Режим сверхнизких шумов в широкополосном неохлаждаемом усилителе на PHEMT в дециметровом диапазоне
В работе предлагается метод разработки малошумящих широкополосных усилителей на HEMT, базирующийся на адекватном диапазону выборе транзисторных структур. На примере расчета и экспериментального исследования усилителя в дециметровом диапазоне показано, что транзисторы широкого применения допускают ре...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Радиофизика и радиоастрономия |
|---|---|
| Дата: | 2003 |
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Радіоастрономічний інститут НАН України
2003
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/122372 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Режим сверхнизких шумов в широкополосном неохлаждаемом усилителе на PHEMT в дециметровом диапазоне / А.М. Королев, В.М. Шульга // Радиофизика и радиоастрономия. — 2003. — Т. 8, № 1. — С. 21-27. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862681894652477440 |
|---|---|
| author | Королев, А.М. Шульга, В.М. |
| author_facet | Королев, А.М. Шульга, В.М. |
| citation_txt | Режим сверхнизких шумов в широкополосном неохлаждаемом усилителе на PHEMT в дециметровом диапазоне / А.М. Королев, В.М. Шульга // Радиофизика и радиоастрономия. — 2003. — Т. 8, № 1. — С. 21-27. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Радиофизика и радиоастрономия |
| description | В работе предлагается метод разработки малошумящих широкополосных усилителей на HEMT, базирующийся на адекватном диапазону выборе транзисторных структур. На примере расчета и экспериментального исследования усилителя в дециметровом диапазоне показано, что транзисторы широкого применения допускают реализацию сверхмалошумящего режима согласования, при котором шумовая температура усилителя Tn в основном определяется минимальной температурой шумов транзистора Tmin: Tn/Tmin не превышает 1.2. Полученные результаты позволяют прогнозировать возможность дальнейшего снижения шумов широкополосных усилителей дециметрового диапазона до уровня 10 К без использования криоохлаждения.
У роботі пропонується підхід до розробки малошумлячих широкосмугових підсилювачів на HEMT, що базується на адекватному до діапазону виборі транзисторних структур. На прикладі розрахунків та експериментального дослідження підсилювача в дециметровому діапазоні показано, що транзистори широкого вжитку допускають реалізацію надмалошумлячого режиму узгодження, за якого шумова температура підсилювача n T здебільшого залежить від мінімальної температури шумів транзистора min T : n min T T не перевищує 1.2. Отримані результати дають змогу прогнозувати можливість подальшого зниження шумів широкосмугових підсилювачів дециметрового діапазону до рівня 10 К без застосування кріоохолодження.
In this paper, an approach to the design of broadband HEMT LNA is proposed, based on the selection of the transistor type adequate to the operation band. By way of the L-band amplifier, the feasibility of ultra-low-noise matching of general-purpose FET is shown. Under these conditions, the noise temperature of the amplifier (Tn) is dominantly determined by the minimum noise temperature of the transistor (Tmin) i. e. Tn/Tmin ≤1.2. The obtained results permit predicting the possibility of broadband LNA noise reduction down to 10 K without cryogenic cooling.
|
| first_indexed | 2025-12-07T15:51:21Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-122372 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1027-9636 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T15:51:21Z |
| publishDate | 2003 |
| publisher | Радіоастрономічний інститут НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Королев, А.М. Шульга, В.М. 2017-07-02T18:33:47Z 2017-07-02T18:33:47Z 2003 Режим сверхнизких шумов в широкополосном неохлаждаемом усилителе на PHEMT в дециметровом диапазоне / А.М. Королев, В.М. Шульга // Радиофизика и радиоастрономия. — 2003. — Т. 8, № 1. — С. 21-27. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. 1027-9636 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/122372 621.375.029 В работе предлагается метод разработки малошумящих широкополосных усилителей на HEMT, базирующийся на адекватном диапазону выборе транзисторных структур. На примере расчета и экспериментального исследования усилителя в дециметровом диапазоне показано, что транзисторы широкого применения допускают реализацию сверхмалошумящего режима согласования, при котором шумовая температура усилителя Tn в основном определяется минимальной температурой шумов транзистора Tmin: Tn/Tmin не превышает 1.2. Полученные результаты позволяют прогнозировать возможность дальнейшего снижения шумов широкополосных усилителей дециметрового диапазона до уровня 10 К без использования криоохлаждения. У роботі пропонується підхід до розробки малошумлячих широкосмугових підсилювачів на HEMT, що базується на адекватному до діапазону виборі транзисторних структур. На прикладі розрахунків та експериментального дослідження підсилювача в дециметровому діапазоні показано, що транзистори широкого вжитку допускають реалізацію надмалошумлячого режиму узгодження, за якого шумова температура підсилювача n T здебільшого залежить від мінімальної температури шумів транзистора min T : n min T T не перевищує 1.2. Отримані результати дають змогу прогнозувати можливість подальшого зниження шумів широкосмугових підсилювачів дециметрового діапазону до рівня 10 К без застосування кріоохолодження. In this paper, an approach to the design of broadband HEMT LNA is proposed, based on the selection of the transistor type adequate to the operation band. By way of the L-band amplifier, the feasibility of ultra-low-noise matching of general-purpose FET is shown. Under these conditions, the noise temperature of the amplifier (Tn) is dominantly determined by the minimum noise temperature of the transistor (Tmin) i. e. Tn/Tmin ≤1.2. The obtained results permit predicting the possibility of broadband LNA noise reduction down to 10 K without cryogenic cooling. ru Радіоастрономічний інститут НАН України Радиофизика и радиоастрономия Режим сверхнизких шумов в широкополосном неохлаждаемом усилителе на PHEMT в дециметровом диапазоне Ultra-Low-Noise Operation of Broadband Uncooled PHEMT Amplifier in Ultrahigh-Frequency Band Article published earlier |
| spellingShingle | Режим сверхнизких шумов в широкополосном неохлаждаемом усилителе на PHEMT в дециметровом диапазоне Королев, А.М. Шульга, В.М. |
| title | Режим сверхнизких шумов в широкополосном неохлаждаемом усилителе на PHEMT в дециметровом диапазоне |
| title_alt | Ultra-Low-Noise Operation of Broadband Uncooled PHEMT Amplifier in Ultrahigh-Frequency Band |
| title_full | Режим сверхнизких шумов в широкополосном неохлаждаемом усилителе на PHEMT в дециметровом диапазоне |
| title_fullStr | Режим сверхнизких шумов в широкополосном неохлаждаемом усилителе на PHEMT в дециметровом диапазоне |
| title_full_unstemmed | Режим сверхнизких шумов в широкополосном неохлаждаемом усилителе на PHEMT в дециметровом диапазоне |
| title_short | Режим сверхнизких шумов в широкополосном неохлаждаемом усилителе на PHEMT в дециметровом диапазоне |
| title_sort | режим сверхнизких шумов в широкополосном неохлаждаемом усилителе на phemt в дециметровом диапазоне |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/122372 |
| work_keys_str_mv | AT korolevam režimsverhnizkihšumovvširokopolosnomneohlaždaemomusilitelenaphemtvdecimetrovomdiapazone AT šulʹgavm režimsverhnizkihšumovvširokopolosnomneohlaždaemomusilitelenaphemtvdecimetrovomdiapazone AT korolevam ultralownoiseoperationofbroadbanduncooledphemtamplifierinultrahighfrequencyband AT šulʹgavm ultralownoiseoperationofbroadbanduncooledphemtamplifierinultrahighfrequencyband |