Some aspects of deposition of conductive, dielectric and protective coatings on insulators with using arc discharge dc and RF bias

Investigation results for technological process of low temperature plasma deposition of functional coverings for dielectric substrate at low temperatures (50…250 oC) are shown. Combined high frequency and arc plasma sources were used to provide high deposition rate and an opportunity to operate with...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Вопросы атомной науки и техники
Datum:2017
Hauptverfasser: Taran, V.S., Muratov, R.M., Nezovibat'ko, Y.N., Leonovych, A.V., Sergiiets, M.A.
Format: Artikel
Sprache:English
Veröffentlicht: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2017
Schlagworte:
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/122183
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Some aspects of deposition of conductive, dielectric and protective coatings on insulators with using arc discharge dc and RF bias / V.S. Taran, R.M. Muratov, Y.N. Nezovibat'ko, A.V. Leonovych, M.A. Sergiiets // Вопросы атомной науки и техники. — 2017. — № 1. — С. 265-268. — Бібліогр.: 4 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Beschreibung
Zusammenfassung:Investigation results for technological process of low temperature plasma deposition of functional coverings for dielectric substrate at low temperatures (50…250 oC) are shown. Combined high frequency and arc plasma sources were used to provide high deposition rate and an opportunity to operate with heat sensitive substrate such as plastic, glass etc. Using this method there were obtained: pads on detectors of ionizing radiation, optically transparent protecting coverings for plexiglass, connecting coverings on mica for ultra-frequency emitter. Показаны результаты исследования технологического процесса низкотемпературного плазменного осаждения функциональных покрытий для диэлектрической подложки при низких температурах (50…250 °С). Для обеспечения высокой скорости осаждения и возможности работать с теплочувствительными подложками, такими как пластик, стекло, были использованы комбинированные высокочастотные и дуговые источники плазмы. С помощью этого метода были получены: детекторы ионизирующего излучения, оптически прозрачные покрытия для плексигласа, соединительные покрытия на слюде для ультрачастотного излучателя. Показано результати дослідження технологічного процесу низькотемпературного плазмового осадження функціональних покриттів для діелектричної підкладки, при низьких температурах (50…250 °С). Комбіновані високочастотний і дуговий джерела плазми були використані для забезпечення високої швидкості осадження і можливість працювати з теплочутливою підкладкою, такою як пластик, скло і т. д. За допомогою цього методу були отримані: детектори іонізуючого випромінювання, оптично прозорі захисні покриття для плексигласу, з'єднувальні покриття на слюді для ультрачастотного випромінювача.
ISSN:1562-6016