Металлический катодный контакт к диодам Ганна на основе некоторых перспективных соединений полупроводников А₃В₅
С помощью двухтемпературной модели междолинного переноса электронов теоретически исследованы энергетические и частотные характеристики диодов Ганна на основе InрGa1–рAs (с докритическим уровнем легирования активной области в режиме однородного поля) и на основе InP1–рAsр (в пролетном режиме c запорн...
Saved in:
| Published in: | Радиофизика и радиоастрономия |
|---|---|
| Date: | 2002 |
| Main Author: | Аркуша, Ю.В. |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Радіоастрономічний інститут НАН України
2002
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/122317 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Металлический катодный контакт к диодам Ганна на основе некоторых перспективных соединений полупроводников А₃В₅ / Ю.В. Аркуша // Радиофизика и радиоастрономия. — 2002. — Т. 7, № 2. — С. 194-200. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineSimilar Items
Диоды Ганна на основе варизонных InBN и GaBN
by: Стороженко, И.П., et al.
Published: (2014)
by: Стороженко, И.П., et al.
Published: (2014)
Перспективы использования диодов Ганна на основе GaN, AlN и InN
by: Стороженко, И.П., et al.
Published: (2011)
by: Стороженко, И.П., et al.
Published: (2011)
О резонансной частоте диодов Ганна на основе варизонных полупроводников AlGaAs, GaPAs и GaSbAs
by: Стороженко, И.П., et al.
Published: (2011)
by: Стороженко, И.П., et al.
Published: (2011)
Диод Ганна с индуцированным каналом в активной области
by: Аркуша, Ю.В., et al.
Published: (2002)
by: Аркуша, Ю.В., et al.
Published: (2002)
Структурная наследственность в системе исходные материалы–металлический расплав–твердый металл (Обзор)
by: Рябцев, И.А.
Published: (2006)
by: Рябцев, И.А.
Published: (2006)
Мощные СВЧ-транзисторы на основе широкозонных полупроводников
by: Босый, В.И., et al.
Published: (2003)
by: Босый, В.И., et al.
Published: (2003)
Ганна Барвінок
by: Ковалів, Ю.
Published: (2018)
by: Ковалів, Ю.
Published: (2018)
Длинноволновые источники ИК-излучения на основе широкозонных полупроводников
by: Болгов, С.С.
Published: (2001)
by: Болгов, С.С.
Published: (2001)
Энергетические и частотные характеристики GaAs диодов Ганна с AlxGa1-xAs и GaPxAs1-x катодами
by: Стороженко, И.П., et al.
Published: (2007)
by: Стороженко, И.П., et al.
Published: (2007)
Резонансные частоты диодов Ганна на основе варизонных полупроводниковых нитридов
by: Стороженко, И.П.
Published: (2012)
by: Стороженко, И.П.
Published: (2012)
Ганна Павлівна Іванова
Published: (1964)
Published: (1964)
Ганна Іванівна Саврасова
by: Гнатюк, І.
Published: (2004)
by: Гнатюк, І.
Published: (2004)
Модернизация промышленности на основе ключевых перспективных технологий: обзор зарубежного опыта
by: Лях, А.В., et al.
Published: (2019)
by: Лях, А.В., et al.
Published: (2019)
Особенности электрических характеристик n+–p-перехода на основе узкозонных полупроводников
by: Косяченко, Л.А., et al.
Published: (2001)
by: Косяченко, Л.А., et al.
Published: (2001)
Расчет транспортных свойств детекторов гамма-излучения на основе полуизолирующих полупроводников
by: Zakharchenko, A. A., et al.
Published: (2008)
by: Zakharchenko, A. A., et al.
Published: (2008)
Расчет транспортных свойств детекторов гамма-излучения на основе полуизолирующих полупроводников
by: Захарченко, А.А., et al.
Published: (2008)
by: Захарченко, А.А., et al.
Published: (2008)
Анализ перспективных технологий борирования
by: Микаэлян, Ю.А.
Published: (2010)
by: Микаэлян, Ю.А.
Published: (2010)
Ковзний контакт штампа з пружним клином
by: Острик, В.І., et al.
Published: (2011)
by: Острик, В.І., et al.
Published: (2011)
Многослойные гетероструктуры на основе поликристаллических пленок соединений А²В⁶
by: Колежук, К.В., et al.
Published: (2003)
by: Колежук, К.В., et al.
Published: (2003)
Моделирование во временной области процессов суммирования мощности при параллельном соединении полосковых линий с диодами Ганна
by: Юрченко, Л.В., et al.
Published: (2013)
by: Юрченко, Л.В., et al.
Published: (2013)
Электронная структура разбавленных магнитных полупроводников на основе теллурида свинца с примесью хрома
by: Скипетров, Е.П., et al.
Published: (2011)
by: Скипетров, Е.П., et al.
Published: (2011)
Видатна закарпатська казкарка Ганна Палюк
by: Німчук, В.
Published: (1993)
by: Німчук, В.
Published: (1993)
Моделирование энергетических спектров гамма-излучения перспективных радиационно-технологических источников на основе изотопов европия
by: Дюльдя, С. В., et al.
Published: (2004)
by: Дюльдя, С. В., et al.
Published: (2004)
Ионный синтез нанокристаллов узкозонных полупроводников А³В⁵ в кремниевой матрице для систем оптоэлектроники
by: Комаров, Ф.Ф., et al.
Published: (2011)
by: Комаров, Ф.Ф., et al.
Published: (2011)
Оптика полупроводников с линейным электронным спектром
by: Фальковский, Л.А.
Published: (2011)
by: Фальковский, Л.А.
Published: (2011)
Магниторезистивные свойства неоднородного состояния антиферромагнитных полупроводников
by: Криворучко, В.Н.
Published: (1996)
by: Криворучко, В.Н.
Published: (1996)
Устройство для бесконтактного измерения электропроводности полупроводников
by: Ascheulov, A. A., et al.
Published: (2007)
by: Ascheulov, A. A., et al.
Published: (2007)
Швидько Ганна Кирилівна: історик, краєзнавець, педагог
by: Кочергін, І.
Published: (2014)
by: Кочергін, І.
Published: (2014)
Характеристики варизонных AlInN диодов Ганна
by: Кайдаш, М.В.
Published: (2013)
by: Кайдаш, М.В.
Published: (2013)
Резонансно-туннельный катод к диоду Ганна
by: Боцула, О.В., et al.
Published: (2007)
by: Боцула, О.В., et al.
Published: (2007)
Состояние и тенденции развития волноводных излучателей на основе соединений А³В⁵
by: Каримов, А.В.
Published: (2007)
by: Каримов, А.В.
Published: (2007)
Вопросы совершенствования технико-экономических характеристик перспективных АЭС с ВВЭР
by: Кругликов, П.А., et al.
Published: (2007)
by: Кругликов, П.А., et al.
Published: (2007)
Осесиметричний контакт двох пружних тіл за тертя та зчеплення
by: Острик, В.І., et al.
Published: (2012)
by: Острик, В.І., et al.
Published: (2012)
Скользящий контакт шероховатых упругих тел с учетом их адгезии
by: Галанов, Б.А., et al.
Published: (2014)
by: Галанов, Б.А., et al.
Published: (2014)
Дослідження електроерозійної стійкості контакт-деталей з підвищеною екологічною безпечністю
by: Кохановський, В.О.
Published: (2009)
by: Кохановський, В.О.
Published: (2009)
Информационно-измерительный комплекс для оптоемкостной спектроскопии полупроводников
by: Васильев, В.А.
Published: (2002)
by: Васильев, В.А.
Published: (2002)
Моделирование процессов бесконтактного химикомеханического изготовления подложек полупроводников
by: Григорьев, Н.Н., et al.
Published: (2003)
by: Григорьев, Н.Н., et al.
Published: (2003)
Диоды Ганна на основе варизонного Alx(z)Ga1-x(z)As c различными катодными контактами
by: Стороженко, И.П.
Published: (2006)
by: Стороженко, И.П.
Published: (2006)
КОМПЬЮТЕРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ДВУХ ПЕРСПЕКТИВНЫХ ОДНОРЯДНЫХ СХЕМ ПЛЕНОЧНОГО ОХЛАЖДЕНИЯ
by: Khalatov, A.A., et al.
Published: (2017)
by: Khalatov, A.A., et al.
Published: (2017)
Особенности формирования перспективных планов развития предприятий машиностроительного производства
by: Берсуцкий, А.Я.
Published: (2008)
by: Берсуцкий, А.Я.
Published: (2008)
Similar Items
-
Диоды Ганна на основе варизонных InBN и GaBN
by: Стороженко, И.П., et al.
Published: (2014) -
Перспективы использования диодов Ганна на основе GaN, AlN и InN
by: Стороженко, И.П., et al.
Published: (2011) -
О резонансной частоте диодов Ганна на основе варизонных полупроводников AlGaAs, GaPAs и GaSbAs
by: Стороженко, И.П., et al.
Published: (2011) -
Диод Ганна с индуцированным каналом в активной области
by: Аркуша, Ю.В., et al.
Published: (2002) -
Структурная наследственность в системе исходные материалы–металлический расплав–твердый металл (Обзор)
by: Рябцев, И.А.
Published: (2006)