Особенности согласования полевых транзисторных структур на минимум шум-фактора в дециметровом диапазоне
В настоящей работе предлагается методика расчета шумовых характеристик усилителей на полевых транзисторах с барьером Шоттки, включая HEMT-структуры. Основой методики является использование обобщенных характеристик транзисторной структуры, названных макропараметрами. Они инвариантны относительно разм...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Радиофизика и радиоастрономия |
|---|---|
| Datum: | 2002 |
| 1. Verfasser: | |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Радіоастрономічний інститут НАН України
2002
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/122325 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Особенности согласования полевых транзисторных структур на минимум шум-фактора в дециметровом диапазоне / А.М. Королев // Радиофизика и радиоастрономия. — 2002. — Т. 7, № 3. — С. 273-288. — Бібліогр.: 23 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862567626222338048 |
|---|---|
| author | Королев, А.М. |
| author_facet | Королев, А.М. |
| citation_txt | Особенности согласования полевых транзисторных структур на минимум шум-фактора в дециметровом диапазоне / А.М. Королев // Радиофизика и радиоастрономия. — 2002. — Т. 7, № 3. — С. 273-288. — Бібліогр.: 23 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Радиофизика и радиоастрономия |
| description | В настоящей работе предлагается методика расчета шумовых характеристик усилителей на полевых транзисторах с барьером Шоттки, включая HEMT-структуры. Основой методики является использование обобщенных характеристик транзисторной структуры, названных макропараметрами. Они инвариантны относительно размерного масштабирования, слабо зависят от режима по постоянному току и могут измеряться низкочастотной аппаратурой. Единственный феноменологический параметр (F) вводится как характеристика крупного структурно-технологического класса FET (F ≈ 0.4 для MESFET, F ≈ 0.6 для HEMT, F ≈ 0.7 для PHEMT). На основе метода макропараметров для узкозатворных транзисторных структур в дециметровом диапазоне определены критерии реализуемости режима согласования на минимум шум-фактора с учетом свойств входного индуктивного элемента как отрезка специфической линии передачи.
У цій роботі пропонується методика розрахунку шумових характеристик підсилювачів на польових транзисторах з бар’єром Шоттки, включаючи HEMT-структури. Базою методики є використання узагальнених характеристик транзисторної структури, названих мікропараметрами. Вони інваріантні відносно розмірного масштабування, слабо залежать від режиму по постійному струму і можуть вимірюватись низькочастотною апаратурою. Єдиний феноменологічний параметр (F) вводиться як характеристика крупного структурно-технологічного класу FET (F ≈ 0.4 для MESFET, F ≈ 0.6 для HEMT, F ≈ 0.7 для PHEMT). На базі методу макропараметрів для вузькозатворних транзисторних структур в дециметровому діапазоні визначені критерії можливості реалізації режиму узгодження на мінімум шум-фактора, зважаючи на властивості індуктивного елемента як відрізка специфічної лінії передачі.
Novel method for deriving the noise characteristics of FET (including HEMT) amplifier is presented. It is based on generalized FET characteristics, denoted as macroparameters. They are invariant to scaling, measurable by rf-instruments and have only a weak dependence on dc-conditions. The sole phenomenological parameter (F) is introduced as characteristics of a large structural class of FETs (F ≈ 0.4 for MESFET, F ≈ 0.6 for HEMT and F ≈ 0.7 for PHEMT). Based on the "macroparameter approach" and taking into account the properties of input inductor as a distinctive transmission line, the conditions for minimum noise temperature realization are determined for moderately-long-gate transistors over the frequency range from 0.3 to 5 GHz.
|
| first_indexed | 2025-11-26T00:10:47Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-122325 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1027-9636 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-26T00:10:47Z |
| publishDate | 2002 |
| publisher | Радіоастрономічний інститут НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Королев, А.М. 2017-07-02T11:13:45Z 2017-07-02T11:13:45Z 2002 Особенности согласования полевых транзисторных структур на минимум шум-фактора в дециметровом диапазоне / А.М. Королев // Радиофизика и радиоастрономия. — 2002. — Т. 7, № 3. — С. 273-288. — Бібліогр.: 23 назв. — рос. 1027-9636 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/122325 621.375.029 В настоящей работе предлагается методика расчета шумовых характеристик усилителей на полевых транзисторах с барьером Шоттки, включая HEMT-структуры. Основой методики является использование обобщенных характеристик транзисторной структуры, названных макропараметрами. Они инвариантны относительно размерного масштабирования, слабо зависят от режима по постоянному току и могут измеряться низкочастотной аппаратурой. Единственный феноменологический параметр (F) вводится как характеристика крупного структурно-технологического класса FET (F ≈ 0.4 для MESFET, F ≈ 0.6 для HEMT, F ≈ 0.7 для PHEMT). На основе метода макропараметров для узкозатворных транзисторных структур в дециметровом диапазоне определены критерии реализуемости режима согласования на минимум шум-фактора с учетом свойств входного индуктивного элемента как отрезка специфической линии передачи. У цій роботі пропонується методика розрахунку шумових характеристик підсилювачів на польових транзисторах з бар’єром Шоттки, включаючи HEMT-структури. Базою методики є використання узагальнених характеристик транзисторної структури, названих мікропараметрами. Вони інваріантні відносно розмірного масштабування, слабо залежать від режиму по постійному струму і можуть вимірюватись низькочастотною апаратурою. Єдиний феноменологічний параметр (F) вводиться як характеристика крупного структурно-технологічного класу FET (F ≈ 0.4 для MESFET, F ≈ 0.6 для HEMT, F ≈ 0.7 для PHEMT). На базі методу макропараметрів для вузькозатворних транзисторних структур в дециметровому діапазоні визначені критерії можливості реалізації режиму узгодження на мінімум шум-фактора, зважаючи на властивості індуктивного елемента як відрізка специфічної лінії передачі. Novel method for deriving the noise characteristics of FET (including HEMT) amplifier is presented. It is based on generalized FET characteristics, denoted as macroparameters. They are invariant to scaling, measurable by rf-instruments and have only a weak dependence on dc-conditions. The sole phenomenological parameter (F) is introduced as characteristics of a large structural class of FETs (F ≈ 0.4 for MESFET, F ≈ 0.6 for HEMT and F ≈ 0.7 for PHEMT). Based on the "macroparameter approach" and taking into account the properties of input inductor as a distinctive transmission line, the conditions for minimum noise temperature realization are determined for moderately-long-gate transistors over the frequency range from 0.3 to 5 GHz. ru Радіоастрономічний інститут НАН України Радиофизика и радиоастрономия Особенности согласования полевых транзисторных структур на минимум шум-фактора в дециметровом диапазоне Peculiarities of FET Matching for Low-Noise Operation in Decimeter Range Article published earlier |
| spellingShingle | Особенности согласования полевых транзисторных структур на минимум шум-фактора в дециметровом диапазоне Королев, А.М. |
| title | Особенности согласования полевых транзисторных структур на минимум шум-фактора в дециметровом диапазоне |
| title_alt | Peculiarities of FET Matching for Low-Noise Operation in Decimeter Range |
| title_full | Особенности согласования полевых транзисторных структур на минимум шум-фактора в дециметровом диапазоне |
| title_fullStr | Особенности согласования полевых транзисторных структур на минимум шум-фактора в дециметровом диапазоне |
| title_full_unstemmed | Особенности согласования полевых транзисторных структур на минимум шум-фактора в дециметровом диапазоне |
| title_short | Особенности согласования полевых транзисторных структур на минимум шум-фактора в дециметровом диапазоне |
| title_sort | особенности согласования полевых транзисторных структур на минимум шум-фактора в дециметровом диапазоне |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/122325 |
| work_keys_str_mv | AT korolevam osobennostisoglasovaniâpolevyhtranzistornyhstrukturnaminimumšumfaktoravdecimetrovomdiapazone AT korolevam peculiaritiesoffetmatchingforlownoiseoperationindecimeterrange |