Металлический катодный контакт к диодам Ганна на основе некоторых перспективных соединений полупроводников А₃В₅
С помощью двухтемпературной модели междолинного переноса электронов теоретически исследованы энергетические и частотные характеристики диодов Ганна на основе InрGa1–рAs (с докритическим уровнем легирования активной области в режиме однородного поля) и на основе InP1–рAsр (в пролетном режиме c запорн...
Saved in:
| Published in: | Радиофизика и радиоастрономия |
|---|---|
| Date: | 2002 |
| Main Author: | Аркуша, Ю.В. |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Радіоастрономічний інститут НАН України
2002
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/122317 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Металлический катодный контакт к диодам Ганна на основе некоторых перспективных соединений полупроводников А₃В₅ / Ю.В. Аркуша // Радиофизика и радиоастрономия. — 2002. — Т. 7, № 2. — С. 194-200. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineSimilar Items
Диоды Ганна на основе варизонных InBN и GaBN
by: Стороженко, И.П., et al.
Published: (2014)
by: Стороженко, И.П., et al.
Published: (2014)
Перспективы использования диодов Ганна на основе GaN, AlN и InN
by: Стороженко, И.П., et al.
Published: (2011)
by: Стороженко, И.П., et al.
Published: (2011)
О резонансной частоте диодов Ганна на основе варизонных полупроводников AlGaAs, GaPAs и GaSbAs
by: Стороженко, И.П., et al.
Published: (2011)
by: Стороженко, И.П., et al.
Published: (2011)
Диод Ганна с индуцированным каналом в активной области
by: Аркуша, Ю.В., et al.
Published: (2002)
by: Аркуша, Ю.В., et al.
Published: (2002)
Исследование сварных соединений в перспективных поглощающих элементах энергетических реакторов
by: Белаш, Н.Н., et al.
Published: (2009)
by: Белаш, Н.Н., et al.
Published: (2009)
Мощные СВЧ-транзисторы на основе широкозонных полупроводников
by: Босый, В.И., et al.
Published: (2003)
by: Босый, В.И., et al.
Published: (2003)
Ганна Барвінок
by: Ковалів, Ю.
Published: (2018)
by: Ковалів, Ю.
Published: (2018)
Длинноволновые источники ИК-излучения на основе широкозонных полупроводников
by: Болгов, С.С.
Published: (2001)
by: Болгов, С.С.
Published: (2001)
Структурная наследственность в системе исходные материалы–металлический расплав–твердый металл (Обзор)
by: Рябцев, И.А.
Published: (2006)
by: Рябцев, И.А.
Published: (2006)
Совмещенное гидродинамическое и тепловое воздействие на металлический расплав в газлифтном реакторе
by: Курпас, В.И., et al.
Published: (2010)
by: Курпас, В.И., et al.
Published: (2010)
Влияние металлического контакта к запорному InxGa1-xAs-GaAs-гетерокатоду на работу GaAs-диодов Ганна
by: Аркуша, Ю.В., et al.
Published: (2004)
by: Аркуша, Ю.В., et al.
Published: (2004)
Энергетические и частотные характеристики GaAs диодов Ганна с AlxGa1-xAs и GaPxAs1-x катодами
by: Стороженко, И.П., et al.
Published: (2007)
by: Стороженко, И.П., et al.
Published: (2007)
Резонансные частоты диодов Ганна на основе варизонных полупроводниковых нитридов
by: Стороженко, И.П.
Published: (2012)
by: Стороженко, И.П.
Published: (2012)
Ганна Павлівна Іванова
Published: (1964)
Published: (1964)
Ганна Іванівна Саврасова
by: Гнатюк, І.
Published: (2004)
by: Гнатюк, І.
Published: (2004)
Скрипник Ганна (Київ)
Published: (2015)
Published: (2015)
Расчет транспортных свойств детекторов гамма-излучения на основе полуизолирующих полупроводников
by: Zakharchenko, A. A., et al.
Published: (2008)
by: Zakharchenko, A. A., et al.
Published: (2008)
Расчет транспортных свойств детекторов гамма-излучения на основе полуизолирующих полупроводников
by: Захарченко, А.А., et al.
Published: (2008)
by: Захарченко, А.А., et al.
Published: (2008)
Модернизация промышленности на основе ключевых перспективных технологий: обзор зарубежного опыта
by: Лях, А.В., et al.
Published: (2019)
by: Лях, А.В., et al.
Published: (2019)
Особенности электрических характеристик n+–p-перехода на основе узкозонных полупроводников
by: Косяченко, Л.А., et al.
Published: (2001)
by: Косяченко, Л.А., et al.
Published: (2001)
Слаботочные диоды Ганна на основе арсенида галлия для КВЧ-аппаратов
by: Яцуненко, А.Г., et al.
Published: (2005)
by: Яцуненко, А.Г., et al.
Published: (2005)
Слаботочные диоды Ганна на основе арсенида галлия для КВЧ-аппаратов
by: Yatsunenko, A. G., et al.
Published: (2005)
by: Yatsunenko, A. G., et al.
Published: (2005)
Анализ перспективных технологий борирования
by: Микаэлян, Ю.А.
Published: (2010)
by: Микаэлян, Ю.А.
Published: (2010)
Ковзний контакт штампа з пружним клином
by: Острик, В.І., et al.
Published: (2011)
by: Острик, В.І., et al.
Published: (2011)
Модель межзеренной границы в р-n-структурах на основе поликристаллических полупроводников
by: Олимов, Л.О.
Published: (2010)
by: Олимов, Л.О.
Published: (2010)
Многослойные гетероструктуры на основе поликристаллических пленок соединений А²В⁶
by: Колежук, К.В., et al.
Published: (2003)
by: Колежук, К.В., et al.
Published: (2003)
Діелектричний теплопровідний контакт для теплообмінника фотоенергетичної установки
by: Зайцев, Р.В.
Published: (2017)
by: Зайцев, Р.В.
Published: (2017)
Моделирование во временной области процессов суммирования мощности при параллельном соединении полосковых линий с диодами Ганна
by: Юрченко, Л.В., et al.
Published: (2013)
by: Юрченко, Л.В., et al.
Published: (2013)
Электронная структура разбавленных магнитных полупроводников на основе теллурида свинца с примесью хрома
by: Скипетров, Е.П., et al.
Published: (2011)
by: Скипетров, Е.П., et al.
Published: (2011)
Видатна закарпатська казкарка Ганна Палюк
by: Німчук, В.
Published: (1993)
by: Німчук, В.
Published: (1993)
Варизонный AlGaInAs-диод Ганна
by: Стороженко, И.П., et al.
Published: (2016)
by: Стороженко, И.П., et al.
Published: (2016)
Ионный синтез нанокристаллов узкозонных полупроводников А³В⁵ в кремниевой матрице для систем оптоэлектроники
by: Комаров, Ф.Ф., et al.
Published: (2011)
by: Комаров, Ф.Ф., et al.
Published: (2011)
Оптика полупроводников с линейным электронным спектром
by: Фальковский, Л.А.
Published: (2011)
by: Фальковский, Л.А.
Published: (2011)
Магниторезистивные свойства неоднородного состояния антиферромагнитных полупроводников
by: Криворучко, В.Н.
Published: (1996)
by: Криворучко, В.Н.
Published: (1996)
Устройство для бесконтактного измерения электропроводности полупроводников
by: Ascheulov, A. A., et al.
Published: (2007)
by: Ascheulov, A. A., et al.
Published: (2007)
Устройство для бесконтактного измерения электропроводности полупроводников
by: Ащеулов, А.А., et al.
Published: (2007)
by: Ащеулов, А.А., et al.
Published: (2007)
Моделирование энергетических спектров гамма-излучения перспективных радиационно-технологических источников на основе изотопов европия
by: Дюльдя, С. В., et al.
Published: (2004)
by: Дюльдя, С. В., et al.
Published: (2004)
Характеристики варизонных AlInN диодов Ганна
by: Кайдаш, М.В.
Published: (2013)
by: Кайдаш, М.В.
Published: (2013)
Резонансно-туннельный катод к диоду Ганна
by: Боцула, О.В., et al.
Published: (2007)
by: Боцула, О.В., et al.
Published: (2007)
Швидько Ганна Кирилівна: історик, краєзнавець, педагог
by: Кочергін, І.
Published: (2014)
by: Кочергін, І.
Published: (2014)
Similar Items
-
Диоды Ганна на основе варизонных InBN и GaBN
by: Стороженко, И.П., et al.
Published: (2014) -
Перспективы использования диодов Ганна на основе GaN, AlN и InN
by: Стороженко, И.П., et al.
Published: (2011) -
О резонансной частоте диодов Ганна на основе варизонных полупроводников AlGaAs, GaPAs и GaSbAs
by: Стороженко, И.П., et al.
Published: (2011) -
Диод Ганна с индуцированным каналом в активной области
by: Аркуша, Ю.В., et al.
Published: (2002) -
Исследование сварных соединений в перспективных поглощающих элементах энергетических реакторов
by: Белаш, Н.Н., et al.
Published: (2009)