Металлический катодный контакт к диодам Ганна на основе некоторых перспективных соединений полупроводников А₃В₅
С помощью двухтемпературной модели междолинного переноса электронов теоретически исследованы энергетические и частотные характеристики диодов Ганна на основе InрGa1–рAs (с докритическим уровнем легирования активной области в режиме однородного поля) и на основе InP1–рAsр (в пролетном режиме c запорн...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Радиофизика и радиоастрономия |
|---|---|
| Datum: | 2002 |
| 1. Verfasser: | Аркуша, Ю.В. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Радіоастрономічний інститут НАН України
2002
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/122317 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Металлический катодный контакт к диодам Ганна на основе некоторых перспективных соединений полупроводников А₃В₅ / Ю.В. Аркуша // Радиофизика и радиоастрономия. — 2002. — Т. 7, № 2. — С. 194-200. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineÄhnliche Einträge
Диоды Ганна на основе варизонных InBN и GaBN
von: Стороженко, И.П., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Стороженко, И.П., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Перспективы использования диодов Ганна на основе GaN, AlN и InN
von: Стороженко, И.П., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Стороженко, И.П., et al.
Veröffentlicht: (2011)
О резонансной частоте диодов Ганна на основе варизонных полупроводников AlGaAs, GaPAs и GaSbAs
von: Стороженко, И.П., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Стороженко, И.П., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Диод Ганна с индуцированным каналом в активной области
von: Аркуша, Ю.В., et al.
Veröffentlicht: (2002)
von: Аркуша, Ю.В., et al.
Veröffentlicht: (2002)
Исследование сварных соединений в перспективных поглощающих элементах энергетических реакторов
von: Белаш, Н.Н., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Белаш, Н.Н., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Мощные СВЧ-транзисторы на основе широкозонных полупроводников
von: Босый, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Босый, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Длинноволновые источники ИК-излучения на основе широкозонных полупроводников
von: Болгов, С.С.
Veröffentlicht: (2001)
von: Болгов, С.С.
Veröffentlicht: (2001)
Ганна Барвінок
von: Ковалів, Ю.
Veröffentlicht: (2018)
von: Ковалів, Ю.
Veröffentlicht: (2018)
Структурная наследственность в системе исходные материалы–металлический расплав–твердый металл (Обзор)
von: Рябцев, И.А.
Veröffentlicht: (2006)
von: Рябцев, И.А.
Veröffentlicht: (2006)
Совмещенное гидродинамическое и тепловое воздействие на металлический расплав в газлифтном реакторе
von: Курпас, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Курпас, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Влияние металлического контакта к запорному InxGa1-xAs-GaAs-гетерокатоду на работу GaAs-диодов Ганна
von: Аркуша, Ю.В., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Аркуша, Ю.В., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Энергетические и частотные характеристики GaAs диодов Ганна с AlxGa1-xAs и GaPxAs1-x катодами
von: Стороженко, И.П., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Стороженко, И.П., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Резонансные частоты диодов Ганна на основе варизонных полупроводниковых нитридов
von: Стороженко, И.П.
Veröffentlicht: (2012)
von: Стороженко, И.П.
Veröffentlicht: (2012)
Ганна Павлівна Іванова
Veröffentlicht: (1964)
Veröffentlicht: (1964)
Ганна Іванівна Саврасова
von: Гнатюк, І.
Veröffentlicht: (2004)
von: Гнатюк, І.
Veröffentlicht: (2004)
Скрипник Ганна (Київ)
Veröffentlicht: (2015)
Veröffentlicht: (2015)
Расчет транспортных свойств детекторов гамма-излучения на основе полуизолирующих полупроводников
von: Zakharchenko, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Zakharchenko, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Расчет транспортных свойств детекторов гамма-излучения на основе полуизолирующих полупроводников
von: Захарченко, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Захарченко, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Модернизация промышленности на основе ключевых перспективных технологий: обзор зарубежного опыта
von: Лях, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2019)
von: Лях, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2019)
Особенности электрических характеристик n+–p-перехода на основе узкозонных полупроводников
von: Косяченко, Л.А., et al.
Veröffentlicht: (2001)
von: Косяченко, Л.А., et al.
Veröffentlicht: (2001)
Анализ перспективных технологий борирования
von: Микаэлян, Ю.А.
Veröffentlicht: (2010)
von: Микаэлян, Ю.А.
Veröffentlicht: (2010)
Слаботочные диоды Ганна на основе арсенида галлия для КВЧ-аппаратов
von: Yatsunenko, A. G., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Yatsunenko, A. G., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Слаботочные диоды Ганна на основе арсенида галлия для КВЧ-аппаратов
von: Яцуненко, А.Г., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Яцуненко, А.Г., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Ковзний контакт штампа з пружним клином
von: Острик, В.І., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Острик, В.І., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Модель межзеренной границы в р-n-структурах на основе поликристаллических полупроводников
von: Олимов, Л.О.
Veröffentlicht: (2010)
von: Олимов, Л.О.
Veröffentlicht: (2010)
Многослойные гетероструктуры на основе поликристаллических пленок соединений А²В⁶
von: Колежук, К.В., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Колежук, К.В., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Діелектричний теплопровідний контакт для теплообмінника фотоенергетичної установки
von: Зайцев, Р.В.
Veröffentlicht: (2017)
von: Зайцев, Р.В.
Veröffentlicht: (2017)
Моделирование во временной области процессов суммирования мощности при параллельном соединении полосковых линий с диодами Ганна
von: Юрченко, Л.В., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Юрченко, Л.В., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Электронная структура разбавленных магнитных полупроводников на основе теллурида свинца с примесью хрома
von: Скипетров, Е.П., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Скипетров, Е.П., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Видатна закарпатська казкарка Ганна Палюк
von: Німчук, В.
Veröffentlicht: (1993)
von: Німчук, В.
Veröffentlicht: (1993)
Варизонный AlGaInAs-диод Ганна
von: Стороженко, И.П., et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: Стороженко, И.П., et al.
Veröffentlicht: (2016)
Ионный синтез нанокристаллов узкозонных полупроводников А³В⁵ в кремниевой матрице для систем оптоэлектроники
von: Комаров, Ф.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Комаров, Ф.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Оптика полупроводников с линейным электронным спектром
von: Фальковский, Л.А.
Veröffentlicht: (2011)
von: Фальковский, Л.А.
Veröffentlicht: (2011)
Магниторезистивные свойства неоднородного состояния антиферромагнитных полупроводников
von: Криворучко, В.Н.
Veröffentlicht: (1996)
von: Криворучко, В.Н.
Veröffentlicht: (1996)
Устройство для бесконтактного измерения электропроводности полупроводников
von: Ascheulov, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Ascheulov, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Устройство для бесконтактного измерения электропроводности полупроводников
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Моделирование энергетических спектров гамма-излучения перспективных радиационно-технологических источников на основе изотопов европия
von: Дюльдя, С. В., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Дюльдя, С. В., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Характеристики варизонных AlInN диодов Ганна
von: Кайдаш, М.В.
Veröffentlicht: (2013)
von: Кайдаш, М.В.
Veröffentlicht: (2013)
Резонансно-туннельный катод к диоду Ганна
von: Боцула, О.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Боцула, О.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Швидько Ганна Кирилівна: історик, краєзнавець, педагог
von: Кочергін, І.
Veröffentlicht: (2014)
von: Кочергін, І.
Veröffentlicht: (2014)
Ähnliche Einträge
-
Диоды Ганна на основе варизонных InBN и GaBN
von: Стороженко, И.П., et al.
Veröffentlicht: (2014) -
Перспективы использования диодов Ганна на основе GaN, AlN и InN
von: Стороженко, И.П., et al.
Veröffentlicht: (2011) -
О резонансной частоте диодов Ганна на основе варизонных полупроводников AlGaAs, GaPAs и GaSbAs
von: Стороженко, И.П., et al.
Veröffentlicht: (2011) -
Диод Ганна с индуцированным каналом в активной области
von: Аркуша, Ю.В., et al.
Veröffentlicht: (2002) -
Исследование сварных соединений в перспективных поглощающих элементах энергетических реакторов
von: Белаш, Н.Н., et al.
Veröffentlicht: (2009)