Металлический катодный контакт к диодам Ганна на основе некоторых перспективных соединений полупроводников А₃В₅
С помощью двухтемпературной модели междолинного переноса электронов теоретически исследованы энергетические и частотные характеристики диодов Ганна на основе InрGa1–рAs (с докритическим уровнем легирования активной области в режиме однородного поля) и на основе InP1–рAsр (в пролетном режиме c запорн...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Радиофизика и радиоастрономия |
|---|---|
| Дата: | 2002 |
| Автор: | Аркуша, Ю.В. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Радіоастрономічний інститут НАН України
2002
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/122317 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Металлический катодный контакт к диодам Ганна на основе некоторых перспективных соединений полупроводников А₃В₅ / Ю.В. Аркуша // Радиофизика и радиоастрономия. — 2002. — Т. 7, № 2. — С. 194-200. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Диоды Ганна на основе варизонных InBN и GaBN
за авторством: Стороженко, И.П., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Стороженко, И.П., та інші
Опубліковано: (2014)
Перспективы использования диодов Ганна на основе GaN, AlN и InN
за авторством: Стороженко, И.П., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Стороженко, И.П., та інші
Опубліковано: (2011)
О резонансной частоте диодов Ганна на основе варизонных полупроводников AlGaAs, GaPAs и GaSbAs
за авторством: Стороженко, И.П., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Стороженко, И.П., та інші
Опубліковано: (2011)
Диод Ганна с индуцированным каналом в активной области
за авторством: Аркуша, Ю.В., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Аркуша, Ю.В., та інші
Опубліковано: (2002)
Структурная наследственность в системе исходные материалы–металлический расплав–твердый металл (Обзор)
за авторством: Рябцев, И.А.
Опубліковано: (2006)
за авторством: Рябцев, И.А.
Опубліковано: (2006)
Мощные СВЧ-транзисторы на основе широкозонных полупроводников
за авторством: Босый, В.И., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Босый, В.И., та інші
Опубліковано: (2003)
Ганна Барвінок
за авторством: Ковалів, Ю.
Опубліковано: (2018)
за авторством: Ковалів, Ю.
Опубліковано: (2018)
Длинноволновые источники ИК-излучения на основе широкозонных полупроводников
за авторством: Болгов, С.С.
Опубліковано: (2001)
за авторством: Болгов, С.С.
Опубліковано: (2001)
Энергетические и частотные характеристики GaAs диодов Ганна с AlxGa1-xAs и GaPxAs1-x катодами
за авторством: Стороженко, И.П., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Стороженко, И.П., та інші
Опубліковано: (2007)
Резонансные частоты диодов Ганна на основе варизонных полупроводниковых нитридов
за авторством: Стороженко, И.П.
Опубліковано: (2012)
за авторством: Стороженко, И.П.
Опубліковано: (2012)
Ганна Павлівна Іванова
Опубліковано: (1964)
Опубліковано: (1964)
Ганна Іванівна Саврасова
за авторством: Гнатюк, І.
Опубліковано: (2004)
за авторством: Гнатюк, І.
Опубліковано: (2004)
Модернизация промышленности на основе ключевых перспективных технологий: обзор зарубежного опыта
за авторством: Лях, А.В., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Лях, А.В., та інші
Опубліковано: (2019)
Особенности электрических характеристик n+–p-перехода на основе узкозонных полупроводников
за авторством: Косяченко, Л.А., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Косяченко, Л.А., та інші
Опубліковано: (2001)
Расчет транспортных свойств детекторов гамма-излучения на основе полуизолирующих полупроводников
за авторством: Zakharchenko, A. A., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Zakharchenko, A. A., та інші
Опубліковано: (2008)
Расчет транспортных свойств детекторов гамма-излучения на основе полуизолирующих полупроводников
за авторством: Захарченко, А.А., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Захарченко, А.А., та інші
Опубліковано: (2008)
Анализ перспективных технологий борирования
за авторством: Микаэлян, Ю.А.
Опубліковано: (2010)
за авторством: Микаэлян, Ю.А.
Опубліковано: (2010)
Ковзний контакт штампа з пружним клином
за авторством: Острик, В.І., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Острик, В.І., та інші
Опубліковано: (2011)
Многослойные гетероструктуры на основе поликристаллических пленок соединений А²В⁶
за авторством: Колежук, К.В., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Колежук, К.В., та інші
Опубліковано: (2003)
Моделирование во временной области процессов суммирования мощности при параллельном соединении полосковых линий с диодами Ганна
за авторством: Юрченко, Л.В., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Юрченко, Л.В., та інші
Опубліковано: (2013)
Электронная структура разбавленных магнитных полупроводников на основе теллурида свинца с примесью хрома
за авторством: Скипетров, Е.П., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Скипетров, Е.П., та інші
Опубліковано: (2011)
Видатна закарпатська казкарка Ганна Палюк
за авторством: Німчук, В.
Опубліковано: (1993)
за авторством: Німчук, В.
Опубліковано: (1993)
Моделирование энергетических спектров гамма-излучения перспективных радиационно-технологических источников на основе изотопов европия
за авторством: Дюльдя, С. В., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Дюльдя, С. В., та інші
Опубліковано: (2004)
Ионный синтез нанокристаллов узкозонных полупроводников А³В⁵ в кремниевой матрице для систем оптоэлектроники
за авторством: Комаров, Ф.Ф., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Комаров, Ф.Ф., та інші
Опубліковано: (2011)
Оптика полупроводников с линейным электронным спектром
за авторством: Фальковский, Л.А.
Опубліковано: (2011)
за авторством: Фальковский, Л.А.
Опубліковано: (2011)
Магниторезистивные свойства неоднородного состояния антиферромагнитных полупроводников
за авторством: Криворучко, В.Н.
Опубліковано: (1996)
за авторством: Криворучко, В.Н.
Опубліковано: (1996)
Устройство для бесконтактного измерения электропроводности полупроводников
за авторством: Ascheulov, A. A., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Ascheulov, A. A., та інші
Опубліковано: (2007)
Швидько Ганна Кирилівна: історик, краєзнавець, педагог
за авторством: Кочергін, І.
Опубліковано: (2014)
за авторством: Кочергін, І.
Опубліковано: (2014)
Характеристики варизонных AlInN диодов Ганна
за авторством: Кайдаш, М.В.
Опубліковано: (2013)
за авторством: Кайдаш, М.В.
Опубліковано: (2013)
Резонансно-туннельный катод к диоду Ганна
за авторством: Боцула, О.В., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Боцула, О.В., та інші
Опубліковано: (2007)
Состояние и тенденции развития волноводных излучателей на основе соединений А³В⁵
за авторством: Каримов, А.В.
Опубліковано: (2007)
за авторством: Каримов, А.В.
Опубліковано: (2007)
Вопросы совершенствования технико-экономических характеристик перспективных АЭС с ВВЭР
за авторством: Кругликов, П.А., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Кругликов, П.А., та інші
Опубліковано: (2007)
Осесиметричний контакт двох пружних тіл за тертя та зчеплення
за авторством: Острик, В.І., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Острик, В.І., та інші
Опубліковано: (2012)
Скользящий контакт шероховатых упругих тел с учетом их адгезии
за авторством: Галанов, Б.А., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Галанов, Б.А., та інші
Опубліковано: (2014)
Дослідження електроерозійної стійкості контакт-деталей з підвищеною екологічною безпечністю
за авторством: Кохановський, В.О.
Опубліковано: (2009)
за авторством: Кохановський, В.О.
Опубліковано: (2009)
Информационно-измерительный комплекс для оптоемкостной спектроскопии полупроводников
за авторством: Васильев, В.А.
Опубліковано: (2002)
за авторством: Васильев, В.А.
Опубліковано: (2002)
Моделирование процессов бесконтактного химикомеханического изготовления подложек полупроводников
за авторством: Григорьев, Н.Н., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Григорьев, Н.Н., та інші
Опубліковано: (2003)
Диоды Ганна на основе варизонного Alx(z)Ga1-x(z)As c различными катодными контактами
за авторством: Стороженко, И.П.
Опубліковано: (2006)
за авторством: Стороженко, И.П.
Опубліковано: (2006)
КОМПЬЮТЕРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ДВУХ ПЕРСПЕКТИВНЫХ ОДНОРЯДНЫХ СХЕМ ПЛЕНОЧНОГО ОХЛАЖДЕНИЯ
за авторством: Khalatov, A.A., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Khalatov, A.A., та інші
Опубліковано: (2017)
Особенности формирования перспективных планов развития предприятий машиностроительного производства
за авторством: Берсуцкий, А.Я.
Опубліковано: (2008)
за авторством: Берсуцкий, А.Я.
Опубліковано: (2008)
Схожі ресурси
-
Диоды Ганна на основе варизонных InBN и GaBN
за авторством: Стороженко, И.П., та інші
Опубліковано: (2014) -
Перспективы использования диодов Ганна на основе GaN, AlN и InN
за авторством: Стороженко, И.П., та інші
Опубліковано: (2011) -
О резонансной частоте диодов Ганна на основе варизонных полупроводников AlGaAs, GaPAs и GaSbAs
за авторством: Стороженко, И.П., та інші
Опубліковано: (2011) -
Диод Ганна с индуцированным каналом в активной области
за авторством: Аркуша, Ю.В., та інші
Опубліковано: (2002) -
Структурная наследственность в системе исходные материалы–металлический расплав–твердый металл (Обзор)
за авторством: Рябцев, И.А.
Опубліковано: (2006)