AT safonovv effectofsubstratebiasvoltageparametersonsurfacepropertiesoftaccoatings
AT miroshnichenkok effectofsubstratebiasvoltageparametersonsurfacepropertiesoftaccoatings
AT zykovaa effectofsubstratebiasvoltageparametersonsurfacepropertiesoftaccoatings
AT zavaleyevv effectofsubstratebiasvoltageparametersonsurfacepropertiesoftaccoatings
AT walkowiczj effectofsubstratebiasvoltageparametersonsurfacepropertiesoftaccoatings
AT rogowskar effectofsubstratebiasvoltageparametersonsurfacepropertiesoftaccoatings
AT safonovv éffektparametrovsmeŝeniâpotencialapodložkinapoverhnostnyesvoistvapokrytiitac
AT miroshnichenkok éffektparametrovsmeŝeniâpotencialapodložkinapoverhnostnyesvoistvapokrytiitac
AT zykovaa éffektparametrovsmeŝeniâpotencialapodložkinapoverhnostnyesvoistvapokrytiitac
AT zavaleyevv éffektparametrovsmeŝeniâpotencialapodložkinapoverhnostnyesvoistvapokrytiitac
AT walkowiczj éffektparametrovsmeŝeniâpotencialapodložkinapoverhnostnyesvoistvapokrytiitac
AT rogowskar éffektparametrovsmeŝeniâpotencialapodložkinapoverhnostnyesvoistvapokrytiitac
AT safonovv efektparametrívpotencíaluzmíŝennâpídkladkinapoverhnevívlastivostípokrittívtac
AT miroshnichenkok efektparametrívpotencíaluzmíŝennâpídkladkinapoverhnevívlastivostípokrittívtac
AT zykovaa efektparametrívpotencíaluzmíŝennâpídkladkinapoverhnevívlastivostípokrittívtac
AT zavaleyevv efektparametrívpotencíaluzmíŝennâpídkladkinapoverhnevívlastivostípokrittívtac
AT walkowiczj efektparametrívpotencíaluzmíŝennâpídkladkinapoverhnevívlastivostípokrittívtac
AT rogowskar efektparametrívpotencíaluzmíŝennâpídkladkinapoverhnevívlastivostípokrittívtac
first_indexed 2025-11-24T04:22:37Z
last_indexed 2025-11-24T04:22:37Z
_version_ 1850840805806178304