Металлический катодный контакт к диодам Ганна на основе некоторых перспективных соединений полупроводников А₃В₅
С помощью двухтемпературной модели междолинного переноса электронов теоретически исследованы энергетические и частотные характеристики диодов Ганна на основе InрGa1–рAs (с докритическим уровнем легирования активной области в режиме однородного поля) и на основе InP1–рAsр (в пролетном режиме c запорн...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Радиофизика и радиоастрономия |
|---|---|
| Datum: | 2002 |
| 1. Verfasser: | |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Радіоастрономічний інститут НАН України
2002
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/122317 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Металлический катодный контакт к диодам Ганна на основе некоторых перспективных соединений полупроводников А₃В₅ / Ю.В. Аркуша // Радиофизика и радиоастрономия. — 2002. — Т. 7, № 2. — С. 194-200. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-122317 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Аркуша, Ю.В. 2017-07-02T09:43:57Z 2017-07-02T09:43:57Z 2002 Металлический катодный контакт к диодам Ганна на основе некоторых перспективных соединений полупроводников А₃В₅ / Ю.В. Аркуша // Радиофизика и радиоастрономия. — 2002. — Т. 7, № 2. — С. 194-200. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. 1027-9636 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/122317 621.382.2 С помощью двухтемпературной модели междолинного переноса электронов теоретически исследованы энергетические и частотные характеристики диодов Ганна на основе InрGa1–рAs (с докритическим уровнем легирования активной области в режиме однородного поля) и на основе InP1–рAsр (в пролетном режиме c запорным металлическим катодным контактом). Показано, что диоды Ганна на основе InрGa1–рAs в режиме однородного поля имеют отрицательную дифференциальную проводимость в широком диапазоне частот (до 200 ГГц), а диоды Ганна на основе InP1–рAsр являются перспективными по своим энергетическим и частотным характеристикам. За допомогою двотемпературної моделі міждолинного переносу електронів теоретично досліджені енергетичні та частотні характеристики діодів Ганна на основі InрGa1–рAs (з докритичним рівнем легування активної області у режимі однорідного поля) і на основі InP1–рAsр у пролітному режимі із запірним металевим катодним контактом. Показано, що діоди Ганна на основі InрGa1–рAs у режимі однорідного поля мають негативну диференціальну провідність у широкому діапазоні частот, а діоди Ганна на основі InP1–рAsр є перспективними за своїми енергетичними та частотними характеристиками. Theoretically with the use of two-temperature model the power and frequency characteristics of Gunn diodes on a basis of InpGa1-pAs with subcritical doping level of active area in a homogeneous field regime, and InP1-pAsp Gunn diodes in transit time regime are investigated. It is shown that the Gunn diodes on a basis of InpGa1-pAs in a homogeneous field regime have negative differential conductivity in a wide frequency range (up to 200 GHz), and the InP1-pAsp Gunn diodes have more promising power and frequency characteristics. ru Радіоастрономічний інститут НАН України Радиофизика и радиоастрономия Металлический катодный контакт к диодам Ганна на основе некоторых перспективных соединений полупроводников А₃В₅ Metallic Cathode Contact for Gunn Diodes on Basis of Some Novel A₃B₅ Semiconductor Compounds Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Металлический катодный контакт к диодам Ганна на основе некоторых перспективных соединений полупроводников А₃В₅ |
| spellingShingle |
Металлический катодный контакт к диодам Ганна на основе некоторых перспективных соединений полупроводников А₃В₅ Аркуша, Ю.В. |
| title_short |
Металлический катодный контакт к диодам Ганна на основе некоторых перспективных соединений полупроводников А₃В₅ |
| title_full |
Металлический катодный контакт к диодам Ганна на основе некоторых перспективных соединений полупроводников А₃В₅ |
| title_fullStr |
Металлический катодный контакт к диодам Ганна на основе некоторых перспективных соединений полупроводников А₃В₅ |
| title_full_unstemmed |
Металлический катодный контакт к диодам Ганна на основе некоторых перспективных соединений полупроводников А₃В₅ |
| title_sort |
металлический катодный контакт к диодам ганна на основе некоторых перспективных соединений полупроводников а₃в₅ |
| author |
Аркуша, Ю.В. |
| author_facet |
Аркуша, Ю.В. |
| publishDate |
2002 |
| language |
Russian |
| container_title |
Радиофизика и радиоастрономия |
| publisher |
Радіоастрономічний інститут НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Metallic Cathode Contact for Gunn Diodes on Basis of Some Novel A₃B₅ Semiconductor Compounds |
| description |
С помощью двухтемпературной модели междолинного переноса электронов теоретически исследованы энергетические и частотные характеристики диодов Ганна на основе InрGa1–рAs (с докритическим уровнем легирования активной области в режиме однородного поля) и на основе InP1–рAsр (в пролетном режиме c запорным металлическим катодным контактом). Показано, что диоды Ганна на основе InрGa1–рAs в режиме однородного поля имеют отрицательную дифференциальную проводимость в широком диапазоне частот (до 200 ГГц), а диоды Ганна на основе InP1–рAsр являются перспективными по своим энергетическим и частотным характеристикам.
За допомогою двотемпературної моделі міждолинного переносу електронів теоретично досліджені енергетичні та частотні характеристики діодів Ганна на основі InрGa1–рAs (з докритичним рівнем легування активної області у режимі однорідного поля) і на основі InP1–рAsр у пролітному режимі із запірним металевим катодним контактом. Показано, що діоди Ганна на основі InрGa1–рAs у режимі однорідного поля мають негативну диференціальну провідність у широкому діапазоні частот, а діоди Ганна на основі InP1–рAsр є перспективними за своїми енергетичними та частотними характеристиками.
Theoretically with the use of two-temperature model the power and frequency characteristics of Gunn diodes on a basis of InpGa1-pAs with subcritical doping level of active area in a homogeneous field regime, and InP1-pAsp Gunn diodes in transit time regime are investigated. It is shown that the Gunn diodes on a basis of InpGa1-pAs in a homogeneous field regime have negative differential conductivity in a wide frequency range (up to 200 GHz), and the InP1-pAsp Gunn diodes have more promising power and frequency characteristics.
|
| issn |
1027-9636 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/122317 |
| citation_txt |
Металлический катодный контакт к диодам Ганна на основе некоторых перспективных соединений полупроводников А₃В₅ / Ю.В. Аркуша // Радиофизика и радиоастрономия. — 2002. — Т. 7, № 2. — С. 194-200. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT arkušaûv metalličeskiikatodnyikontaktkdiodamgannanaosnovenekotoryhperspektivnyhsoedineniipoluprovodnikova3v5 AT arkušaûv metalliccathodecontactforgunndiodesonbasisofsomenovela3b5semiconductorcompounds |
| first_indexed |
2025-12-07T18:25:44Z |
| last_indexed |
2025-12-07T18:25:44Z |
| _version_ |
1850874994160041984 |