Диод Ганна с индуцированным каналом в активной области

Представлены результаты теоретического исследования работы субмикронных диодов Ганна с активной областью без ионизированных примесей и с модуляцией проводимости в ней. Показано, что модуляция проводимости и отсутствие ионизированных примесей в активной области диода увеличивают его эффективность, ши...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Радиофизика и радиоастрономия
Datum:2002
Hauptverfasser: Аркуша, Ю.В., Прохоров, Э.Д., Стороженко, И.П.
Format: Artikel
Sprache:Russisch
Veröffentlicht: Радіоастрономічний інститут НАН України 2002
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/122307
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Диод Ганна с индуцированным каналом в активной области / Ю.В. Аркуша, Э.Д. Прохоров, И.П. Стороженко // Радиофизика и радиоастрономия. — 2002. — Т. 7, № 1. — С. 103-108. — Бібліогр.: 15 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
_version_ 1862549920122142720
author Аркуша, Ю.В.
Прохоров, Э.Д.
Стороженко, И.П.
author_facet Аркуша, Ю.В.
Прохоров, Э.Д.
Стороженко, И.П.
citation_txt Диод Ганна с индуцированным каналом в активной области / Ю.В. Аркуша, Э.Д. Прохоров, И.П. Стороженко // Радиофизика и радиоастрономия. — 2002. — Т. 7, № 1. — С. 103-108. — Бібліогр.: 15 назв. — рос.
collection DSpace DC
container_title Радиофизика и радиоастрономия
description Представлены результаты теоретического исследования работы субмикронных диодов Ганна с активной областью без ионизированных примесей и с модуляцией проводимости в ней. Показано, что модуляция проводимости и отсутствие ионизированных примесей в активной области диода увеличивают его эффективность, ширину частотного диапазона и оптимальную частоту генерации. Подано результати теоретичного дослідження роботи субмікронних діодів Ганна з активною областю без іонізованих домішок і з модуляцією провідності в ній. Показано, що модуляція провідності і відсутність іонізованих домішок в активній області діода збільшують його ефективність, ширину частотного діапазону і оптимальну частоту генерації. The theoretical investigation results of the submicron Gunn diode performance having the active region without the ionized impurities and with modulation of conductivity in active region are presented. It is shown that the modulation of conductivity and absence of the ionized impurities in the diode active region increases its efficiency, frequency range width and the optimum frequency of generation.
first_indexed 2025-11-25T20:40:25Z
format Article
fulltext
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-122307
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn 1027-9636
language Russian
last_indexed 2025-11-25T20:40:25Z
publishDate 2002
publisher Радіоастрономічний інститут НАН України
record_format dspace
spelling Аркуша, Ю.В.
Прохоров, Э.Д.
Стороженко, И.П.
2017-07-02T06:53:51Z
2017-07-02T06:53:51Z
2002
Диод Ганна с индуцированным каналом в активной области / Ю.В. Аркуша, Э.Д. Прохоров, И.П. Стороженко // Радиофизика и радиоастрономия. — 2002. — Т. 7, № 1. — С. 103-108. — Бібліогр.: 15 назв. — рос.
1027-9636
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/122307
621.382.2
Представлены результаты теоретического исследования работы субмикронных диодов Ганна с активной областью без ионизированных примесей и с модуляцией проводимости в ней. Показано, что модуляция проводимости и отсутствие ионизированных примесей в активной области диода увеличивают его эффективность, ширину частотного диапазона и оптимальную частоту генерации.
Подано результати теоретичного дослідження роботи субмікронних діодів Ганна з активною областю без іонізованих домішок і з модуляцією провідності в ній. Показано, що модуляція провідності і відсутність іонізованих домішок в активній області діода збільшують його ефективність, ширину частотного діапазону і оптимальну частоту генерації.
The theoretical investigation results of the submicron Gunn diode performance having the active region without the ionized impurities and with modulation of conductivity in active region are presented. It is shown that the modulation of conductivity and absence of the ionized impurities in the diode active region increases its efficiency, frequency range width and the optimum frequency of generation.
ru
Радіоастрономічний інститут НАН України
Радиофизика и радиоастрономия
Диод Ганна с индуцированным каналом в активной области
Gunn Diode with Induced Channel in Active Region
Article
published earlier
spellingShingle Диод Ганна с индуцированным каналом в активной области
Аркуша, Ю.В.
Прохоров, Э.Д.
Стороженко, И.П.
title Диод Ганна с индуцированным каналом в активной области
title_alt Gunn Diode with Induced Channel in Active Region
title_full Диод Ганна с индуцированным каналом в активной области
title_fullStr Диод Ганна с индуцированным каналом в активной области
title_full_unstemmed Диод Ганна с индуцированным каналом в активной области
title_short Диод Ганна с индуцированным каналом в активной области
title_sort диод ганна с индуцированным каналом в активной области
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/122307
work_keys_str_mv AT arkušaûv diodgannasinducirovannymkanalomvaktivnoioblasti
AT prohorovéd diodgannasinducirovannymkanalomvaktivnoioblasti
AT storoženkoip diodgannasinducirovannymkanalomvaktivnoioblasti
AT arkušaûv gunndiodewithinducedchannelinactiveregion
AT prohorovéd gunndiodewithinducedchannelinactiveregion
AT storoženkoip gunndiodewithinducedchannelinactiveregion